Аттенюатор

САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ на одной полу ическии волновод 1,которого сформированковый слой 2 с управл элект стороне проводи концент заряда, честве мо ей свободных носител в ка"пользо мент управлени торого может быть и Для достижения рическая пластин аллельно продольКоэффициент заван источник 4 свет цели введена диэлек 3, установленная па ной оси волновода 1 медления ч пластин еыбирается и(57) Изобретение отСВЧ и может использпередаюцей аппаратурния - увеличение велного затухания. Атт осится к технике прием ватьсяе. Цель ете.зоб сим дер чины мюатор ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГКНТ СССР ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) КагцсЬЖо Ояцяц апй 1 ЕцоТапа 1 а. Эде 1 есггс ыачедцЫе - Ттх 11 хтесегюаче тойц 1 аСог Пя 1 п 8РЬргосопдцсС 1 чдгу, Расц 1 гу оЕ Еппеегдпя БЬгцс 1 са Цпчегя 1 гу, Наш432, 1 арап. Теапя 1 ЕСЕЗ, ч,167-Вр.416-423, арг, 1984. условия чмин ( ч (ч макс ф где чмчн фп ч - коэффициенты замедления волмакс новода 1 соотв. миним. и максим. кон центрациям носителей в слое 2. В качестве слоя 2 может быть использован кремний, который становится подобен металлу приконцентрации свободных носителей зарядов 10 - 10 смЯ %7 -32 з.п.ф-лы, 3 ил.3 1513,544Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться в приемо- передающей аппаратуре.Целью изобретения является увели 5 чение величины максимального затухания.На фиг.1 - 3 представлены модификации аттенюатора.Аттенюатор содержит диэлектричес кий волновод 1, на одной стороне которого сформирован полупроводниковый слой 2 с управляемои концентрацией свободных носителей заряда а параллельно его продольной оси рас положена диэлектрическая пластина 3. Управление концентрацией свободных носителей осуществляется элементом управления, в качестве которого мо жет быть использован источник 4 све та или источник 5 напряжения, В последнем случае на полупроводниковый слой 2 наносятся параллельные металлические полосы 6, между которыми сформирована р - х - и структура.Коэффициент замедления ч диэлеки трической пластины 3 выбирается изусловия ч (ч (чгде чмокс т мин ч- коэффициенты замецления диэлектрического волновода 1, соответ - 30 ствующие минимальной и максимальнойконцентрациям носителей в полупроводниковом слое 2.Аттенюатор работает следующим образом, 35 По диэлектрическому волноводу 1 распространяется волна. При малой концентрации свободных носителей в полупроводниковом слое 2 коэффициент 40 замедления диэлектрического волновода 1 больше коэффициента замедления диэлектрической пластины 3 и поле вол - ны концентрируется внутри диэлектрического волновода 1. При увеличении 45 концентрации свободных носителей зарядов в полупроводниковом слое 2 под действием источника 4 или 5 полупроводниковый слой 2 становится вначале подобен диэлектрику с потерями и за 50 тухание в диэлектрическом волноводе 1 увеличивается, затем с увеличением концентрации носителей полупроводниковый слой 2 ведет себя как металл, При этом коэффициент замедления диэлектрического волновода 1 становится меньше коэффициента замедления диэлектрической пластины 3 и волна вытекает в нее.В случае использования источника 5 напряжения расстояние между металлическими полосами б, расположенными перпендикулярно продольной оси диэлектрического волновода 1, должно быть меньше половины длины вопны внем,В качестве полупроводникового слоя 2 может быть использовай кремний, который становится подобен металлу при концентрации свободных носителей зарядов 106-10 смДля кремния данную концентрацию можно получить на полупроводниковом слое 2 при плотности мощности светового потока 5-50 мВт/смгМинимальная концентрация свобод/ ных носителей зарядов в кремнии 10 - 103Формула изобретенияАттенюатор содержащий диэлектрический волновод, на одной сторонекоторого сформирован полупроводниковый слой с управляемой концентрациейсвободных носителей зарядов, и элемент управления, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью увеличения величины максимального затухания, в него введена диэлектрическая пластина,которая установлена параллельно продольной оси диэлектрического волновода причем коэффициент замедленияволны диэлектрической пластины ч явыбран из условия ч (ч и (ч монс фмингде ч .- коэффициент замедлениядиэлектрического волновода, соответствующий минимальной концентрации носителей в полупроводниковом слое,ч - коэффициент замедления димоксэлектрического волновода, соответствующий максимальной концентрации носителей в полупроводниковом слое,2, Аттенюатор по п.1, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что диэлектрический волновод выполнеч из собственного полупроводника.3. Аттенюатор по пп.1 и 2, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что на полупроводниковом слое выполнены металлические полосы, между которымисформирована структура на р - х - идиоде,изобретениям и открытиям при ГКНТ С Раушская.наб д. 4/5