Модель биполярного транзистора

О П И С А Н И .Е (и)982030И ЗОЗРЕТЕ Н ИЯ Союз СоветскикСоциалистическиеРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(61) Дополнительное к авт. свид-ву(5 )М. Кд,(22) Заявлено 05,06.81 (2 ) 3296055/18-24с присоединением заявки М Й 06(л 7/62 нфудзрстееннмй кеинтвт СССР не далем нэойретеннй н открытнйДата опубликования описания 15,12,82 В. Д. Андреев, Е. А. Баранов, М. С. Валитов, Б. А, Волков,ИПОПЯР ТРАНЗИСТ(84) МО оэлеки измереможработоспойств в те Из Изобретение относится и ради нике, точнее к исследованиюнттю параметров транзисторов, и ыть испсаьзовано для анализа ностИ радиоэлектронных устро овнях пониженной темиературь вестно, что под действием температуры у билолярттых транзисторов в той юи иной степени изменятотся все параметр ры, однако практическое значение, как правило, имеют три из ннх, а именно: коэффициент передачи тока Э, напряжение .на эмиттерном переходе Об и обратный ток коллекторного перехода ТкБОарак-т тер изменения указанных параметров от температуры разшчен. Коэффициент иере- дачи токав схеме с общим эмиттером у кремниевых транзисторов макет изменяться в интервале температур.от -60 зо до +150 С,. причем прет пониженте температуры Э умещ шается, Температурная зависимость напряжения на эмиттеретом. переходе Ок о почти линейна и характеркзуется отрицательным коэффициентом2 мвУград. При снижении температуры на 5 То напряжение на эмнттерном иереходе увеличивается на величинуЬцбафроЭИзвестно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее операшконные усилители, переменный резистор и транзистор. Данное устройство позволяет моделировать изменение коэффициента передачи тока транзистора 11 .Недостатком этого устройства являет- ся то, что точность моделирования определяется точностью совпадения парнопедобных транзисторов. Кроме того, устройство характеризуется невозможностью одновременного изменения входного сопрсь тнвления и коэффициента передачи тока транзистора,Наиболее близкой по технической сушности к предлагаемому является модель биполярного транзистора, включакецвя в себя основной и вспомогательный транзисторы, в базовые пени которых включен3 9820 переменный резистор, базы основного транзистора и коллектор вспомогательного соединены между собой и образуют ба.зу модели, объединен,ные эмиттеры транзисторов служат эъйгттером модели, а коллектором является коплектор основного транзистора 2 .Недостатком данного устройства является невозможность смещения входных характеристик транзистора, что не позво ляет моделировать изменение напряженияна эмиттерном переходе 0- при пониженБЭной температуре.Цель изобретения - возможность получения входных характеристик транзистора, 33соответствующих пониженйой температуре,Поставленная цель достигается тем,что в модель, содержащую два транзистора, базовые выводы которых соединенычерез переменный резистор, ксцшекторный щвывод первого транзистора объединен сбазовым вывопом второго транзистораи яьпяется базовым выводом моделиэмиттерные выводы обоих транзисторовобъединены, а ксдлекторный вывод второго 2 зтранзистора является коплекторным выводом модели, дополнительно введен диод,анод которого соединен с объединеннымиэмиттерными выводами транзисторов, акатод является эмиттерным выводом мо- ЗйделивНа чертеже представлена схема темпе-,ратурной модели биполярного транзистора,Модель состоит из транзистора 1, вбазовую цепь которого включен переменный резистор 2 одновременно включенный в базовую цепь транзистора 3, эмигтеры транзисторов, 1 и 3 соединены санодом диода 4, катод которого являетсяэмиттером модели 3, коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 3и их общая точка является базой модели5, ксццектором модели 1( является ксц- лектор транзистора 3.Модель работает следующим образом.Транзистор 1 совместно с резистором2 служит дпя моделирования уменьшениякоэффициента передачи по токуЯ при уменьшении температуры. Базовый токмодели является суммой трех токов 1, 11 р, ПРомежуток коапектор - эмит- тер транзистора 1 представляет собой генератор тока, величина которого зависит от 1 и, следовательно, от величины соЭпротивления резистора 2,Таким образом, при подаче в базу модели тока , велиИчина коллекториого тока 1, транзисторе 3 таъже зависит от величины сопротиьпе 30 4ния резистора 2, Отношение 1 к кесть коэффициент передачи тока В модели.При величине сопротивления резистора 2Ктоки 1 , и 1 к, стремятся к нулююследовательно, 1= 1 в и В моделиравен значению коэффициента З транэистора 3,При уменьшении К ток базы транзистора 3 по сравнению с током базы моделиуменьшается, следовательно, уменьшаетсяи )К, что со стороны внешних зажимовмодели эквивалентно уменьшению В .Германиевый диод 4 включенный вэмиттерную цепь транзистора 3 создаетдополнительное падение напряжения между базой и эмиттером модели и тем самымимитирует увеличение напряжениямодели транзистора при дискретном йонижении температуры.Предлагаемая модель позвсцтяет производить оценку работоспособности РЭАпри пониженной температуре, не проводяклиматических испытаний в камере холода, что снижает стоимость проведенияэксперимента и сокращает время его про- "ведения,Формула изобретения Модель биполярного транзистора, содержащая два усилительных транзистора,базовые выводы которых соединены черезпеременный резистор, ксплекторный выводпервого усилительного транзистора объединен с базовым выводом второго усилительного транзистора и является базовымвыводом модапи, эмиттерные выводы обоих усилительных транзисторов объединены,а коллекторный вывод второго усилитбль=ного транзистора является коллекторнымвыводом модели, о т л и ч а ю ш а яс я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет моделирования поведения характеристик транзистора при. пониженной температуре окружающей среды, в нее дополнительно введендиод, анод которого соединен с объединенными эмиттерными выводами усилительных транзисторов, а катод является эмиттерным выводом модели.Источники информации,принятые во .внимание. при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР% 6319941 кл, (306 6 7/62 ф 1977 ф.2. Авторское свидетельство СССРпо заявке % 2900875/24,кл, С 3066 7/62, Н 01 Ь 29/70,24.03,80 (прототип).0820 ЗО Подписное СССР открытий наб., д, 4 Л)Тираж 731осударственного комитделам изобретений иМосква, Ж, Раушскан аэ 9714/70ВНИИПИ 113035 Проектна ПП фПатент 1 г, У Составитеиь Е. фрсаов.Петрова ТехреаТ. Маточка Корректор В. Прохненк