Поздняков
Способ обработки кварца травлением
Номер патента: 102481
Опубликовано: 01.01.1956
Авторы: Поздняков, Покровская
МПК: H03H 3/02
Метки: кварца, травлением
...%-ный раствор агретый д 5) т)ищ)и и;51 )толенни ньезокварцеых ДЕЛИй е НОМО)ЦЬЮ ТРНВЛЕННЯ МОЖНО ВЫЯВить неодн 01)одность кВ)1 рцевь 1 х к 1)истл;1- ЛОВ (ДВО 11 НИКИ. СВИЛИ Н ПРОЧ. ДЕфЕКтЫ). повысить прочность: цепленпя с нанесенным металлическим слоем. повысить стабильность частоть 1 пластин во времени и производить предварительную подгонк) частоты кварцевых пластин.Обычно травление кристаллов 1515,1; ца И К)51 ЦЕ 1 Х ПЛНСГИН 1 Ц)ОИЗВОДЯТ ПЛО- иковой кислоте, которая обл;цвет ее- ма сильными токсическими со)1 ст)55)м 51.11 оэте)1 у применение ее в кварцевом производстве крайне нежелательно.В 1)редлагаемом способе в качестве тр19.и Нарцо иг)1 ользуюГ 1)одн 1 и 30 - 10 ,",)-ный раствор двухфтористого калия, нагретого до температуры 60 -...
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок
Номер патента: 101189
Опубликовано: 01.01.1955
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: C30B 29/56, C30B 7/00
Метки: виннокислого, выращивания, затравок, калия, кристаллов, последних, этих
...образованному пересечением грс 1 и С(00) иииаода с одной 1;.; б:.:с-. - рорастущих граней диэдра.Полученные таким образом затравки при выращивании кристаллов располяга отся на плоском кристал;Оносцс тяк, что оы Грань, Охтядяощая на;большей скоростью роста, была направлена наружу.Сущнос; изобретения поясняется 1 ертежом, изобряжяющ 1 м полю 1 О естественнуо форму кристалла ":инокислого калия.Как показа;и исследования, скорости роста различных граней кристалла виинокислого кал.я сущестгеино различны.ДЛЯ ПООИЗЬОДСТВа ЖЕЛЯТЕЛЬНО иметь кристаллы, имсО 1 цис широкие, хорошо развитые гря;и С. Зто обусловлено тем, что пластины д,.я пье зорезснаторов выреза;отся -араллельно этой грани так, ;то д,-,иня их состазляет угол г 45 с высотой...
Способ выращивания кристаллов
Номер патента: 101179
Опубликовано: 01.01.1955
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: C30B 29/56, C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
...явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера пред,.1 агается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразЛ/450364 в Министерстредств связи ные углубления (карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.Для осу 1 пествленця предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилецдиамцна, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. Прц этом образуется несколько пластин треугольной...
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов
Номер патента: 100988
Опубликовано: 01.01.1955
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: C30B 29/14, C30B 7/00
Метки: выращивания, затравок, кристаллов
...выращивания кристаллов весьма вакен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяющий выращивать однородные лишенные дефектов кристаллы, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, опредсляемые требованиями производства.Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая ориентировка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.В частности, в случае использования фосфата аммония, кристаллы которого, как уже указывалось, имеют вид призм квадратного сече:н я, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами,...
Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа
Номер патента: 100124
Опубликовано: 01.01.1955
Автор: Поздняков
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, способа, этого
...заканчивается отростком 2, сияружи которого рзсио- ЛОЖЕН ЭЛЕКтрИЧЕСКИй ИЯГрСВатепп. о, иагреваюший раствор в отростк, до температуры, прсвышающс и тс 1 иср- туру раствор в кристяллизаторс. С помощью электроиягреватс;1 я т и терморегулиру 1 оиего устройств (и 1 чертеже ис ио 1 сяз 11 и) достигается и поддерживается иужиая тсмперятура раствора и кристаллизаторс. сс)ез к 1 зыпку 1 с 1)истяллизятор 11 Грс 1 ходит ось б кристллоиосця, которая имеет постояисюс или рсвсрсивиос вр;нцси ис. Кристаллизуемос всцсство вводится в кристаллизатор чсрсз трубку б, проходяпую сквозь крышку.Вводмыс в кристаллизятор чстицы кристаллизусмого вссцсств, п- дая на диище, скатываются ио сго коиичсской повсрхиости вниз и иои- дают в отросток, гдс происходит их...
Светящийся пьезоэлектрический резонатор
Номер патента: 98376
Опубликовано: 01.01.1954
Авторы: Бронникова, Поздняков
МПК: H03H 3/04
Метки: пьезоэлектрический, резонатор, светящийся
...в качестве эталона при контроле и измерении частоты электрических колебашш,Конструкция предлагаемого резонатора, по сравнению с известными, более проста и вместе с те;т оосспечивает повышение его стаоильности по частоте.Это достигастся благодаря тому, что электроды резонатора танесены на поверхност, кристаллической пластины за исключением мест наибольших механических напряжений для возоуждения в этих местах свечения, вызываемого ионизацией газа.Удаление электродов в местах наибольших механических ттяпряжений вызывает появление на оголенной поверхности кристалла значительных электрических зарядов. Это обусловливает возникновение больших градиентов электрического поля, способствующих интенсивной ионизации газа, вследствие чего...
Способ выращивания кристаллов
Номер патента: 98040
Опубликовано: 01.01.1954
Автор: Поздняков
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
...от скорости притока свежего пересыщенного раствора к поверхности растущих кристаллов, Перемещение кристалла относительно раствора способствует росту за счет отвода от его поверхностей пленки обедненного, слабо- насыщенного раствора и прдтока свежего раствора, имеющего большее пересыщ ение.Известные способы выращивания кристаллов, в целях быстрого восстановления пересыщендя вокруг растущего кристалла, предусматривают пер емешпвание раствора или вращение кристалла в растворе.Предлагаемый способ позволяет повысить скорости роста кристаллов благодаря тому, что кристаллы в процессе роста приводят в колебательное движение, причем это движение может осуществляться с большой частотой от десятков герц до десятков килогерц и сочетаться с...
Способ крепления проволочных держателей к кристаллическим пластинам пьезоэлектрических резонаторов
Номер патента: 97859
Опубликовано: 01.01.1954
Авторы: Бронникова, Поздняков
МПК: H03H 3/02
Метки: держателей, крепления, кристаллическим, пластинам, проволочных, пьезоэлектрических, резонаторов
...ЛИЧССКИМП П 111 СТП)КДМ 11, ПУТСМ длительного, нагревания их при тсмпердтуре около 100.При осх цСствленпи пред,а г;с.ого способа к кристаллическим пластинам приклспваот при помоци органического клея (например, клея нд основе бутварофсночьных см л с малым содержанием плястификаторд типа БФ 1 крхглыс мста,сические пластинки толципой 0,1 - 0,2 11,1 и диаметром 1,5 - 2,5,.1. Кристаллические пластины с приклеенными к ним круглыми металлическими пластинками подвергают затем нагреванию в течение 4 - 6 дней при температуре 80 в 1.С целью ускорения процесса, можно чередовать нагревание пластины с кратковременными охгаждениями до комнатной или более низкой температуры пли применятьЛа 97859 П 1) с д и е т и 3 О 0 р с т с и и 51 Комитет но делам...
Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа
Номер патента: 96229
Опубликовано: 01.01.1953
Автор: Поздняков
МПК: C30B 7/02
Метки: выращивания, кристаллов, растворов, способа, этого
...5 ГС)3(".,СП 1 И В 111151 )3.СГВОРс 3 15 СЛ" , - с Я С 1 ( П ОД В П Е 1 Н)103 с С П ОЛ 0 Ж (П 51 кристялгов) .1 ц)ьпЗе 3 Оячкс 1 ) я 55 ястся 0;(335 ИСМЕП 30 ЕПД(13 СсТО)30) ПЯ)ОВ Ря(Т ГСГ 51, 5, и 1(ГО (313 33 С 13 сОЖС 3 Я 1503;3 ЛИПЦ М: Г П ВО 5 ИЦ;1 (3(Г и ,1; 1".- ГГСГ 1 4 И С(3033;3(3135 531 С;(с,;,; , (3-) ж( ло я,б). 31(;рс ( (;о)31:3 к ) гстойник б - служит для задержания частиц нерастворешюго кристяллизусмого вещества. Вмонтированные в крышо воронки 7 и 8 предназначены для ввода В ко:дспсят твердого кр 1 Стал.1 изуе)Ог) вещества и растворителя.(.ОгсЯсн изоорстснию,вспиос выращивание кристаллов пз рдстьоря крпстяллпзуемого вещества ОСУ 1 ПССТВЛЯСТС 51 ПРИ ПОМОЩИ ОППСЯН- ного устройства следующим образом.Испаряясь из раствора,...
Пьезоэлектрический резонатор
Номер патента: 96100
Опубликовано: 01.01.1953
Автор: Поздняков
МПК: H03H 3/04
Метки: пьезоэлектрический, резонатор
...5 З:;.Я;:07,.: .сЕН 51 Сах;О,:;ндукц;ги толггиня мсокет,в ряде слусгяев иметь нежелательные или ДЯ 51 С ССВЗРПган 510 51 Р 1 РгссМЛЕЪЬЕ Рс 1 ЗМРРЫ, Нас ЭЛМЕ", ПРГИ ОСУЩЕСТВЛЕНИИ развеяТ 07 р 7 ов . Бьгсоким; зггячен:; я ми зг:зивялентноЙ Нндуктивности,.ж,Ями размера:551, сгтГ 7 крайНе неткелательно, гак как спластиньг боль- П;Ой толпа 51 сг, ИГМЕ 1 ОПИЕ ЗНЯЧИТЕ ППуго МЯС, 5 МЕЮ ПОНижаггиуО МЕХЯ ИсгсСКугг 7 .".с 7 с;50.11, - 7Об,1 гсгоМ Кргг 05 И 1; МОНтаж тЯКИХ ПлаСтИН(припа 5 ВЯ 5 ие дерхкателеЙ) затруднт гелен и требует особой осторожНОсттии эгимани 51 Наконец, прн собтнопениях толпгны к ши 7 ине,бли."кнх к одчипе, .Вознка 10 т некелатель 1 ые дополни 5 пельн 1 е резонанСЫ.3.ЗССТ;11 .1 ЕЗОЭ 5 СКГРНЧЕСККЕ РВЗОНЯОРЫ В КОТОРЫХ, С ЦЕЛЬО...
Способ нанесения электродов из сусального металла на пластины пьезоэлектрика или диэлектрика
Номер патента: 96067
Опубликовано: 01.01.1953
Автор: Поздняков
МПК: H03H 3/02
Метки: диэлектрика, металла, нанесения, пластины, пьезоэлектрика, сусального, электродов
...клеящих веществ прц нанесении сусального металла ца поверхность пьезоэлектрцка обычно не удается, вследствие малой механической прочности сусального металла, толщина которого составляет менее одного микрона.Предлагаемый способ нанесения сусального металла на пластины из пьсзоэлектрика илц диэлектрика с помощью клеящих веществ позво- 2 Мв 9 б 067 П 1)слмст изоорстеии 51 Комитет ио делам изобретений и открытий лри Совете Министров СССР)тв, ре:иктор В. Л. ПваноиИнформационно-и:)да) ельс сия отдел. Поди. к и;н 1) -1),;и ).Объем 0,12) и. л. вя)к. 2.5:я Тирк ,й), Исиа "5 к)и,Гор, Алатырь, типография М 2 Министерства культуры 51 ува)иска АССР,ляса осуи 1 сствк 5 ть процесс ианессии 51 б)ыстро и Осз порчи суса;11 ц 01 О металла, а также...
Способ выращивания пьезоэлектрических кристаллов однозамещенного фосфата аммония
Номер патента: 95747
Опубликовано: 01.01.1953
Автор: Поздняков
МПК: C30B 29/14, C30B 7/04
Метки: аммония, выращивания, кристаллов, однозамещенного, пьезоэлектрических, фосфата
...ОГН,)Н(;:;, ; Н(,;, 1;сс)ЯЛОВ (1)Ос(1)Н)151 (1)Г)с)1 Ср 1) 110- 11(Р(:;Ч)И 1 ( ) 1(1,(. И,11 с),0 301 А с) 1. 1, . 1 1: . 1ГО В( д)101 0 РЯСГВОРс -.то.1 СЛИ В 1)ОГ)СС( 1)Ос 1 Я и)1 СтсГЛОВ 11(1(.ЕГ 1(СГО явлс)И(. БЫ 1 т И 1111) Я 1)я, с)С )1(ГЧ Я:) СЕС 51 В 11 Г)с- )(1 с 111(.ИИ ХрисЯ, Ь(1;3 Гр. 5 Ы С 110 Ч 311 )с 11(Ы 11 0:,НОВ.НЯМ 1 )ИРЯ 1 ГУ.Пр(.ЛГягясмыЙ с)ос. о Вы)Г)Цива) И 51 1103 ВОГ 5(.1 СТР с)1 ИГ и ВЛ СНИЕ Способ Выращивания пьезоьлек- ТРИЧЕСКИК КР 11 СТ 11;ОВ (ДНО:)ЯЕЦЕННОГО фОСфЯТЯ с.Мл 101)и ИЗ 1)ЕРЕСЫЦЕШОГО Рс)С 1:)ОРЯ Зто. С;ЛИ, О т Л и- Ч Я ГО ЩИ Й С я тЕМ с)тс) С )ГЕЛЬ)0 ПОВЫКЛИН)Вс 111 И) В НОЦ(.ОСЕ 1). . а КРНСТЯГЛОВ.ЭГО ДОСТИГс 1 СТСЯ ОЛснОДЯ)Я ВВЕДСИИ 0 В Нс 1 СЫ 1 ЦЕ 111 ЫЙ РЯСТВ 0) )10 вс- ененного фосфата...
Приспособление к дозировочному бункеру для автоматического выключения механизма его питания
Номер патента: 93482
Опубликовано: 01.01.1952
Автор: Поздняков
МПК: B65D 90/22
Метки: бункеру, выключения, дозировочному, механизма, питания
...прикреплена обойма (7) с двумя блоками, через которые переброшен шнур. Один конец шнура крепится к верхней кромке досгц (5), а ко второму концу его подвешен груз (8).Перез доску (5) проходит рычагс отогнутым концом, выступающим снарудоски; второц конец рычага (9) здо пусковой кнопки (3).К доске (2) прикреплены две стойки (10) й (1 1). Стойка (1 1) несет ось (12), на которую поворотно надет рычаг (13), пмеющцц Форму буквы Х. Одна, короткая, полка рычага доходит до кнопки (4) выключения, а другая, длинная, выступает впереди доски (5) бункера п связана пружиной (14) со стойкой (10). Концы рычагов (9) и (13), обращенные к кнопкам (3) и (4), снаб;кены амортизирующими пружпнамп (15).Приспособленце работает следующим образом.Когда бункер...
Устройство для механизированной пробивки отверстий в каменных стенах
Номер патента: 93333
Опубликовано: 01.01.1952
Автор: Поздняков
МПК: B25D 11/10, E21C 37/18
Метки: каменных, механизированной, отверстий, пробивки, стенах
...кулачки ишйоы 6 11)скгг Гаклоии) о ио 1 Срхиост 1, 11 ДНИМ 15 Си .10 КО О)ОИ, Г 11 РИКОПОД- иипиики с)1:имают удярнук) 1 ру)кину 1, поднимают ударную втулку 4 и ведущук) зубчатку 3, которая входит в зацеилсГше с ведомой зубчаткой 7. Последня насажен;1 своим квадратным отверстием на квадрат хвостика штока 8, связанного с узариым штоко. 9, и производит при 11 цс:ленин ново)дчГН)ГИ 1 ие и)1 нскто)В 111 С ГО,1 удяного и)тока ; в)уоовь. наконечнике).Когд шдрикоподиГиинГКи,) сбсгд- ОГ с крхтои стороны КБдГКОВ кулачковои шайбы 6, ударная втулка 4 иод дсиствисм пружины 1 возврац 1 стс 51 В исходное по,южсиие и , конечной точке своего пути производит удар по Итоку 8 ударной втулки 4.Количество ударов оудет равно числу оборотов электоодрсли,...
Пьезоэлектрический элемент
Номер патента: 92505
Опубликовано: 01.01.1951
Автор: Поздняков
МПК: H01L 41/04
Метки: пьезоэлектрический, элемент
...между стеринбм и пластиной приводитк изгибу всей системы. Когда пластина удлиняется в направлении оои сте 1 лсня, система изгибается так, что выпуклость оказываетоя со стороны пластины. При сокращении пластины в том же направлении изгиб системы происходит в обратную сторону.Прикрепление второго стержня с другой стороны пластины в направлении, перпендикулярном направлению первого стержня, вызывает изгиб системы в том же направлении, что и при наличии одного стержня,В общем случае описываемый элемент представляет собой кристаллическую пластину любой формы (прямоугольную, квадратную, кругдую и тед.), к которой жестко прикреплены с обоих сторон в направлении наибольших деформаций два стержня или система параллельных стержней. Оси...
Способ выращивания однородных кристаллов виннокислого этилендиамина
Номер патента: 88624
Опубликовано: 01.01.1950
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: C07C 209/84, C07C 211/10, C07C 211/63 ...
Метки: виннокислого, выращивания, кристаллов, однородных, этилендиамина
...температуру пересыщения, что позволяет получать однородные кристаллы, обладающие высокими пьезоэлектрическими показателями.Особенность выращивания больших однородных кристаллов виннокислого этилендиамина заключается в способности этого материала образовывать чистые, лишенные неоднородностей, кристаллы при пересыщении раствора, превышающем некоторое минимальное критическое значение. СВИДЕТЕЛЬСТ ДНОГОДНЫХ КЕИС 1 АДЛОВЗТИЛ ЕНДИАМИ НА.м 1 ьбос.ехку СС Киста;ьль оольшцьсства веществ как правило, хорошо образуются из слабо пересыщенных растворов. С увеличением пересыщеция раствора скорость роста кристаллов возрастает. Однако при некоторой пределыо (для данных условяь) степени пересыщсция образование чистых, однородных кристаллов...
Способ распиловки пьезоэлектрических и других кристаллов
Номер патента: 87095
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Поздняков
МПК: H03H 3/02
Метки: других, кристаллов, пьезоэлектрических, распиловки
...с )1 ОкОЙ питью,В этих с:1) Я 51 )яспиловк) криста:1 лов поизводят пп помоши2 кидкостеЙ, Всуп(юп)их в хими 1 ескос взяпм)деЙствпс с ки("г(1 лом ивследствие эого рязрушян)ших его в мстс ряпила.Прсдлягя:5 ы споссб распиловки пьезоэлектрических и дрмгихк)Иста,1,Ов пи помоши Ждкостей, втпя)оп)их в хР.5 и 1 кое Взяимодецствие с кристаллом и разрушающим го вследствие этого В мсстераспила, позволяет значительно упростить распиловку кристаллов,повысить производптельносгь и в ряд( слу:Псв заменить дсфицптРыйалмазный инструмент.Отличительная особенность способы состоит в том, что пода 1 разруНР)юп 1 сй кистал жидкОсти к месту р яс 1 иг 151 Осуи(ств 151 от и) н помоши 11 епрерывно-гВи)кушейся нити, проволоки или пепл,1, смачпваемой в угомяРуто 1...
Способ подгонки частоты пьезорезонаторов
Номер патента: 85194
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Поздняков
МПК: H03H 3/04
Метки: подгонки, пьезорезонаторов, частоты
...невыполнимой, так как увслицспис размеров кристаллического элемегга представляет значительпыс затруднения. Общеизвестный жс способ изменения частотысобственных колебаний резонаторов основан на изменении (обычно - уменьшении) эквивалентноймассы резонатора.Предлагаемый способ позволяетумсньп 1 ит в зпацительных пределах собственную частоту кристалла, нс изменяя эквивалентной массырезонатора. По этому способу подгонки собсвенной цастоты колебаний пьсзорсзопатора в сторону понижен гя и ропзводится путем рас 1 илифовки поперечных выемок (канавок) в тс.ш резонатора, уменьшающих сго упругость.На ертеже показаны примерывыполнения таких канавок в резонаторах,Указанным способом удастся изменять резонансную частоту резонаторов в сторону...
Станок для распиловки растворимых кристаллов
Номер патента: 84679
Опубликовано: 01.01.1950
Авторы: Боярчук, Поздняков, Савкин
МПК: B28D 1/08
Метки: кристаллов, распиловки, растворимых, станок
...несколько одновременно работающих режущих участков. Для этой цели бесконечная нить натянута на систему врапяюшихся роликов таки образом, что опа образует несколько параллельных ветвей, осуществляющих одновременно большое количество (30 - 40 пропилов, Вследствие этого обеспечивается повышение про- ЗБОДТСЛЬНОСТИ СТЯНКЯ.На чертеже схематично изображен общий вид предлагас),ого станка для распиловки растворимых Кристаллов.На станин 1 расположены: ведущий ролик 2 со шкивом,3 дл 5 привода, сидящие на одной оси, направляющий ролик 4, натяжной ры яг,7 с расположешым на не 5 натя:спых роликом 6, суппорт 7 с зя)ки)ох для кристял;я, перекрещивяюпие )олики 8 и .9, губкоде жатель 10 и демпфирующсе устройство 11 для гашения впорацип...
Центроискатель
Номер патента: 84526
Опубликовано: 01.01.1950
Авторы: Поздняков, Смирнов, Цаценко
МПК: G01B 5/25
Метки: центроискатель
...вид; на фиг, 2 н 3 показаны примеры применения прибора.Центроискатель выполнен в виде двух расположенных под углом рамок 1 и 2 (фиг. 1) с направляющими, в которых подвижно смонтированы ползунки 3 и 4, скрепленные болтом 5 с центральным каналом б так, что появляется возможность взаимного перемещения одной рамки вдоль другой и изменения угла между ними. На одних концах рамок укреплены призмы 7. На противоположных им концах рамок подвижно установлены штоки 8 с пружинами 9, упирающимися в шайбы 10, Стрелка 11, укрепленная на штоке 8, показывает диаметр отверстия на шкале 12, нанесенной на каждой рамке.Принцип действия прибора основан на том, что перпендикуляры с и б, восстановленные из середины хорд в и г, пересекаются в центре О круга...
Пьезоэлектрический резонатор с электродами, нанесенными на поверхности кристаллической пластинки
Номер патента: 82541
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Поздняков
МПК: H03H 9/19
Метки: кристаллической, нанесенными, пластинки, поверхности, пьезоэлектрический, резонатор, электродами
...жс Образот бует и распределение элс 1 трпчсскихзар 5)доз, во;тИКаЮЩИХ В С ГЕР:.Кт; С ВС,"С Гт ВПЕ ПЬЕЗОЭЛЕКТ) ПЧЕСКИХсвойств кристалла. Иными словами, пьсзоэлсктрнчсская проводимостьт.) тСта " ИрЕЗОНВТОра будЕТ В ОСНОВНОЪ ОПрвдвляТЬСЯ ТЕМП МЧВСТКВМП КРПСТа,тЛИ82541ческого стержня, где наблюдаются наибольшие механические напрякения илп,деформации. крайние участки кристаллического стержня, где механические напряжения малы, соответственно будут обладать незначительной пьезоэлектрической проводимостью, Наряду с этим, эти участки кристалла при сплошном покрытии металлом контактной поверхности, будут пропускать вредные емкостные токи.Поэтому предлагается другой путь для уменьшения параллельной емкости - уменьшение поверхности электродов...
Способ крепления проволочных держателей к пьезоэлектрической пластине
Номер патента: 91033
Опубликовано: 01.01.1950
Авторы: Поздняков, Штернберг
МПК: H03H 3/02
Метки: держателей, крепления, пластине, проволочных, пьезоэлектрической
...и л Оакаи 1203. По 11 и 1 с 27 1-1055 г 1.1+сЬ 1 ООО. цена 25 коп,ГО А,.а;ы рк т 1;ог)Яф 151 о 2 М 11)Исто)ств 1 1)гг.т"1)111 Чтвапско 1 АССР. И Я ДСЖНОГО СОЕДИ 1 ЕИ 51, ТЯЕ Еспе ЛЕТЯ.1)5 ЧЕСКИЙ С)ой ОКЯЗЫВЯЕТСЯ ПЕе епрО НО сцспленнымй кристалличесео поверх 110 стыо.Предлагается способ припаивания проволочных держателей В уз- ЛОВЫХ ТОЧКЯХ )ИСТЯЛЛИ 1 ЕСЕИХ ПЛЯСТИН, ООССПЕЧИВЯЮЩИЙ ПРОЧНОЕ П 2. дсеное крепление.НЯ пластины из раствори:,пх ристаллов наносится металличес 5 с пят 10 п 1)и похОщи р 2 стВОрения пОВерхности кристалла и Ведрения В неГО хЯссь мс. 1:их металлических частиц, П)и рястВОрснии поверхности кэистялля частицы порошеообразного металла, например, серебра проникают па пскоторую глубину. Г 1 орошкообразное серебро замешивается...
Способ выращивания блока “косого” среза из кристаллов сегнетовой соли
Номер патента: 78449
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Поздняков
МПК: C30B 29/56, C30B 7/00
Метки: блока, выращивания, косого, кристаллов, сегнетовой, соли, среза
...выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является...
Картофелеуборочная машина
Номер патента: 68465
Опубликовано: 01.01.1947
Автор: Поздняков
МПК: A01D 15/04
Метки: картофелеуборочная
...в его заднем конце,На фиг. 1 показан вид машины сверху, на фиг. 2 - вид ее сбоку, на фиг, 3 - поперечное сечение жолоба в увеличенном масштабе,Подкапываемый лемехом 7 рядок картофеля поступает на расположенный за лемехом жолоб, состоящий из струн 2, имеющих на концах пружины 3. Расположенным над жолобом транспортером 4, имеющим жесткие пальцы 5 и пружинные пальцы б, поступившая в жолоб земля измельчается и просеивается через струны, а клубни и ботва продвигаются вдоль жолоба в его задний конец. Для лучшего размельч ения земли между струнами жолоба расположены пружинные упоры 7, закрепленные нижними концами на рамке 8, жестко соединенной с основной рамой 9. На основной раме монтирован и транспортер, имеющий в одном конце свободно...
Устройство для подачи коагулянта
Дифференциальное реле
Номер патента: 45348
Опубликовано: 31.12.1935
Автор: Поздняков
МПК: H01H 53/10, H01H 83/14
Метки: дифференциальное, реле
...поврежденпредлагаемого реле будет мало отли- ланса, течаться от характеристики существующих трансформ,циференциальных реле, так как влияю- эксплоатацщие на него факторы остаются те же. Ось роРеле может быть осуществлено путем от которосоединения двух статоров максимальных дополнитемгновенных реле. щей трубкЗамыкание цепи постоянного тока Весь иаа на выключение" может быть осуще- кожух поствлено как угодно; можно, например, не показанна оси ротора закрепить подвижный имеет девдвусторонний контакт так, чтобы он за- подводкимыкал цепь при повороте ротора в лю- три штукибом направлении; при этом можно осу- ной сторощеетвлять выключение через посредство тока и одиобычного реле времени, так как в дан- вбда,В ном случае действие...
Нитеотделитель для ручного проборного станка
Номер патента: 44845
Опубликовано: 31.10.1935
Автор: Поздняков
МПК: D03J 1/14
Метки: нитеотделитель, проборного, ручного, станка
...7, каковой блочок 3 предназначен для сообщения поступательного перемещения нитеотделительной щетке 11,2, В приспособлении по и. 1 применение устройства для сообщения вращательного движения нитеотделительной щетке 11, состоящего из червяка 8, укрепленного на гайке 7 и сцепляющегося с червячным колесом 9, на оси которого насажена и нитеотделительная щетка 11. Предлагаемое изобретение позволяет вести проборку нитей основы в ремизы и бердо на ручном проборном станке обычного типа без подавальщиц, механизируя процесс отделения нитей и подводки их к крючку продевальщицы.На схематическом чертеже фиг. 1 и 2 изображают две проекции продольного станка с нитеводителем; фиг. 3 и 4 - проекции с разрезом нитеотделителя.Проборщица ногой при помощи...
Приспособление для вырывания щетины из свиных шкур
Номер патента: 37249
Опубликовано: 30.06.1934
Автор: Поздняков
МПК: C14B 1/24, C14B 15/02
Метки: вырывания, свиных, шкур, щетины
...вдоль нее от.одного края станины до другого, Второе плечо 7 снабжено ручкой 7 и служит для управления щипцами при выдергивании щетины из шкуры.Под щипцами, в окнах 10 станины 8, вложены подшипники 11, в которых расположены оси валков 12 и 9, предназначенных для зажимания и подачи шкуры под щипцы. Для регулирования расстояния между валками подшипники валка 12 сделаны подвижными в окнах 10 и соединены с тягами 14,связанными с поперечиной 15, сквозь которую пропущен винт с маховиком 1 б, упирающимся в гнездо 18 на станине 8, Для приведения валков 12 и 9 во вращение на оси их насажены шестеренки э управляемые от руки маховиком 13.Действие приспособления состоит в следующем. Свиная шкура закладывается между валками 12, 9 и зажимается ими при...
Способ изготовления полотнищ из кишек
Номер патента: 37245
Опубликовано: 30.06.1934
Автор: Поздняков
МПК: C14B 15/10, C14B 21/00
...от одного до следующего в 5 мл; в отверстия вставляются 2-дюймовые гвозди с острыми концами кверху, а головками вниз, для того, чтобы иметь возможность при основе кишок надевать концы кишок на гвозди, Из кишок путем тщательной промывки или выщелачивания удаляют соль. Обессоленные кишки пропитываются кровью, а затем надеваются на гвозди, забитые в четырехугольной рамке, от одного крайнего бруска и парал. дельно ему до следующего крайнего бруска. Второй няд надевают перпендикулярно к первому ряду и так всего должно быть не больше четырех рядов. После основки рамку помещают в сушилку, где сушат с прессованием или без него на раме при температуре 40 - 35, При сушке получается плотный и ровный лист темно-коричневого цвета. При...
Устройство для промывки бараньих кишек
Номер патента: 36568
Опубликовано: 31.05.1934
Автор: Поздняков
МПК: C14C 15/00
Метки: бараньих, кишек, промывки
...для подачи воды на:барабан.Загрузка барабана производится. через крышку 10 в кЬжухе, после чего."барабан 3, 4 приводится во вращейие от шкива 11, и через трубы 8 9 подается вода, стекающая в нижней части. кожуха через патрубок 12.П р е д м е т и з о б р е те н йя - -1. Устройство для промывки бараньих кишек с. применением заключенного в кожух барабана, снабженного на боковой поверхности подвесками. для кишек, отличающееся . тем, что подвески выполнены в виде вложенйых в гнезда 5 на барабане З,.ф.валиков 6, несущих на-себе ряд съемных дисков 7, . между которыми навешивают промываемый материал.2. При устройстве по п 1. примене- . ние водоструйного аппарата 8, 9, пред- назначенного для промыванйя материала во время вращения барабана от...