Формирователь биполярных импульсов

ВИДЕТЕЛ ивер РНЫХ зовано отехниах, сисзлов и емотехаботы и( О ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ И(71) Воронежский государственный уситет им, Ленинского комсомола(56) Авторское свидетельство СССРМ 809527, кл. Н 03 К 5/01, 28,04.79,(57) Изобретение может быть испольдля формирования импульсов в радике и электронике, цифровых прибортемах контроля, при разработке уэлементов ЭВМ, в интегральной схнике. Повышаются эффективность р быстродейств ержитлогический элемент НЕ 1, биполярный транзистор 3, полевой транзистор 7, полевой транзистор 4, исток которого соединен с коллектором, затвор - с базой биполярного транзистора, а сток через резистор 5 - с шиной питающего напряжения. Такое включение обеспечивает формированный режим рассасывания избыточных неосновных зарядов в базе биполярного транзистора, и одновременно реализуется отрицательнРя обратная связь по напряжению, поэтому би- полярной транзистор находится в активном ключевом режиме, Сигналы в базу-эмиттер и затвор-исток поступают в противофазе, и в результате время переключения из одного логического состояния в другое становится минимальным, 1 ил,Е1767695 Составитель Б,ПоликарповТехред М,Моргентал Корректор И,ШмакЬва Редактор Заказ 3558 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгоро, у,Гагарина 1011 Изобретение относится к импульснойтехнике и может быть использовано дляформирования импульсов, в цифровых измерительных приборах, а также в системахконтроля. 5На чертеже представлена принципиальная схема устройства,Устройство содержит логический элемент НЕ 1, выход которого через первыйрезистор 2 соединен с эмиттером р - и-ртранзистора 3, а вход соединен с базой биполярного р-и - р-транзистора 3 и затворомдополнительного полевого транзистора 4,Коллектор транзистора 3 соединен с истоком дополнительного полевого транзистора 154, сток котооого через второй резистор 5соединен с отрицательной шиной питающего напряжения. Третий резистор 6 соединенс положительной шиной питающего напряжения, Устройство содержит также полевой 20транзистор 7, исток которого соединен сотрицательной шиной питающего напряжения, а сток является выходной клеммой устройства,Устройство работает следующим образом.При наличии на входе формирователясигнала, соответствующего логическому"0", на выходе инвертора будет сигнал, соответствующий логической "1", который через резистор 2 поступает на эмиттертранзистора 3. При этом транзистор 3 открыт, в цепи его коллектора протекает ток,величина которого ограничена сопротивлением р-канала полевого транзистора 4 и резистором 5, Полевой транзистор 7 такжеоткрыт и на выходе формирователя будетпотенциал, соответствующий напряжениюна шине отрицательного питающего напряжения. 40При наличии на вхЬде формирователясигнала логической "1" биполярный 3 иполевой 4 транзисторы, а также полевойтранзистор 7 закрыты и на выходе формиро 45 вателя будет потенциал, соответствующий напряжению на шине положительного питающего напряжения,При переходе входного напряжения формирователя с одного логическогэ уровня на другой на базе и коллекторе биполярного транзистора 3, а также на затворе и истоке полевого транзистора 4 происходит изменение управляющих потенциалов в противоположные стороны (сигналы инверсны). Такое включение биполярного 3 и полевого 4 транзисторов обеспечивает форсированный режим рассасывания избыточных не- основных носителей заряда в базе биполярного транзистора 3. Одновременно реализуется параллельная обратная связь по напряжению между базой - коллектором транзистора 3 с фиксацией коллекторного напряжения, который поэтому находится в активном ключевом режиме (ненасыщенный ключ). При этом время рассасывания неосновных носителей становится минимальным (в сравнении с прототипом), что эквивалентно уменьшению времени переключения с одного логического уровня на другой или увеличению быстродействия (скорости изменения напряжения на стоке полевого транзистора 4 и на выходе устройства),Таким образом, введение в формирователь дополнительного полевого транзистора и указанных связей приводит к повышению быстродействия устройства формирования биполярных импульсов.Формула изобретения Формирователь биполярных импульсов по авт, св, М 809527, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия, введен полевой транзистор, исток которого соединен с коллектором входного транзистора прямой проводимости, затвор - с базой и входом генератора, а сток соединен с затвором выходного полевого транзистора.