Устройство для моделирования полу-проводникового элемента

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ, СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 210979 (21) 2822923/18-24 с присоединением заявки йо(23) Приоритет Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытийДата опубликования описания 300581 зщюРт(71) Заявит 4) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА теристик парноподобных транзисторов.Так как подобрать пару транзисторов с полным совпадением характеристик не удается, то неточность подбора влияет на точность моделирования. Другой недостаток - невозможность изменять одновременно входное сопротивление и коэффициент передачи по току,что не позволяет моделировать поведение транзистора в условиях нейтронного облучения.ЦЕль изобретения - расширениетного диапазона.азанная цель достигается тем,. что в устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее транзистор, база которого соединена с одним выводом делителя напряжения и операционный усилитель, введены эталонный резистор и усилитель мощности, выход которого соединен с другим выводом делителя напряжения, один вывод эталонного резистора подключен к шине нулевого потенциала и к иеинвертирующему входу операционного усилителя, другой вывод эталонного резистора соединен с эмиттером транзистора и через масштабный резистор подключен к инвертирующему входу операционного усиличасто УкИзобретение относится к радиоэлектронике, а именно к исследованию и измерению параметров транзисторов, и может быть использовано дляанализа поведения радиоэлектронныхустройств в условиях воздействия различного рода облучения: длительного.нейтронного, г -илучения, А -излучения,протонного,10Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента,содержащее генератор напряжения игенератор тока 11.Недостаток устройства - невысокаяточность моделирования. 15Наиболее близким.к предлагаемомуявляется устройство для моделированияполупроводникового элемента, содержащее генератор напряжения, генератортока, операционные усилители, дели- ,20тель напряжения и транзистор 21.Данное устройство позволяет моделировать изменение коэффициента нередачи тока транзистора без изменениявходных и выходных характеристик, что 2обеспечивает высокую точность соответствия модели поведению транзистора.Недостаток устройства заключается втом, что точность моделирования оцределяется точностью совпадения харак- ЗОтеля, выход которого подключен ко входу усилителя мощности.На чертеже представлена схема устройства.Устройство для моделирования полупроводникового элемента состоит из операционного усилителя 1, в цепь обратной связи которого включен резистор 2. Операционный усилитель 1соединен с усилителем мощности 3, выход которого связан с базовой цепью транзистора 4 через делитель 5 ф напряжения в эмиттерную цепь транзистора 4 введен эталонный резистор 6, связанный с неинвертирующим входом операционного усилителя 1, инвертирующий вход последнего связан через 15 масштабный резистор 7 с транзистором 4.Устройство работает следующим образом.На транзистор 4 подается напряже- щнив, которое вызывает протекание тока в транзисторе. Сигнал управления, сиимаемюй с резистора 6, подается на вход операционного усилителя 1.Точный подбор резисторов 2 и 7 позволяет получить нужное усиление операционного усилителя. С выхода операционного усилителя усиленный сигнал поступает на вход усилителя 3мощности, а затем через делитель 5напряжения - в базовую цепь транзистора. Регулировкой глубины обратнойсвязи посредством переменного резистора имитируется изменение коэффициента передачи по току К; н йтранзистора, Частотный диапазон йредлагаемого устройства выше на 1-2 порядка по сравнениюс известным 2,формула изобретенияУстройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее транзистор, база которого соединена с одним выводом делителя напряжения и операционный усилитель,о т л и ч а ю.щ е е с я тем, что,с целью расширения частотного диапазона, в него введены эталонный резистор и усилитель мощности, выходкоторого соединен с другим выводомделителя напряжения, один вывод эталонного резистора подключен к шиненулевого потенциала и к неинвертирующему входу операционного усилителя,другой вывод эталонного резистора соединен с эмиттером транзистора ичерез масштабный резистор подключенк инвертирующему входу операционногоусилителя, выход которого подключенко входу усилителя мощности.Источники информации,принятые во,внимание при экспертизе1. Степаненко М.П. Основы теориитранзисторов и транзисторных схем.И., фЭнергия", 1973, с,209-214.2. Авторское свидетельство СССРР 631944, кл. 6 06 6 7/62, 1977834723 Редактор Н.Буш Подписинного комитета СССРтений и открытий35, Раушская наб., д.4 каэ 4103/77. Тираж 74 ВНИИПИ Государств по делам иэобре 113035, Москва, Ж