Устройство для моделирования биполярного транзистора

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 4 С 106 б 7/6 ОПИСА БРЕТЕНИ ь ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ ТОРСНОМУ УВИДЕТ(56) Авторское свидетельство СССР У 982030, кл. 6 06 6 7/62, 1981,Авторское свидетельство СССР В 928376, кл, 6 06 6 7/62, 1980. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ 110 ДЕЛИРОВАНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА (57) Изобретение относится к област радиоэлектроники и электронной техники и может быть использовано на любом предприятии, занимающемся исследованием и прогнозированием работоспособности радиоэлектронной аппаратуры на биполярных транзисторах вусловиях пониженной температуры, Целизобретения - повышение точности моделирования входной характеристикипри пониженной температуре путемулучшения линейности, Новым в устройстве для моделирования биполярноготранзистора является то, что структура устройства представляет собойпоследовательное соединение базоэмиттерных переходов усилительных транзисторов разного типа проводимости,что позволяет уменьшить количествоэлементов схемы устройства .по сравнению с прототипом, 1 ил,12523 УстрОЙствс дл 5 моделирования биГголя оного транзисторе, соержао;рсдв а усилительных транзис тора и тОкОзадающий переменный резистор одинвывод ко орого подкггючрн к базовомувыводу уст ОЙства другой вывод токозадающего переменного резчсторасоединен с базой первого усилительно.го транзистора, коллектор и эмиттервторого усилительного транзистораят;лгпотся соответственно коллекторными эгялттерчь 1 м выводами устройства,т л и ч а ю щ е р с я трм чтоцег.ью повышения точности моделирования входной характеристики при пониженной температуре, в нем эмиттсрпервого усилительного транзисторасоединен с базовым выводом устройства, коллектор первого усилительноготранзисторо подключен к эмиттерномувыводу устройства базы тарного ивторого транзисторнь:х уо.ипителейобъединены,40 зовые токи и коэффициенты передачи50усилительных транзисторов, определяИзобретение относится к радиоэлектронике, точнее к исследованию и измерению параметров транзисторов, и моможет быть использовано для анализаработоспособности радиоэлектронных 5устройств в условиях понижения температуры.Целью изобретения является повышение точности моделирования входнойхарактеристики при пониженной темпера туре путем улучшения ее линейности вобласти малых токов,На чертеже представлена схема предлагаемого устройства,Устройство для моделирования биполярного транзистора содержит два усилительных транзистора 1 и 2разного типа проводимости) и токозадающий переменный резистор 3, одновре менно включенный в базовые цепи усилительных транзисторов, эмиттер усилительного транзистора 1 является базовым выводом устройства, коллекторусилительного транзистора 1 и эмиттер усилительного транзистора 2 объединены и образуют эмиттерный вывод устрой.ства, а коллектор усилительного транзистора 2 является коллекторным выводом устройства, ЗОУстройство работает следующим образом,Усилительный транзистор 1 совместно с переменным резистором 3 служит для моделирования уменьшения коэффициента передачи транзистора 2 (параметры которого подлежат моделированию) по току при уменьшении температуры. Входной ток устройства 1 р, является суммой эмиттерного тока 1 транзистора 1 и тока 1 через резистор 3, а ток 1 определяется разностью баэовы токов 1 Рг и 1 Б ТРанзисторов 1 и 2.Коэффициент передачи устройства по току 2 , выраженный через ба 2ется выражением,5 =- и зависит1(- (3, 511 Ег Ъот соотношения токов - ,которое, в свою очередь определяется величинойсопротивления резистора 3,При сопротивлении резистора 311=0ток.1 =0 и 5 устройства равно значению коэффициента передачи Эг транзистора 2, а гри 1-фон токи 1, = 1 икоэффициент передачи устройства стаНОВИТСЯ РаОНЫМ ".гв,+3=Эмиттерный переход германиевоготранзистора 1, включенный последовательно с базой транзистора 2, создает дополнительное напряжение междубазой и эмиттером устройства и темсамым имитирует увеличение напряжения 1 рэ при уменьшении температуры,Дпя создания устройства могут бытьиспользованы серийные транзисторы,Формула изобретения125123 Составитель И.ДубининаТехред О.Сопко Корректор И.Муска Редактор К.Волошук Тираж б 71 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Заказ 4414/48 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная,4