Электровзрывной элемент

Номер патента: 1052971

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Белявская, Вайхброт, Головченко, Крупецкий, Легостаев

МПК: G01N 27/02

Метки: полупроводникового, чувствительного, элемента

...первичные и вторичные продукты. В воздухе такими продуктами радиационно-химических реакций могут быть озон и окислы азота, которые являются основным модифицирующим агентом при кислородных эффектах. Таким образом, основой химической защиты, используемой в радиобиологии, является взаимодействиерадиопротекторов и радиосенсибилизаторов с этими веществами, в первую очередь с окислами азота. Наиболее эффективными радиопротекторами в радиобиологии являются серусодержащиевещества органического и неорганического происхождения. Таким образом,универсальность явления кислородного эффекта позволяет разработать новый способ изготовлення полупроводникового газового детектора окисловазота, заключающийся в сенсибилизации полупроводника...

Номер патента: 339248

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Акперов, Именков, Ордена, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 29/06

Метки: индуктивный, полупроводниковый, элемент

...зоны на 25 границе с первым полупроводниковым слоембольше, чем ширина запретной зоны первого полупроводника, и плавно уменыпается по направлению к омическому контакту, Металлические слои образуют с прилегающими к ним ЗО полупроводниковыми слоями омический кон339248 Предмет изобретения Составитель Л, КотТекред Т, Миронова Корректоры Е, Талалаева и В. ЖолудеваРедактор Т. Орловская Заказ 824/1 Изд. Ме 1239 Тираж 780 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытии при Сонете Министров СССР Москва, Ж, Раушская иаб д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 такт. Между двумя полупроводниковыми материалами. имеется потенциальный барьер.Полупроводниковый прибор с управляемым реактивным сопротивлением состоит из слоя индия, слоя...

Номер патента: 966822

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Бендер, Домашенко, Охотников, Фомичев

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающим, полупроводниковым, элементом

...5 и конденсатора 6, при" чем параллельно конденсатору 6 под- ключен резистор 7. При этом катод ди р ода 4, резистор 7, конденсатор 6 .и .второй выходной вывод переключающего элемента 2 подключены к общей шине.Устройство работает следующим образом. 2При включении переключающего элемента 2 на выводе импульсного трансформатора 1, соединенном с катодом .первого диода 3, появляется отрица" тельный потенциал. При этом первый :в диод открывается и начинается этапнакопления заряда в базе диода 3 см.фиг. 2). Характер нарастания тока, протекающего через диод 3 в начале этапа накопления заряда, определяется только индуктивностью 5. Далеепо мере заряда конденсатора 6 на резисторе 7 нарастает напряжение. Величина тока церез диод 3 в этот...

Номер патента: 1372518

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Абрамова, Охотников, Плешко

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающим, полупроводниковым, элементом

...питания непосредственно определяется величиной тока, протекающего от положительного выводаисточника питания через сопротивление 3 нагрузки, переключающий элемент1 к отрицательному выводу источника питания,После подачи команды на выключение переключающего элемента начинает падать ток, протекающий через него, в результате чего меняется знак напряжения на обмотке трансформатора тока, и потенциал в точке соединения переключающего элемента (ПЭ) 1 нагрузки 3 и катода анода 4 становится ниже уровня минусового питающего напряжения и будет оставаться таким до окончания этапа рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе диода 4 при протекании прямого тока и восстановлении обратного сопротивления.На фиг. 2 показано, что при...

Номер патента: 1569614

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Буланов, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, чувствительный, элемент

...служит буртик 9 (уто:пиенаяпериФерийная часть мембраны) .Упругийэлемент имеет геометрические размеры:толщину Н, толщину мембраны 1 т рас.стояние между выступамк, а также между выступами и краем мембраы - с 1,ширина тензорезисторов Ь, Чувствительный элемент содержит, кроме того, за Ощитный изоляционный слой, например,80, покрывающкй поверхнос гь упругого элемента, и слой контактной металлизации, соединяющий тецзорезисторыдруг с другом и с внешней схемой, 45Чувствительный элемент работаетследующим образом,При подаче измеряемого параметра,например, давления Р на мембрануона деформируется, Деформация мембра 50ны передается тензорезксторам 5-18,которые изменяют свое опротивлецие,причем благодаря малой нелинейности зависимости соротивленкя...