Штернберг
Способ поддержания постоянства расхода флотореагентов цианплава и цинкового купороса
Номер патента: 126431
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Калмаков, Хан, Штернберг
МПК: B01J 4/02, B03D 1/14, G01F 9/00 ...
Метки: купороса, поддержания, постоянства, расхода, флотореагентов, цианплава, цинкового
...на выходе, Пневматический импульс, пропорциональный остаточной концентрации циан-ионов пульпе, через байпасную панель 3 подается на регулирующий клапан 4, установленный на линии подачи цианплава в технологический процесс. Расход цианплава фиксируется ротаметром 5 с пневматическим выходом. Пневматический сигнал с ротаметра через блок б соотношения, входящий в комплект системы ретулирования АУС, при помощи которого устанавливается заданное соотношение реагентов, подается в регулирующий блок 7, В блок 7 поступает также пневматический сигнал с выхода ротаметра 8, пропорциональный расходу цинкового купороса, Регулирующий блок 7 через байпасную панель 9 управляет регулирующим клапаном 10, установленным на линии. подачи цинкового купороса в 1...
Инструмент для наложения тонкостенных металлических оболочек на провода, кабели и для изготовления тонкостенных труб
Номер патента: 124404
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Штернберг, Эдельман
МПК: B21C 23/08, B21C 23/26
Метки: инструмент, кабели, металлических, наложения, оболочек, провода, тонкостенных, труб
...полый болт и втулку с опорным фланцем в центральный канал дорна. Давлением прессуемого металла втулка прижимается к корпусу дорна. Для симметричного поступления металла в камеру сварки в корпусе дорна имеются четыре канала. Дорн и матрицы опираются на упорный болт, закрепленный в переднем патроне корпуса головки. Обогрев прессовой головки осуществляется электронагревателями сопротивления.Нагретая алюминиевая заготовка загружается в головку. Под давлением, передаваемым на металл пуансоном, алюминий заполняет полость головки и по каналам дорна попадает в камеру сварки, где сваривается вокруг носка дорна и в виде оболочки подается через кольцевой зазор, образованный носком дорна и матрицей.При этом давление металла у входа в полость...
Рекуператор для подогрева ваграночного дутья
Номер патента: 113769
Опубликовано: 01.01.1958
Автор: Штернберг
МПК: F27B 1/22
Метки: ваграночного, дутья, подогрева, рекуператор
...8, затем по трубопроводу 4 - в циклон-воздухонагреватель 5. Из него по трубопроводу 6 газы проникают в камеру горения 7, далее - в комбинированный рекуператор 8, камеру сгорания 9, комбинированный рекуператор 10, по трубопроводу 11 в камеру тонкой очистки газов 12, по трубопроводу 18 в дымосос 14 и в вытяжную трубу 15.Воздух вентилятором 16 по трубопроводу 17 поступает в рекуператоры 8 и 10, далее в циклон 5, а за тем трубопроводом 18 в фурменную коробку 19.Наличие каждой камеры дожигания для каждой секции рекуператора позволяет регулировать количество дожигаемой окиси углерода путем подвода в каждую камеру горения соответствующего количества воздуха из расчета, чтобы температура дымовых газов в каждой камере не превышала 700 -...
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок
Номер патента: 101189
Опубликовано: 01.01.1955
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: C30B 29/56, C30B 7/00
Метки: виннокислого, выращивания, затравок, калия, кристаллов, последних, этих
...образованному пересечением грс 1 и С(00) иииаода с одной 1;.; б:.:с-. - рорастущих граней диэдра.Полученные таким образом затравки при выращивании кристаллов располяга отся на плоском кристал;Оносцс тяк, что оы Грань, Охтядяощая на;большей скоростью роста, была направлена наружу.Сущнос; изобретения поясняется 1 ертежом, изобряжяющ 1 м полю 1 О естественнуо форму кристалла ":инокислого калия.Как показа;и исследования, скорости роста различных граней кристалла виинокислого кал.я сущестгеино различны.ДЛЯ ПООИЗЬОДСТВа ЖЕЛЯТЕЛЬНО иметь кристаллы, имсО 1 цис широкие, хорошо развитые гря;и С. Зто обусловлено тем, что пластины д,.я пье зорезснаторов выреза;отся -араллельно этой грани так, ;то д,-,иня их состазляет угол г 45 с высотой...
Способ выращивания кристаллов
Номер патента: 101179
Опубликовано: 01.01.1955
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: C30B 29/56, C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
...явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера пред,.1 агается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразЛ/450364 в Министерстредств связи ные углубления (карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.Для осу 1 пествленця предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилецдиамцна, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. Прц этом образуется несколько пластин треугольной...
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов
Номер патента: 100988
Опубликовано: 01.01.1955
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: C30B 29/14, C30B 7/00
Метки: выращивания, затравок, кристаллов
...выращивания кристаллов весьма вакен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяющий выращивать однородные лишенные дефектов кристаллы, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, опредсляемые требованиями производства.Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая ориентировка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.В частности, в случае использования фосфата аммония, кристаллы которого, как уже указывалось, имеют вид призм квадратного сече:н я, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами,...
Способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа
Номер патента: 96144
Опубликовано: 01.01.1953
Автор: Штернберг
МПК: C30B 7/02
Метки: выращивания, кристаллов, способа, этого
...1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг...
Способ выращивания однородных кристаллов виннокислого этилендиамина
Номер патента: 88624
Опубликовано: 01.01.1950
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: C07C 209/84, C07C 211/10, C07C 211/63 ...
Метки: виннокислого, выращивания, кристаллов, однородных, этилендиамина
...температуру пересыщения, что позволяет получать однородные кристаллы, обладающие высокими пьезоэлектрическими показателями.Особенность выращивания больших однородных кристаллов виннокислого этилендиамина заключается в способности этого материала образовывать чистые, лишенные неоднородностей, кристаллы при пересыщении раствора, превышающем некоторое минимальное критическое значение. СВИДЕТЕЛЬСТ ДНОГОДНЫХ КЕИС 1 АДЛОВЗТИЛ ЕНДИАМИ НА.м 1 ьбос.ехку СС Киста;ьль оольшцьсства веществ как правило, хорошо образуются из слабо пересыщенных растворов. С увеличением пересыщеция раствора скорость роста кристаллов возрастает. Однако при некоторой пределыо (для данных условяь) степени пересыщсция образование чистых, однородных кристаллов...
Способ крепления проволочных держателей к пьезоэлектрической пластине
Номер патента: 91033
Опубликовано: 01.01.1950
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: H03H 3/02
Метки: держателей, крепления, пластине, проволочных, пьезоэлектрической
...и л Оакаи 1203. По 11 и 1 с 27 1-1055 г 1.1+сЬ 1 ООО. цена 25 коп,ГО А,.а;ы рк т 1;ог)Яф 151 о 2 М 11)Исто)ств 1 1)гг.т"1)111 Чтвапско 1 АССР. И Я ДСЖНОГО СОЕДИ 1 ЕИ 51, ТЯЕ Еспе ЛЕТЯ.1)5 ЧЕСКИЙ С)ой ОКЯЗЫВЯЕТСЯ ПЕе епрО НО сцспленнымй кристалличесео поверх 110 стыо.Предлагается способ припаивания проволочных держателей В уз- ЛОВЫХ ТОЧКЯХ )ИСТЯЛЛИ 1 ЕСЕИХ ПЛЯСТИН, ООССПЕЧИВЯЮЩИЙ ПРОЧНОЕ П 2. дсеное крепление.НЯ пластины из раствори:,пх ристаллов наносится металличес 5 с пят 10 п 1)и похОщи р 2 стВОрения пОВерхности кристалла и Ведрения В неГО хЯссь мс. 1:их металлических частиц, П)и рястВОрснии поверхности кэистялля частицы порошеообразного металла, например, серебра проникают па пскоторую глубину. Г 1 орошкообразное серебро замешивается...
Способ отжига чугуна
Номер патента: 77336
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Штернберг
...окисление, пережог, оплавление и короб- ление изделий, спекание упаковочного матераила с отливками и ббльший износ кладки печи, Кроме того в условиях высокой температуры трудно исключить колебания температуры в пределах 50 в 1 С,В связи с этим томление чугуна в печах при температуре выше 1000 С не применяется.Предлагается производить отжиг чугуна при температуре 1000 в 11 С в расплавленных средах, например, галоидных солях обеспечивающих рьвномерзый и всесторонний обогрев изделий (отклонения в пределах 5 - 10) и защищающих их от окисления и пережога.Отжиг отливок из белого чугуна проводится следующим образом.Отливки из белого чугуна погружают в ванну расплавленных солей (преимущественно галоидных) и поднимают температуру ванны до...
Устройство для выращивания кристаллических блоков
Номер патента: 76654
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Штернберг
МПК: C03B 7/02
Метки: блоков, выращивания, кристаллических
...кристаллический блок 1 одним своим концом соприкасается с быстро движущейся (3 - 4 м в секунду) резиновой лентой 2.Движение ленты обеспечивается ведущим шкивом 3 и четырьмя направляющими роликами 4, Рабочая поверхность ленты, омывается свежим раствором при соприкосновении ее с вращающимся в обратном направлении валиком 5, частично опущенным в нагретый до температуры 40 - 45 С слегка .недосыщенный раствор.Избыток раствора с валика 5 и ленты 2 снимается резиновыми совками б,Смоченная горячим и почти насыщенным раствором движущаяся лента обдувается струей воздуха, например при помощи вентилятора 7, В результате частичного испарения,растворителя и охлаждения раствор,на поверхности ленты стано. вится насыщенным и в таком виде приходит:в...
Способ и устройство для выращивания кристаллов
Номер патента: 72182
Опубликовано: 01.01.1948
Автор: Штернберг
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
...исключает необходимость тратить время на рсгенергцшо затравкиКрпсталлик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкуюшпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосцс, врастая в пазы.При пепрсрывном вращении кристалла со скоростью 30 - 60 аб/иин происходит его рост при снижении температуры раствора.Вначале устанавливается температура на 1,5 ниже температуры насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10,ил 1 в сутки по оси 7. тля поддержания этого псресыщения суточный спад темпера гуры рассчитан по формуле;= / 2 где Р и - искомая температура; х - длительность роста в сутках; Р - объем раствора; Рв - исходная температура.72182 Предмет изобретения 1. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли,...