Инжекционный лазер

(59 4 Н 01 Я 3 19 тю ццпь. .ИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ мкм25 мкЛазерс яи выпв дли5-20 по и.1,тличаю -ысокоомныеиде параллелеравлению гененой 1-10 мкм.,2 щии обла пипед рации т олнены в ной по н УДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54)(57) 1. ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР наоснове полупроводниковой структурыс отражающими торцами и металлическими контактами, включающий двепассивные области, между которымизаключена активная область, образующая с одной из них р-н-переход, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с . целью повышения выходной мощности в одномодовом режиме и сужения диаграммы направленности, в объеме одной из.пассивных и активной областей сформированы высокоомные области, образующие периодическую структуру с периодом по направлению генерации 1(50 а в поперечном направле35 золота. Изобретение относится к областиустройств со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым устройствам для генерирования,усиления, модуляции излучения, иможет быть использовано в волоконно-оптических линиях связи, системах оптического гетеродинного детектирования, оптических гироскопах, 10голографии и т.д,Целью изобретения является повышение выходной мощности излученияприбора в одномодовом режиме и сужение диаграммы направленности лазерного излучения.На фиг,1 изображен предлагаемыйинжекционный лазер; на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1.На подложке 1 последовательно 20расположены нижняя пассивная область 2, активная область 3, р-и-переход 4, верхняя пассивная область 5.На обеих сторонах структуры расположены сплошные токовые контакты б., 25В объеме верхней пассивной 5 и активной 2 областей расположены зоны 7 с высоким удельным сопротивлением.Инжекционный лазер работает следующим образом. При пропускании тока через контакты 6 носители распространяются в основном между зонами 7с высоким удельным сопротивлением.Далее носители тока инжектируютсячерез р-п-переход 4 в активную область 3, где преимущественно излучательно рекомбинируют. В результате,протекания инжекционного тока в активной области между зонами 7 с высоким удельным сопротивлением показатель преломления активной области 3 снижается . С учетом того, чтокоэффициент преломления зон с высоким сопротивлением больше, чем коэффициент преломления материала активной области, причем эта разница увеличивается при инжекции носителей вактивную область, получена возможность частичной локализации лазерного излучения между зонами с высоким сопротивЛением и осуществленияволноводного механизма с "растеканием" мод. Лазерная генерация получается в том направлении, где эффективнее оптическая обратная связь,т.е. выше коэффициент отражения зеркал резонатора,Инжекционный лазер может быть изготовлен на основе системы ОаАз/ОаАЗ.Аз. На ориентированной в плоскости (100) и-ОаАз подложке 1 выращивается полупроводниковая структура,представляющая собой последовательно расположенные слои: п-ОаАз, подслой толщиной 7,5 мкм и п-Са,АЗ.,Аяат озограничивающий слой толщиной 2,5 мкм,которые составляют нижнюю пассинуюобласть 2, СаАз - активная областьтолщиной 0,3 мкм и р-и-переход 4,образованный между этим слоем иверхней пассивной областью 5; р-Оа хх АЗ,Аз ограничивающий слой толщиной 1,0 мкм и р-СаАз контактныйслой толщиной 1,2 мкм составляютверхнюю пассивную область 5,При помощи металлической маскис прямоугольными отверстиями и ионной бомбардировки с последующим отжигом лазером создаются зоны 7 высокого удельного сопротивления. Полученные зоны расположены в верхнейпассивной 5,и активной 2 областях повсему объему структуры. После отжига с двух сторон структуры напыляются сплошные токовые контакты б из1179875 Техред ИеДидык Корректор С.Некмар Редактор П,Горькова Заказ 4358 Тираж 625 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5