Патенты с меткой «биполярных»

Номер патента: 1515993

Опубликовано: 09.08.1995

Автор: Манюк

МПК: H03M 5/16

Метки: биполярных, импульсов, формирователь

ФОРМИРОВАТЕЛЬ БИПОЛЯРНЫХ ИМПУЛЬСОВ по авт. св. N 1457792, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей формирователя за счет формирования парафазных биполярных импульсов, в него введены шестой ключ, делитель напряжения и шина нулевого потенциала, управляющий вход и первый информационный вывод шестого ключа подключены соответственно к тактовому входу формирователя и второму выводу накопителя, второй информационный вывод шестого ключа и средний вывод делителя напряжения объединены и подключены к шине нулевого потенциала, первый и второй крайние выводы делителя напряжения подключены к одноименным выходам формирователя.

Номер патента: 1135378

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Коваленко, Лукасевич, Манжа, Патюков, Рябов, Щепетильникова

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярных, интегральных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ионным легированием примесью первого типа проводимости, термическое окисление поликремния, удаление нитрида кремния, формирование активной базы и эмиттера путем ионного легирования примесями первого и второго типа проводимости с последующей термообработкой, формирование контактов к активным областям транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1805793

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, создания, структур

...поверхности кремния продуктами реакции обеспечивается 20-40-ным содержанием гексафторида серы в травящей смеси.4045 5055 обработку структур при температуре 510 Св среде азота в течение 15 мин.Использование предлагаемого способасоздания интегральных структур позволитувеличить коэффициент усиления по току биполярных транзисторов в 1,5 - 2 раза, снизить величины контактного сопротивления к эмиттерным областям на 30 - 50, контактного сопротивления к базовым областям в 1,3-2 раза (при температуре - 60 С - в 5 - 8 раз), уменьшить ток утечки обратной ветвидиодов Шоттки в 3 - 4 раза при коэффициенте неидеальности 1,03 - 1,04. Улучшение данНых параметров интегральных структур позволяет исключить отказы по статическим и динамическим...

Номер патента: 1649965

Опубликовано: 20.07.1996

Автор: Романов

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, кремниевых, свч-транзисторов

Способ изготовления кремниевых биполярных СВЧ-транзисторов, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрической пленки, вскрытие окон под области базы и введение в них легирующей базовой примеси, вскрытие окна под область эмиттера и введение в нее легирующей эмиттерной примеси, нанесение диэлектрической кремнийсодержащей пленки, термообработку в окисляющей атмосфере, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией, диэлектрическую кремнийсодержащую пленку наносят перед вскрытием окна под область эмиттера, термообработку в окисляющей атмосфере проводят до образования на...

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...

Номер патента: 1290869

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Козлов, Рабодзей, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, импульсных, мощных, однородного, работы, режимах, тепловой, токораспределения, транзисторов, устойчивости

Способ контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов, включающий задание эмиттерного тока и напряжения между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора, регистрацию изменения напряжения между выводами эмиттера и базы контролируемого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, эмиттерный ток задают в виде последовательности импульсов с заданной амплитудой, длительностью и периодом следования, а напряжение между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора подают одновременно с подачей одного из импульсов эмиттерного тока в виде импульсов со ступенчато возрастающей амплитудой, причем длительность каждой...

Номер патента: 1538830

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Лукасевич, Манжа, Соловьева, Шевченко

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, транзисторах

Способ изготовления ИС на биполярных транзисторах, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание охранных областей первого типа проводимости под области изоляции, формирование областей изоляции и глубокого коллектора, осаждение на поверхность эпитаксиального слоя первой пленки поликремния, ее локальное прокисление вне базовых областей транзисторов, ее легирование примесью первого типа, формирование первой диэлектрической пленки, вскрытие в ней окон под эмиттерные области транзисторов, вытравливание во вскрытых окнах первой пленки поликремния, формирование пристеночных...

Номер патента: 1632187

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Бусыгин

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, отработки, транзисторов

Способ отбраковки биполярных транзисторов, включающий подачу на биполярный транзистор тока эмиттера и напряжения база-коллектор, определение информативных параметров биполярных транзисторов и сравнение их с эталоном, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, напряжение база-коллектор устанавливают равным его предельно допустимому значению, изменяют ток в диапазоне его допустимых значений, устанавливают его значение, при котором статический дифференциальный коэффициент прямой передачи тока при котором замыкании на выходе при включении биполярного транзистора по схеме с общей базой достигает максимального значения, измеряют при этой величине тока эмиттера значение...

Номер патента: 1825155

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Дмитриев, Новиков, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, отбраковки, транзисторов

Способ отбраковки биполярных транзисторов, включающий приложение напряжения питания между коллектором и эмиттером транзистора, измерение тока и сравнение его с допустимым значением, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности способа, между коллектором и эмиттером прикладывают высокочастотное напряжение и увеличивают его амплитуду до лавинообразного открывания транзистора, после чего уменьшают амплитуду высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора до его лавинообразного выключения, при этом фиксируют амплитуду высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора, постоянные составляющие тока и напряжения эмиттера и амплитуду...