Устройство для моделирования биполярного транзистора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 928376
Авторы: Валитов, Волков, Зельцер, Пестрякова
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОВРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветсиикСоциалистическиеРеспубликдо делам изабретеииЯ и открытиЯ(72) Авторы изобретения М. С. Валитов, Б, А, Волков, И. А. Зельцери И. И. Пестрякова Московский институт радиотехники, электроники и автоматики(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОПЕЛИРОВАНИЯ БИПОЛ ЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к исследованиям и измерениям параметров транзисторов, иможет быть использовано для анализаповедения радиоэлектронных устройствв условиях воздействия различного родаоблучения; нейтронного,-излучения, с(, -излучения, протонного.Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содер 1 Ожащее операционные усилители, переменный резистор и транзистор, Данное устройство позволяет моделировать изменение коэффициента передачи по току транзистора 13,15Недостатки этого устройства заключаются в том, что точность моделирования определяется точностью совпаденияпарноподобных транзисторов. Кроме того,невозможно одновременно изменить входное сопротивление и коэффициент передачи по току, что не позволяет моделировать поведение транзистора в условияхнейтронного облучения. Наиболее близкой по технической сущности к предлагаемому является модель биполярного транзистора, содержащая транзистор и операционный усилитель, в эмиттерную цепь транзистора, который соединен через резистор с инвертирую шим входом операционного усилителя, введен эталонный резистор, связанный с неинвертирующим входом операционного усилителя, выход которого соединен с усилителем мощности, связанным с базовой цепью входного транзистора 12.Недостатком данного устройства является сложность схемы и наличие внешних источников питания.Бель изобретения - упрощение.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для моделирования биполярного транзистора, содержащее первый транзистор и переменный резистор введен второй транзистор, при этом выводы переменного резистора подключены к базам обоих транзисторов соответственно, эмиттеры транзисторов объединеныУстройство для моделирования биполярного транзистора, содержащее первый; транзистор, и переменный резистор, о т -л и ч а ю щ е е с я тем, что, с цельюупрощения, в него введен второй транзистор, при этом выводы переменного, резистора подключены к базам обоихтранзисторов соответственно, эмиттерыщ транзисторов объединены и являются эмиттерным,входом устройства, база первоготранзистора соединена с коллекторомвторого транзистора и является базовымвходом устройства, а коллектор первоготранзистора является коллекторныМ вхо 3дом устройства,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР40Мо 631944, кл. й 06 Я 7/62, 1977,2. Авторское свидетельство СССРпо,заявке Ио 282292 М 27,кл. Н 01 Ь 29/70, 1979. 3 928 и являются эмиттерным входом устройства, база первого транзистора соединена с коллектором второго транзистора и является базовым входом устройства, а коллектор первого транзистора является коллекторным входом устройства.На чертеже представлена схема уст- ройства для моделирования биполярного транзистора.Устройство состоит из первого транзистора 1, в базовую цепь которого включен переменный резистор 2, одновременно включенный в базовую цепь второго транзистора 3, эмиттеры транзисторов 1 и 3 объединены и являются эмиттерным входом устройства (Э), база транзистора 1 соединена с коллектором транзистора 3 и является базовым входом устройства (Б), коллектор транзистора 1 является коллекторным входом устройства (К).Устройство работает следующим образом.Для быстрого исследования поведения, радиоэлектронных устройств в специальных условиях достаточно изменять усилительные свойства транзистора от номинальных значений до минимальных, что соответствует различным дозам об, лучения.Входной ток устройства Эбл является суммой трех токов 3,1,36 Д . Промежуток коллектор -эмиттер транзистора 3 предсгавляет собой генератор тока, величина которого зависиъ от Э, а следовательно, от величины сопротивления резистора 2, Таким образом, при подаче на базовый вход тока 3 , величина коллекторного тока Э транзистора 1 будет также зависеть от величины сопротивления резистора 2, Отношение 3 к 3 есть коэффициент усиления по току В устройства. При сопротивлении 376 1резистора 2, стремящемся к со токи 3,и Э стремятся к нулю, следовательно,3: 3 и Б устройства равен значениюкоэффициента усиления по току транзистора 1, При, уменьшении сопротивлениярезистора 2 ток базы транзистора 1 посравнению с входным током устройствауменьшается, следовательно, уменьшается и Э, что со стороны внешних зажимов устройства эквивалентно уменьшению Б,Преимуществом предлагаемого устройства является отсутствие внешнихдополнительных источников питания, простота изготовления и эксплуатации. Длясоздания модели могут быть использованы серийные транзисторы,формула изобрефтения
СмотретьЗаявка
2900875, 28.03.1980
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ
ВАЛИТОВ МАРАТ САДЫКОВИЧ, ВОЛКОВ БОРИС АЛЕКСЕЕВИЧ, ЗЕЛЬЦЕР ИГОРЬ АБРАМОВИЧ, ПЕСТРЯКОВА ИРИНА ИВАНОВНА
МПК / Метки
МПК: G06G 7/62
Метки: биполярного, моделирования, транзистора
Опубликовано: 15.05.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-928376-ustrojjstvo-dlya-modelirovaniya-bipolyarnogo-tranzistora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для моделирования биполярного транзистора</a>
Предыдущий патент: Устройство для моделирования волоскового механорецептора
Следующий патент: Модель транзистора
Случайный патент: Способ получения радиоактивных колоидных растворов и суспензий