Патенты с меткой «биполярных»

Номер патента: 1443185

Опубликовано: 07.12.1988

Автор: Меньшиков

МПК: H04B 3/46

Метки: биполярных, сигналов, трехуровневых

...на четвертый выход устройства. В этом случае выпрямитель 1 не используется по своему назначению, а играет роль нагрузки с высоким импедансом, практически не оказывающей влияния на входной сигнал. Не используются также формирователи 15 и 16, триггеры 19 и 20, элементы И 17 и 18, а выход импульсов ошибок (первый выход устройства) является общим независимо от вида входного сигнала.Выпрямитель 1 (фиг. 2) выполнен в виде парафазной трансфомраторнодиодной одно- и двухполупериодной схем. При этом первая обмотка трансформатора 21 является входной обмоткой выпрямителя 1. Вторая и третья обмотки трансформатора 21 вместе с диодами 25 и 27 образуют двухполупериодный выпрямитель, а вторая обмотка вместе с диодом 26 и третья обмотка вместе с диодом...

Номер патента: 1453609

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Басин, Басов, Гурин, Ларин, Лящук, Опритов, Серов

МПК: H04L 25/22

Метки: биполярных, сигналов, телеграфных, формирования

...питания.При исправном состоянии линии связи по линии через нагрузку протекаетноминальный ток телеграфных посыпок.В этом случае устройство формируетсигнал исправного состояния линии,который в виде 1" поступает на контрольць й выход, Этот сигнал формируется следующим образом. Независимо от направления тока н линии (положительной или отрицательной цосылки) ток н цепи выходной диагонали ныпрямительного моста 9 (н нагрузке моста) всегда протекает н одном направлении от положительного нынода к отрицательному, Часть этого тока через резистор 26 проходит в базовой цепи транзистора 28 и открывает его коллекторный переход. Сумма базового и коллекторного тока, образующая ток эмиттера, ранна полному току лилии. Эмиттерный ток транзистора 28...

Номер патента: 1453610

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Байдан, Бурдейный, Захарченко, Карпухин, Сирбиладзе

МПК: H04L 25/52

Метки: биполярных, многоуровневый, регенератор, сигналов

...ня рявкъи; уровнях Г)О5 ООтношению сос)ствекных емпп:.туд этииыпт"льсь, бчтт т иметь " цикатсовуюсреднк)ю иит)ину Б честности, кяуровнях т)авГых поло вин си соб стнен"них амплитуд. упомяк уть е ямпульсы54Имеют одинаковую средню)т) )пирину,равную по.гто вине тяктовс го иктерналт, Н ЭТОМ СЛУтЕ СИГНЯ;1ЕЕ ГОБОЙ ЧЗГ"тоти имеет ико)мальку.с энергию ),Для уменьшения размытости из всех импульсон на выходе сумматора .5 нужно отобрать только те, средняя ширина которьх находится н пределахТ/2дТ)т причем благодаря соответствующему подбору пороговых уровней порогоних блоков 4 в этот предел попадают информационные импульсы всех уровней и следовательно, их количество не уменьшается, Отбор ИНАормациокньтх импульсов на ныходе сумматора...

Номер патента: 1455396

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Ватник, Гефтер, Розенблат, Руденко

МПК: H05F 3/02

Метки: биполярных, зарядов, нейтрализации

...величйне тока 1, поступает на схему б вычисления абсолютного значения напряжения и с. ее выхода - на первый вход схемы 7 сравнения.Опорное значение выбирается такое, чтобы, пока знак зарядов на диэлектрике противоположен знаку генерируемых разрядником 2 ионов, напряжение на выходе схемы 6 было меньше опорного, Если знак зарядов на диэлектрике изменится, т.е. будет совпадать со знаком ионов, генерируемых разрядником 2, ток 1резко уменьшится так как ионы будут отталкиваться от диэлектрика), и следовательно, увеличится ток экрана 1, что приведет к увеличению напряжения на выходе фильтра 5 и схемы б. В результате напряжение на первом входе схемы 7 сравнения превысит опорное и переключится напряжение на выходе схемы 7 сравнения,...

Номер патента: 1506545

Опубликовано: 07.09.1989

Автор: Леденев

МПК: H03K 23/00

Метки: биполярных, импульсов, счета

...открытый элемент И 9 устанавливается в "1" триггер 16 и затем через элементы И 10, ИЛИ 18 устанавливается в "1" триггер 17.Если сигнал по шине 3 поступает в момент Времени Сл (момент окончания отрицательной части биполярногоПусть Т момент поступления сигнала по шине 2 совпадает с положительной частью сигнала по шине 1. По окончанию сигнала по шине 2 устанавливаются в " 1" триггеры 15 и 17, При приходе отрицательной части сигнала с выхода коммутатора 4 сигнал с выхода элемента НЕ 7 проходит элементыфИ 12, ИЛИ 19, устанавливает в "0" триггер 17 и по переднему положительному фронту устанавливает в "1" первый разряд счетчика 20. Выходной код имеет вид 0010. 50 55 импульса по шине 1), то в этот момент триггер 14 переходит в состояние "0" и...

Номер патента: 1520665

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Бобров, Ершов, Шмелев

МПК: H03M 5/18

Метки: биполярных, кодов, формирователь

...каналовБольшое сопротивление цепи разряда емкости, равное сумме сопротивлений перехода коллектор - база транзистора 11 (12) и резистора 13(14), не позволяет быстро и полностью разрядиться емкости С . Задний фронт лимпульсов затягивается, его длитель ность увеличивается. Кроме того, происходит смещение нулевого уровня сформированного сигнала. Таким образом, из-эа указанных явлений происходит искажение сформированного кода передаваемой информации.Для предотвращения указанных недостатков в формирователь введен диодный мост 21, являющийся источником тока, с помощью которого ем-. кость нагрузки С подзаряжается противоположным зарядом, т.е. потенциалы на обкладках емкости Сн выравниваются, разность потенциалов уменьшается и емкость. Сн...

Номер патента: 1547045

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Власов, Дудкин, Кустов, Малахова

МПК: H03K 5/01

Метки: биполярных, импульсов, формирователь

...логической единице, биполярный транзистор 3 закрыт, а на выходе компаратора 1 и затвора полевого транзистора 5 - отрицательное напряжение, близкое к напряжению на отрицательной шине питания, в результате чего полевой транзистор оказывается полностью закрытым, а на его стоке будет положитель - ный потенциал, равный напряжению на положительной шине питающего напряжения .При переходе входного напряжения формирователя с одного логического уровня на другой на базе и коллекторе биполярного транзистора 3 происходит изменение управляющих потенциалов в противоположные стороны сигналы инверсии), Сигналы с базы и коллектора транзистора 3 поступают на входы компаратора 1, Так как входные сигналы компаратора инверсны, то задержка включения...

Номер патента: 1571787

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Горошков, Коноплянко

МПК: H04L 25/08

Метки: биполярных, регенератор, сигналов

...уже соотношением первого 13 и четвертого 15 резисторов. С помощью третьего резистора 14 устанавливается одинаковый уровень напряжения на выходе 40 выпрямителя о т обоих полуволн входного сигнала, Сигнал на выходе выпрямителя для рассматриваемого слу" чая изображен на диаграмме фиг, 5 б,Принципиальная схема сумматора 2 (7) изображена на фиг . 3 . При этом первый его вход необходимо соединить с выходом выпрямителя 3 (б), а второй вход через регулируемый резистор (не показан) с входом выпрямителя 3 (6). С помощью второго транзистора 17, конденсатора 19 и резисторов 20 и 23 вырабатывается напряжение смещения, пропорциональное уровню постоянной составляющей сигнала. В точке суммирования сигналов уровень постоянной составляющей,...

Номер патента: 1584106

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Манюк

МПК: H03M 5/16

Метки: биполярных, импульсов, манюка, формирователь

...2) - положительное на"пряжение относительно шины 18 ноевого потенциала, снимаемое с накопителя 13. Величина этих сигналов равна напряжению на шине 2.единичного потенци,". - ла.При поступлении сигнала высокого уровня на тактовый вход 1 и сигнала высокого уровня на информационный вход 3 (фиг. 2) на выходе элемента И 4 появляется сигнал высокого уровня, а на выходе элемента 7 ЗАПРЕТ - низкого. При этом ключи 6, 9, 10, 15 и 16 нахо" дятся в замкнутом состоянии, а ключи 5, 8, 11, 14 и 17 - в разомкнутом. Накопители 12 и 13 включены последовательно один с другим, но с иной поляр" ностью включения. На выходе 19 формирователя появляется положительное напряжение относительно шины 18 нулевого потенциала, снимаемое с накопи" теля 12, а на выходе 20...

Номер патента: 1598156

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Акопов

МПК: H03K 19/08

Метки: биполярных, логический, моп-транзисторах, элемент

...5 и 6 конструктивно одинаковы (что легко осуществимо при интегральном исполнении), то и токи утечки этих транзисторов приблизительно равны. Ток утечки на участке коллектор - база транзистора 6 через отражатель тока на транзисторах 3 и 4 сформирует ток стока транзистора 4, Если при этом крутизна характеристики транзистора 4 больше крутизны характеристики транзистора 3, то ток" стока транзистора 4 будетравен току утечки на участке коллектор-база транзистора 5, а величина падения напря 5 10 15 20 25 30 35 жения на участке сток - исток транзистора 4 будет меньше величины падения напряжения на участке сток - исток транзистора 3.Если пороговое напряжение отпирания КМОП-транзисторов в данном случае находится примерно на том же уровне,...

Номер патента: 1614009

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Болдырев, Талов

МПК: G05F 1/56, G05F 1/59

Метки: биполярных, включенных, выравнивания, динамического, параллельно, токов, транзисторов

...ИЛИ 201 - 20 п, первичные обмотки трансформаторов 251. - 25 пй2 включены между коллекторами каждых двух из биполярных транзисторов 11- 1 п, а каждая из вторичных обмоток 261 - 26 и п - 1),2 271 - 27 вт в х- между одним иа входов одного иэ логических элементов ИЛИ 201 - 20 п и вторым выходом соответствующего ему управляемого ключевого элемента 131 - 13 п, причем начало первичной обмотки 251 - 25 в те - 1 т соответственно хаждого транс 2форматора соединено с началом первой вторичной обмотки 261 - 26 "(" " этого2трансформатора, а конец первичной обмотки 251 - 25 Яп 1 ) - с концом второй2вторичной обмотки 271 - 27 и ь, одна2клемма 22 блока подключения второго источника 21 питания подключена к второму выводу каждого из развязывающих диодов...

Номер патента: 1615877

Опубликовано: 23.12.1990

Автор: Акопов

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: биполярных, логический, моп-транзисторах, элемент

...потенциал логической "1". 50При возрастании входного напряжения до величины, равной половине напряжения питания, транзисторы 5 и 2 находятся в закрытом состоянии, так как возникающая при этом разность потенциалов между затворами транзисторов 5 и 2 меньше напряжения отпирания этих транзисторов. Например при величине входного напряжения, равной половине напряжения питания, потенциал на стоке транзистора 1 соответственно также равен половине напряжения питания, т,е, и потенциал на затворах транзисторов 5 и 2 равен этой же величине, а поскольку истоки транзисторов 5 и 2 соединены между собой, то оба эти транзистора закры ты.При дальнейшем возрастании входного напряжения потенциал на стоке транзистора 1 соответственно уменьшается и...

Номер патента: 1662002

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Лупоносова, Тяжкун

МПК: H03M 5/18

Метки: биполярных, импульсов, формирователь

...11.При появлении логической единицы на информационном входе 13 появляется положительное напряжение(относительно выхода.19) на третьем выходе выпрямителя 9, и усилитель 11 формирует импульс положительной полярности. (относительно выхода 19) на выходе 20. За перепадом логического уровня на входе 13 из единицы в ноль напряжение на информационном входе усилителя 11 уменьшится до нуля относительно выхода 19 и на выходе 20 установится также нулевое напряжение.Если уровень логической единицы появится на входе 14, аналогичным образом сформировано напряжение отрицательной полярности относительно выхода 19 на третьем выходе выпрямителя 10.и на выходе 20 формирователя,С помощью резистора 12 осуществляется привязка входа усилителя 11 к выходу 19,...

Номер патента: 1662003

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Павленко, Тяжкун

МПК: H03M 5/18

Метки: биполярных, импульсов, формирователь

...был) прекращается подача импульсов накачки на трансформатор 11 или 12 и происходит перепад уровня на выходе элемента ИЛИ 9,Формирователь 10 выдает короткий импульс на выводы первичной обмотки трансформатора 13, напряжением на вторичной обмотке которого открывается блок 16 разряда и емкость нагрузки между выходами 23 и 24 разряжается до малого напряжения паузы,В аварийном режиме устройства при коротком замыкании проводов линии связи (выходы 23 и 24) или снижении сопротивления нагрузки до недопустимо малой величины. Средняя величина выходного тока к.з превышает величину ,р, Напряжение на конденсаторе 8 за время нескольких выходных импульсов снижается до величины, при которой к,з снижается до уровня ,р. Таким образом, средняя мощность,...

Номер патента: 1665503

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Григорьева, Кузнецов

МПК: H03K 5/01

Метки: биполярных, импульсов, селектор

...а базы подключены через,и через соответствующие диоды 8 и 9 подсоединены к источнику 10 входного сигна,ла, причем коллекторы транзисторов 1 и 2являются первым и вторым выходами устройства. При работе селектора в качестведвухполупериодного выпрямителя на од. ном или двух его выходах может быть включен сглаживающий конденсатор 11,Селектор работает следующим образом,Если напряжение источника 10 входно,го сигнала равно нулю, то диоды 8 и 9заперты, транзисторы 1 и 2 закрыты, токиколлекторов транзисторов 1 и 2 близки кнулю, что дает близкое к нулю падение напряжения на резисторах 4 и 5, Если напряжение на входе селектора имеетположительную полярность и превышаетвеличину порогового напряжения, то диод 8открывается, открывая транзистор 1,...

Номер патента: 1690194

Опубликовано: 07.11.1991

Автор: Богомолов

МПК: H03M 1/10

Метки: биполярных, преобразователей, цифро-аналоговых

...индицировать равенство абсолютных значений положительных и 10 отрицательных напряжений на выходе ЦАПнезависимо от величины погрешности и нестабильности параметров измерительных приборов.Выбранный режим является оптималь ным для предлагаемого способа индикации,так как обеспечивает при данном способе измерений минимальное значение погрешностей. Так, из анализа выражений (1 - 3) следует, что изменение параметров функ ции, задающей форму напряжения на выходе ЦАП, например, на и 0 от предлагаемых, приводит к появлению на выходе устройства сигнала рассогласования (асимметрии), пропорционального произведению О.п, (О 25,п), что в конечном итоге нарушает режиминдикации симметрии напряжений,А 2= где 2 т30аа = - У О+эп(2 лсгт) сс+4+ - ,/ О-эмап(2...

Номер патента: 1751854

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Пищулин, Роботько, Садыков

МПК: H03M 5/18

Метки: биполярных, кодов, формирователь

...Первый 2 (второй 3) ключ на время импульса открывается, и от первого (второго) вывода к среднему выводу первичной обмотки трансформатора 1 протекает импульс тока. На нагрузке, подключенной к первому 14 и второму 15выходам формирователя, относительно второго 15 выхода формирователяобразуется импульс найряжения отрицательной (положительной) полярности.Для того, чтобы при подаче на входы 12 и 13 формирователя поочередно логических единиц в виде одинаковых последовательностей импульсов напряжения положительной полярности уменьшить различйе форм соответствующих положительных и отрицательных импульсов напряжения на нагрузке, подключенной к выходам 14 и .15 формирователя, и увеличить стабильность этого различия, а также стабильность амплитуд...

Номер патента: 1755374

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Будяков, Топольский, Тяжкун

МПК: H03K 5/01, H03M 5/18

Метки: биполярных, кодов, формирователь

...ключей 8 и 9, выходы которых соединены с информационными входами повторителя 7, информационные входы ключей 9 и 8 соединены соответственно с первым и вторым выходами выпрямителя 6, с первым и вторым входами питания повторителя 7, выход которого является другим выходом формироватЕля. Формирователь биполярных кодов работает следующим образом,При напряжении логического нуля на разрешающем входе (СЯ) блоков 1 и 2 управления, импульсы на первичной обмотке трансформатора. 5 не формируются, ток через светоизлучающие диоды элементов оптронов развязки 3 и 4 не протекает, Выходыформирователя находятся в высоко-импе 25 дансном состоянии, Если на разрешающем входе блоков управления 1 и 2 напряжение логической единицы, а на входе...

Номер патента: 1767695

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Дудкин, Кустов

МПК: H03K 5/01

Метки: биполярных, импульсов, формирователь

...с истоком дополнительного полевого транзистора 154, сток котооого через второй резистор 5соединен с отрицательной шиной питающего напряжения. Третий резистор 6 соединенс положительной шиной питающего напряжения, Устройство содержит также полевой 20транзистор 7, исток которого соединен сотрицательной шиной питающего напряжения, а сток является выходной клеммой устройства,Устройство работает следующим образом.При наличии на входе формирователясигнала, соответствующего логическому"0", на выходе инвертора будет сигнал, соответствующий логической "1", который через резистор 2 поступает на эмиттертранзистора 3. При этом транзистор 3 открыт, в цепи его коллектора протекает ток,величина которого ограничена сопротивлением р-канала полевого...

Номер патента: 1775856

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Журавлев, Плотников

МПК: H03M 13/00, H03M 5/18

Метки: биполярных, декодирования, кодов

...1 - в состояние лог. "0", С выхода 85-триггера 18 импульсы (фиг. 5 д, фиг, 6 д) поступают на Д-вход третьего Д-триггера 19, который осуществляет задержку их на один тактовый интервал, Импульсы, формируемые на выходах третьего Д-триггера 19, являются управляющими для коммутатора 20 (фиг.5 е,ж, фиг, бе,ж). Под действием управляющих импульсов коммутатор 20 поочередно пропускает на выход импульсы, поступающие на первый и второй его входы (5 з, бз). Из временных диаграмм видн . что благодаря задержке импульсов на один тактовый интервал на третьем Д-триггере 19 коммутатор 20 пропускает все импульсы, кроме первых. Таким образом, на третий выход блока 2 выделения вторых импульсов проходят вторые импульсы (Ч+, И, а также импульсы нарушения...

Номер патента: 1780156

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Венедиктов

МПК: H03K 5/01

Метки: биполярных, сигналов, формирователь

...через первый и дополнительный резистивные делители 19 и 20 первого канала 13,чгго пп 1 од 1, к с 7:47 ыти;о ВыходнОГО и Рто ОО;О поЛслг;л с- ь:1 тоанз" сторО 3 15 и( - р:. Это" н; ря.ан 4 а:ежду коллектором и ЭЛЛ.ГТЕЭ 7" ЭТИХ Т;ЗНЭИСГОРОВ СТЗНОВЯТСЯ г;Ор;:т:з 0,10,2":;: .,е. Второй дополнительный трзнзистср 17 шунтирует диод 18 и на выхода 3 фс рмирователя возникает импульс положительной голЯРностчи Оглх флг. 2, Бвых), амплитуда которого Оавнз величине наг Ояжания поО 7 итель 4 ОГО полюса 5 двух- полЯОНОГО истонз 4 Г 7 итзниЯ, м 7 нус падение напряжения нз первом резисторе 21 от и.Отекания через него двух токов: номизльног 7 тока Вгрузки и тока через этОт реэстор 21, дио., 18 и второй реэистоо 22, КОЛ Орос равно 0,30,4: и не ожет...

Номер патента: 1785581

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Левин, Сандина

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, мощных, транзисторов

...ОЛМИКХлЙЮРЩМЮ Цепью иэобретенич чвпчетсч повышенгн граничного напрчгкенич транзистораПастэвпеннач цепь дастигаетсч тем, что и способе, вн пючанэщем формирование на гюна рцстаппвесной ппастцне стру.туры и-Трпа, нанесение ппенни онсида кремнии, фарг гцрованце окна, соответствующего базовой области транзистора, путем фатапгТографв. по ансиду нремнцч и изатрапнога травпенич 1 ремнич, формированц 1 эз 1 эв 1 эй абпасгц транзистора путег дцффуэии ан цептарной примеси, формировании транзисторной струнтуры, форщчровднце и на, соответствующего бааваи абпастц транзистора, проводчт допопнитепьуО фатапцтаграфцю, а цэатропнае травпенйе 1 ремнич праводчттопьно по пери",егру базовой Обпасти транэ стараЗа счет того соцрвнчетсч папностью и-спой на...

Номер патента: 1791959

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Малов

МПК: H03K 5/01, H03M 1/52

Метки: биполярных, импульсов, формирователь, эталонного

...7 .еэистарсм с но";:.":;.,"ом К 7 величина зталОнного то. в на 1; зке 4 тт - ет О по 1; з;1,111;,;значенисм:н : Остл/8+ ОстР.,Я:В;.5 рого рассчитаны на величину тока нагрузки, Кроме того, в известном устройстве в качестве выходных шин формирователя биполярных импульсов напряжения использованы прямси и инверсный выходы, 5 поЭтому при заземлении вь 1 вода нагрузки в устройстве требуется незаземленный источник питания триггера.Целью изобретения является упрощение известного устройства путем примене ния слаботочных ключевьх элементов и исключениягальванически развязанных источников напряжения питания.Цель дсстигается тем, что, в известномформирователе биполярных импульсов эталонного тока формирователь биполярных1импульсов напряжения...

Номер патента: 1800501

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий

МПК: H01L 21/263

Метки: биполярных, транзисторов

...типа (А,Е-центры, комплексы. С 5-Сь дивакансии), в процессе пассивации происходит электрическое взаимодействие между отрицательно заряженными РД и положительно заряженными атомами водорода, В результате процесса комплексообразования отрицательно заряженные центры теряют рекомбинационную активность, Атомы водорода пассивируют также разорванные радиацией связи в решетке на границе 51-302, уменьшая плотность поверхностных состояний. Следствием этого является уменьшение механических напряжений на границе Я-З 02 и улучшение электрических параметров транзисторов, При эксплуатации приборов в полях ионозирующих излучений атомы водорода в решетке Йснижают вероятность устойчивых радиационных дефектов за счет взаимодействия с первичными...

Номер патента: 1810991

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бокач, Пинчук, Терешкин

МПК: H03K 5/01

Метки: биполярных, импульсов, приемник

...работы ППЗУ (фиг, 2 ж) каждому адресу соответстстот приема лимитируется только количеством парных выходов ППЗУ и организацией мультиплексора 20. На фиг. 1 мультиплексор 20 организован для выбора одной иэ двух возможных частот приема в соответствии с уровнем сигнала на адресном входе 35выбора частоты. Диаграмма напряжений нафиг, 2 соответствует выбору первой частотыприема. соответствуют требованиям первой частоты, то сигнал сброса р 1 проходит на выход р мультиплексора 20 и сбрасывает счетчики и ВЯ-триггер 18 в исходное состояние, При соответствии параметров формируется сигнал с 1, который проходит на первый выход мультиплексора 20, на синхронизирующий выход 36 приемника, Выработанному синхросигналу соответствует единичное...

Номер патента: 1817046

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Викин, Мещеряков, Числов

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, сопротивления, теплового, транзисторов

...приращение температуры перехода транзисто 25. ра при разогреве;Озб - прямое напряжение эмиттер-базатранзистора;Окн - начальное напряжение эмиттербаза при калибровке;Окр, напряжение эмиттер-база послевнешнего разогрева;Ь Оп - приращение напряжения эмиттер-база эа время протекания пачки импульсов греющего. тока;Ь Он - приращение напряжения эмиттер-база за время протекания непрерывно-.го импульса греющего тока;Ь Ом - максимальное допустимое приращение температуры перехода транзисто 40 ра при разогреве, .Способ осуществляется следующим образом,8 коллекторную цепь испытуемоготранзистора, например типа 2 Т 9136 АС,45 включенного по схеме с общей базой с эакороченным по переменному току выходом,имеющего начальную температуру корпусаТкнС...

Номер патента: 1544108

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Голубев, Гутько, Латышев, Ломко, Прохоцкий

МПК: H01L 21/263

Метки: биполярных, транзисторов

...Ь га обратный ток переходаколлектор - база 1,ь (при разомкнутом выводе эмиттера), напряжение пробоя ц, коллекторного и-р-пе"рехода.Обозначения в таблице следующие:ИН"аа " 1исходные значения параметров после присоединения выводов,ф, (квант/смэ) - флюенс у-квантовпри радиационной обработке транзисторов перед нанесением полиимида,Т (С) и 1;г (мин) - температура ивремл проведения операции имидиэацииполиимида, Тз (С) лл С (мин) - температура и время отжига радиационныхдефектов введенных при облученииФлюенсом Ф; Ь , 1, в , значенияпараметров после проведения всех технологических операций,Прй испытаниях радиационной стой"кости определялись максимальная скорость деградации К коэффициента усцленил при облучении11 га(ф ) - Ь г а(фг)ЕС ю...

Номер патента: 1010994

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, транзисторов

...охранногокольца одинакового типа проводимостис базовой областью, удаление легированного окисла и создание нового слоямаскирующего окисла, фотогравировкуобласти. базы, диййузию базы, удаление %легированного окисла и создание нов,го слоя маскирующего окисла, йотогравировку области эмиттера, диййузию эмиттера, зотогравировку контактов к базе и эмиттеру, создание металлизации, после окисления подложкина нее наносят нитрид кремния, проводят зотогравировку по нитриду кремния, оставляя его на области базы,осуществляют локальное окислениеподложки, удаляют слои нитрида кремния и нижележащего окисла, повторноокисляют поверхность открытого кремния до толщины окисла 0,11-0,17 мкм,проводят дийузию для созДания охранного кольца, затем...

Номер патента: 1457792

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Зубков, Манюк

МПК: H03M 5/16

Метки: биполярных, импульсов, формирователь

ФОРМИРОВАТЕЛЬ БИПОЛЯРНЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащий первый ключ, элемент И и элемент ЗАПРЕТ, управляющий вход первого ключа объединен с первым входом элемента И и прямым входом элемента ЗАПРЕТ и является тактовым входом формирователя, второй вход элемента И объединен с инверсным входом элемента ЗАПРЕТ и является информационным входом формирователя, выходы элемента И и элемента ЗАПРЕТ соединены с управляющими входами соответственно второго и третьего ключей, накопитель, первый вывод которого объединен с первыми информационными выводами первого, второго и третьего ключей, второй информационный вывод третьего ключа является первым выходом формирователя, и шину питания, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения за счет...

Номер патента: 1537071

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Амирханов, Венков, Земский, Мельникова, Моисеева

МПК: H01L 21/24

Метки: биполярных, горизонтальных, транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГОРИЗОНТАЛЬНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание областей межкомпонентной изоляции, формирование в эпитаксиальном слое диффузионных областей контакта к пассивной базе второго типа проводимости, формирование области активной базы подлегированием эпитаксиального слоя примесью второго типа, создание коллекторных и эмиттерных областей первого типа проводимости и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия транзисторов и упрощения технологии их изготовления, после формирования области...