Способ определения полного заряда и его центра распределения в диэлектриках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
1.11+ вакуума, ическая образца тояннаядиэлектртолщина- электрическая пос- относительнаяи роницаемость исоответственно;- глубина проник гдееи овени Фее в Ью 4(71) Московский институт электронного машиностроения(54) (57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛНОГО ЗАРЯДА И ЕГО ЦЕНТРА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИКАХ, основанный на размещении образца между двумя металлическими электродами с плотным прилеганием к одному из них и измерении потенциала О его свободной поверхЯО, 1191845 ности, отличающиися тем,рощения и повышениящают образец до прилеположному электроду, изм11 другой его поверхностио и центр распределениясоответствии с выражения1191845 г1.1+11 20 МорозовКПкомитетаи открытшская набод, ул. П Составитель Лехред И. Вересираж 747дарственногоизобретенийЖ - 35, Раунт, г. Ужго ректор А. Зимокосовдписное ССР ВНИИПИ Росу по делам 113035, Москва,илиал ППП Пате5 ктная, 4 И зобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для использования при исследовании электрических параметров диэлектриков.Целью изобретения является упрощение и повышеййе точности.;Кафйг",1 И 2 представлены схемы расоложения исследуемогЬ образца при реалиции предложеннОтгспособа, где обоз 14 анйнп образец.(диэлектрик) 1; металЛические электр 9 ды 2 р 3; кривая 4; характерйзуюгцаяодно из возможных расп 1 реюетенйй заряда в диэлектрике; Ь - толщина диэлектрика; д - зазор между диэлектриком и электродом; р(х) - объемная плотность распределения заряда, х, у - координаты,Для определения полного заряда и его центра распределения у образца 1, выполненного в виде диска диаметром 5 - 6 см, измеряют посредством микрометра или штангенциркуля толщину Ь, а затем по таблице Редактор М. Келемеш Т Заказ 7153/43 Т определяют диэлектрическую проницаемость а. При измерении потенциалов поверхности диэлектрика образец 1 помещают между электродами 2 и 3 таким образом, что он плотно прилегает к электроду 2 и образует зазор д с электродом 3, В этом положении измеряют потенциал У 1 свободной поверхности образца 1, обращенной к электроду 3. Затем образец 1 смещают к электроду 3, при этом между электро дом 2 и второй стороной образца 1 также образуется зазор д. Измеряют потенциал 1.12 второй стороны. Далее производят расчет полного заряда о и его центра распределения по глубине г проникновения заряда в соответствии с выражениями 15л
СмотретьЗаявка
3744452, 24.05.1984
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
СЕЗОНОВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ, СТЕПАНОВ АЛЕКСАНДР ПЕТРОВИЧ, БАТУРИН ЕВГЕНИЙ ЛЬВОВИЧ, КАЛИНОВА ЛЮДМИЛА ПАВЛОВНА
МПК / Метки
МПК: G01R 29/24
Метки: диэлектриках, заряда, полного, распределения, центра
Опубликовано: 15.11.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1191845-sposob-opredeleniya-polnogo-zaryada-i-ego-centra-raspredeleniya-v-diehlektrikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения полного заряда и его центра распределения в диэлектриках</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения параметров импульсов периодического электрического сигнала
Следующий патент: Устройство для определения коротких замыканий в обмотках электрических машин
Случайный патент: Способ получения внутренних полостей в видеканалов