Сосссгэснаяпдш; не”теаа;: е пая ги5лио”гкл

Номер патента: 695531

Опубликовано: 30.10.1979

Автор: Бернхард

МПК: B01J 17/06

Метки: кремния, кристаллов, пластинчатых

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Я(-35, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 100 К 100 Р,70 мм. С помощью индукционного нагревателя из графита в виде трубы нагревают литейную форму перед заливкой в нее расплава и одновременно дно формы охлаждают с помощью медной плиты, охлаждаемой водой, таким образом, чтобы поверхность формы, контактирующая с большей поверхностью расплава, имела температуру около 800 С, Свободную поверхность расплава подвергают воздействию теплового излучения нагретой до 1500 С графитовой пластины, установленной на расстоянии около 2 см от поверхности расплава. Расплав кремния кристаллизуется при этих условиях, не смачивая графитовой формы. 3 акристаллизовавшуюся пластину кремния медленно...

Номер патента: 1431392

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Горилецкий, Неменов, Панова, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...1 анаьТаким же способом при предлагаемьех,значениях технологических етараметровполучецье моцокристаллы йодистого цезия, н ИК-спектре пропусканил которыхотсутствуют 1 еолосы поглощения кислородсодержащих приееесей,Сравнительные данцьее способов по"лученил нысокопраэрачееьех моееокреесталлов по предлагаемому способу и прототипу представлены н табл,. следует из табл.1 способ ет выращивать нысокопрозкристаллы беэ исцользонасеечньех и агрессивных соеди гряэееяющих Окружающую сред нодительееьее затраты времен отонку расеыеана к нырашина док меееьше, чем у иэнестны н,ерозрачцости монокрис" ида калия, ныращенцых ех технологических пара-, ставлены в табл.2.следует, что выход за начения предлагаемых панодит к усложнению тех" цологического...

Номер патента: 1551749

Опубликовано: 23.03.1990

Автор: Рогальский

МПК: C30B 15/34

Метки: композиций, кристаллов, профилированных, эвтектических

...на токарномстанке, шлифуют на наждачной бумагес зерном 50/40, 40/28, 28/20, а затем полируют алмазными пастая с зерном 14/10, 10/7, 7/5, 5/3, 2/1,1/О мкм,Капиллярные каналы 7 изготовлены 25из платиновой трубки внутренним диаметром 0,9 10 м, а наружным 1,1"10 м, длиной 2,5 10 м и закреплены на боковой поверхности формообразователя 5 с помощью закрепляющих колец, изготовленных иэ материала, невзаимодействующего с расплавом, в данном случае из молибдена.В углубление тигля 1 устанавливают формообразователь 5, вокруг которого размещают кристаллы ИаГ и СаГв соотношении 58 и 42 об.Б, что соответствует соотношению компонентовв точке энтектики. Затем тигель 1устанавливают ца подставку 2 и помещают в нагреватель 3, после чего припомощи...

Номер патента: 1763526

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Нищий

МПК: C30B 23/00, C30B 29/62

Метки: игольчатых, кристаллов

...температуру повышают до 1 200 и полученную воздушно-аэрозольную смесь охлаждают до 14-15 С,Способ осуществляют следующим образом. Для получения аэр новую лодочку заклад лического цинка. Прогрев металла, пр для получения аэрозолей чах СУОЛ - 1/2-25 с автома ровкой температурных ре помещается в титановых л печи размещены кварцевь ненные со специальнымЗаказ 3432 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 для охлаждения полученных испаренныхаэрозолей металлов;В печи металл расплавляютдо 800 С, досостояния "возгонов" (испарения), затем через реометры подают воздушно-аргоннуюсмесь...

Номер патента: 1805700

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Андреев, Ванышев, Голенко, Полянский, Яроцкая

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: кристаллов, окрашенных, оксидов, тугоплавких

...3-5 мм около стенок и у дна холодного контейнера. Время выдержки зависит от химического состава шихты и объема расплава, При выдержке менее 0,1 ч возможно образование дефектных кристаллов из-за непроплавления шихты, выдержка более 0,3 ч неэффективна.Определение объема переходного слоя расплава производилось опытным путем. Установлено, что оптимальные результаты получаются при кристаллизации 50-90;4 объема расплава, В опытах с кристаллизацией более 90;4 объема расплава в зоне переходной структуры наблюдалось нарушение монокристалльного роста, При кристаллизации менее 50;4 объема расплава уменьшается количество затравочных кристаллов и увеличивается зона переходной окраски.Для получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов на...