H01C 7/04 — имеющие отрицательный температурный коэффициент

Номер патента: 510755

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Курихин, Соловьев, Сорокин

МПК: H01C 7/04

Метки: емкости, конденсатор, переменной

...герметичной оболочки 1, наприм"р, изстекла, на наружной поверхности которой расположена неподвижная обкладка 2. Зз Внутреш 1 яя поверхность диэлектрика снабжена капиллярной структурой 3, пропитаннойэлектропроводной жидкостью 4, например цезием, явля 1 ощейся подвижной обкладкой конденсатора, и соед 1111 сна с 14 яружны.11 Выводоъ 1,Внутренняя полость конденсатора частичнозаполнена неконденспрующимся газом 5, нягример аргоном. и паровой фазой электро;,роводной жпдкос 111 О, 111 е 10 Щ 11 м 11 прп рябОтеконденсатора подвижную границу разделагаз - пар,Конденсатор снабже;1 газово 1"соединеш 1 ой с внутренней полостора.Тепловая энергия необходимая для работыконденсатора подводится и отводится соответственно через зоны 8 и...

Номер патента: 520945

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Масахи, Харухиса

МПК: H01C 7/04

Метки: датчик, защиты, местного, нагревателей, перегрева, плоских, температуры

...счет контроля температуры всей поверхности нагревателя в предлагаемом датчике термосопротивление и электроды выполнены в виде слоев, совпадающих по форме с нагревателем, и расположены на его повер.хностн с одной стороны. На чертеже покаеан датчик твмцературы:в разрезе, наложенный на плоский,наг)щва:- тельный элемент 1 и состоящий из тврмо- сопротивления 2 и двух электродных слоев х 3. Если в какой либо точке плоского на 1,гревательного элемента возникает местный .перегрев, удельное сопротивление слоя (2) падает и, следовательно, уменьшается сопротивление между выводамиа электрод О ных.слоев 3, Датчик может использоваться как в устройствах защиты плоских нагревателей от местного перегрева, так и в устройствах регулирования температуры...

Номер патента: 525168

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Бондаренко, Гребенкина, Пяткин, Соколов

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, резисторный

...И ЭбЩОКДМ ДканаЗОНОМ НОМИБалов в предлагаемом материале В каиестмтугоплавкого соединения Взят дисил юзид бэи ";.;". "-:тб р триер; . раббте рези .торови -Й;дбббт-рбббб б бр беоиад Бе Обра, ует до ;.Вэб .з эх химикедщ соедщщББЙй,юЩН б1 бНЬНОю БЕК ЩИЗИВЦЬС кн-, сюйст елекчропроводятпего здемеита. Зто гиойотвтЭ РЕЗИСТИВНОГО МаЭРиада ЩЗ воняет легко унравдять электрическими характеристэжами изготовляемых резисторов, что весьма важно при их серийном произ- ВОДСТВЕ. Ч р и м е р 1. б-пЬ;А(ГИт 55 Хт Я 40 С5. опротивпение () 0,3 ТКС (0,6-0,9) 10 град и м е р 2, Ь;17 Их 45 т э 25 СЗОСопротивлекие ( Й ) 1, О, ОМОМ- ф ТКС (1,3-1,8) 10 град Сульфид цинка в данных примерах легирован серебром и никелем.Результаты испытаний позмзали чтО ре...

Номер патента: 575704

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Ференец, Хорьков

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...976 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ния в него терморезисторачто затрудняетподбор терморезисторов,Целью изобретения является уменьшениепогрешностей терморезистора при термоанемометрических измерениях. 5Указанная цель достигается тем, что втерморезисторе, содержащем полупроводниковый рабочий элемент, нагревательный элемент и выведенные в одну сторону остеклованные токоподводы, нагревательный элемент 10расположен вокруг остеклованных токоподводов на части их длины, отделяющей рабочий элемент от места крепления терморезистора,На чертеже изображен описываемый терморезистор.Полупроводниковый...

Номер патента: 729653

Опубликовано: 25.04.1980

Автор: Новиков

МПК: H01C 7/04

Метки: косвенного, отбраковки, подогрева, терморезисторов

...и вконце импульса. В перерывах междуимпульсами температура рабочего телаизменяется незначительно. Однако зазто время температура термочувствительного элемента успевает понизиться до температуры подогревателя,так как постоянная нремени 1: значительно меньше -,В результате в первый момент приподаче импульса тока падение напряжения на термочувствительном элементе Б 1 пропорционально его сопротивлению, соотнетствующему температуре, до которой остыло рабочее телок концу перерыва между импульсами,В конце импульса тока теомочувствительный элемент прогрет и падение напряжения П пропорциональносопротивлению, соответгтвующемутемпературе нагрена термочувствительного элемента, которая больше температуры рабочего тела,Различие н температурах...

Номер патента: 769645

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Елисеев, Люцарева, Халанская, Чуйкина

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...из трех сл выполнены ренний -Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности, к изготовлению терморезисторов с ионной проводимостью.Известен терморезистор, содержащий керамическую основу из стабилизированнойдвуокиси циркония с размещенными в нейэлектродами 11.Однако у данного терморезистора недостаточно широкий диапазон использованиярабочих температур.Наиболее близким по технической сущности является терморезистор, содержащийкерамическую основу и размещенные в нейпроволочные электроды 121. Однако известный терморезистор работает в интервале400 в 12 С, что для решения целого рядазадач недостаточно, т. к. необходима чувствительная температурная индикация вболее широкой области, начиная с комнатных температур,Целью данного...

Номер патента: 801118

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Волков, Новак, Переляев, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

...температура Фазового перехода полупроводник - металл и резкое уменьшение электросоп801118 формула изобретения Составитель В,ЛенскаяРедактор Л,Пчелинская Техред Е.Гаврилешко Корректор О.Билак Заказ 10443/71 Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета. СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 ротивления которого находится в области 76 - 118 р С.П р и м е р 1, Для получения оксидного ванадиевого соединения составаГео,оз Ч,З 5 04 .берут 3,15 г Чд 0, и017 г Реч 04, компоненты тщательноперемешивают в агатовой ступке и помещают в кварцевую ампулу, из которойоткачивают воздух до остаточного давления 2 10мм рт,ст, Ампулу заваривают и обжигают при 800 С в...

Номер патента: 817759

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Розенберг, Янковский

МПК: H01C 7/04

Метки: реле, термоуправляемое

...термочувствительный элемент, выполненный в виде пластины 1 из йодида или хлорида серебра, пластины 2, изготовленные из диэлектрического теплопроводного материала, например окиси бериллия, и предназначенные для гальванической развязки, на внутренние стороны которых нане- . сен проводящий слой 3, а на внешние " резистивный слой 4 с присоединенны" ми токовыводами 5.При нормальной температуре ток через пластину 1 практически не идет. При подключении термоуправляемого реле в схему под воздействием электрического тока резистивный слой 4 нагревается и нагревает пластину 2 и далее пластину 1. При достижении 145,8 С электропроводность йодида серебра резко возрастает и через пластину 1 проходит электрический токПри отключении термоупр еле...

Номер патента: 819825

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Андриеш, Пономарь

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...(5 - 15 мм) и к концам волокна по обычной технологии (например, с помощью токопроводящего клея) . подсоединяют выводные контактные концы.Пример. Непрерывные волокна с сердцевиной из ЬЬфеа и оболочкой из молибденового стекла диаметром 100 мкм нарезали на отрезки длиной 8 мм, протравили концы (по 2 мм) защитной стеклянной оболочкой в 60 %-ном растворе плавиковой кислоты и к концам волокна подсоединили с помощью акводага выводы из медной проволоки. Полученные таким образом терморезисторы имели параметры: габаритные размеры: диа89825 Формула изобретения Составитель Т. Баранова Редактор Б.федотов Техред А. Бойкас Корректор Ю. Макаренко Заказ 1183/29 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 828221

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Елисеев, Люцарева, Пивник, Фокина

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...используя сочетание двухматериалов, работающих последовательно винтервалах 25 - 400 С и 400 - 1100 С, былиполучены терморезисторы с широким диапазоном рабочих температур: 20 - 1100 С.25 При этом состав полиалюминатов щелочных материалов, а также размеры слоевкерамической основы (толщина, площадь)выбираются в зависимости от требуемогозначения электрического сопротивленияЗО терморезистора.828221 3На чертеже представлена конструкция терморезистора.Терморезистор содержит термочувствительный элемент, состоящий из слоя 1, выполненного из смеси окислов алюминия, хрома и спекающих добавок и слоя 2, выполненного из полиалюминатов щелочных металлов, и токоподводы 3.Ниже приведены размеры изготовления терморезисторов с термочувствительным 10...

Номер патента: 894805

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Айвазова, Холодарь

МПК: H01C 7/04

Метки: позистор

...кубической модификации,легированного кислородом.На фиг, 1 представлен позистор, общийвид; на фиг. 2 - график температурной зависимости его удельного сопротивления.5Позистор состоит из чувствительного элемента 1, к которому подсоединены омическиеконтакты 2, и который заключен в корпус 3,Позистор работает следующим образом,Прн включении в цепь с напряжением3 - 5 В, через поэистор протекает ток 1 - 10 мА,При повышении температуры до 500 - 1200 Кпри том же напряжении в цепи ток падает,так как сопротивление чувствительного элемен та в этом интервале температур увеличивается в 10-15 раз. Увеличение сопротивления карбида кремния, легированного во время роста кислородом, вызывается собственными дефек. тами решетки, которые действуют как...

Номер патента: 911631

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Былина, Косицына, Нестеренко, Преснов, Ротнер

МПК: H01C 7/04

Метки: термистор

...3 и термоустойчив.е покрытие 5. Термистор помещен в корпус из кварцевого стекла(не показан).Термистор работает следукщим образом.5С помощью выводов 3 термистор подсоединяется к измеряемому объекту. Измерительнья мостом .сопротивления измеряется сопротивление термистора. По градуировочной кривой зависимости .сопротивления термистора от температуры объекта. При изменении тем-. пературы объекта термистор меняет свое сопротивление. Это изменение регистрируется и по градуировочной кривой оценивается соответствующее изменение температуры измеряемого объекта .в данный момент времени.Термистор изготовляют следующим образом. 20Монокристаллический алмаз помещают в центральную часть пресс-формы с алмазным порошком и выдерживают загрузку в камере...

Номер патента: 983760

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Анциферов, Перевознюк

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...а электрические контакты;выполнены из железа..Термочувствительный элемент термырезистора изготовлен путем пропиткижелеза с размером ячейки 2 ж и пористостью 85%, полученного методомпорошковой металлургии, капролоиом В.Электрические контакты изготовленыиз железа в виде пластины.Терморезистор работает при много. кратных изменениях температуры. Нрипостоянной температуре электрическиеконтакты замыкаются железом термочувствительногО элемента. Проводимость термореэистора определяетсаусловиями контакта в зоне переходаэлектрический контакт - торец термо чувствительного элемента. При повы"шенин температуры происходит выходграницы полимерного компонента металлополимепной композиции за границуметаллического компонента и вследст вие...

Номер патента: 995130

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Архаров, Лобанов, Майдукова, Москаленко, Сизенов

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

...из оксида ванадия, оксида хрома, оксидамеди, смеси оксидов, хрома и меди,смеси оксидовхрома, меди и ванадия 0,15"6,00 Оксид лантана Остальное Резистивный материал для терморезисторов получают из сырья маркифх.ч. путем приготовления смесихлорндов лантана и алюминия, приливания в нее раствора соответствующих добавок до достижения рН суспенэии 7, перемешивания осадка в З 0 течение 1 ч, отфильтровывания под995130 вакуумом н прокаливания при 1300 фСвтечение 6 ч. Ю Составы резистивного материала и его свойства приведены в таблице.РРппСостав Содержание компонентов, вес,% Диапазонрабочихтемператур,С Электрическое сопротивление, Ом см Термо- чувствитель-. ность 500 С Оксид Оксид Оксид Оксидланта алюми- хрома медина ыия Оксидванадия при 20 фС...

Номер патента: 1029240

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Ананьева, Гурова, Лобанов, Орлов

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

...элемента 21,.Недостатки известных терморезис.; тивных материалов состоят в низкой. 15 температурной стабильности и узком диапазоне рабочих температур,Цель изобретения - повышение температурной стабильности и расширен 20 ние диапазона рабочих температур,Цель достигается тем, что терморезистивный материал, содержащий диоксид церия и оксид редкоземельного элемента, содержит в качестве оксида редкоземельного элемента оксид празеодима при следующем количественном соотношении компонентов, вес.:Диоксидцерия 90-97 30 Оксидпразеодима 3-10Для получения термореэистивного материала готовят три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.: диоксида церия 97, 95, 90 и оксида празеодима 3,5,10.Каждую смесь получают следующим образом.Диоксид церия...

Номер патента: 1034079

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Гришаева, Майдукова

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

...Ю. ГерасичкиРедактор Н,безродная ТехредМ.Костик Корректор И. Ватрушкина акаэ 5634/54 Тираж 703 ВНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб, одписно 4/5 Фйлиал ППП "Патентф, г,ород, ул. Проект Изобретение относится к электрон-ной технике и может быть использовано в технологииизготовления терморезисторов для термочувствительных датчиков.Известен материал для тврчорезис-. 5 торов, содержащий оксид висмута и добавку оксидов цинка й марганца (1,Недостатки известного материала .для терморезисторов состоят .в низком начальном сопротивлении (,10" Ом/см, 10 невысоком коэффициенте термочувствительности (8200 0 К) и узком интервале рабочих температур (де 8000 С ).Наиболее близким к предлагаемому...

Номер патента: 1049989

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Ивон, Черненко

МПК: H01C 7/04

Метки: термочувствительного, элемента

...скачок по сопротивлениюпри фазовом переходе.Способ осуществляется следующимобразом.Пентоксид ванадия ЧО марки ЧДА ,массой 145,6 г и днухэамещенный фосфорнокислый аммоний (ИН )2 НРО 4 марки ХЧ массой 46 г н виде сухих порошков перемешивают н течение 0,5 чпри помощи гомогенизатора Таун - 2.Затем шихту греют в течение 2 ч при100 цС на воздухе в сушильном шкафУ,.после этой обработки шихту загружают:в герметическую кварцевую трубу, которая предварительно заполнена сухим, газообразным азотом, и трубу с шихтой помещают на 15 мин в печь сопротивления, в которой поддерживаетсятемпература 550 ОС с точностью +1 С. 65 Термообработанную таким образом шихту насыпают в кварцевый тигель объемом 20 см 3 и высотой 5 см. Тигель помещают в печь,...

Номер патента: 1105946

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Алексеева, Бахтинов, Биркен, Дикиджи, Ярославский

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезисторов, тонкопленочных

...терморезисторов включает изготовление порошковой мишени изтвердых растворов полупроводниковых оксидов переходных металловсогласно техпроцессу ЦЛ.25065.00001,для чего последние измельчают спомощью пестика до порошкообразногосостояния.Полученный порошок помещают надиск из плавленного кварца, постепенно выливают на порошок спирт,растирают порошок со спиртом дополучения однородной суспеизии, которую равномерно распределяют по поверхности диска. Помещают кварцевыйдиск с нанесенной на него суспенэиейв термостат (любого типа) при100+5 ОС на время не менее 2 ч. Через 2 ч "порошковая" мишень готова к работе.Нанесение термочувствительнойпленки тонкопленочного терморезистора осуществляют на установке типаУВНПс применением в качествевысокочастотного...

Номер патента: 1115112

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Булачева, Дендюк, Лукьянов, Майдукова, Москаленко

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистивного

...мл раствора А 1 С 1 э, в полученную смесь при перемешивании вливают2008 мл раствора Ма, СО,(С=1,38 моль/л),Полученную суспензию перемешиваютв течение 1 ч, отфильтровывают ипрокаливают на воздухе при 1250 Св течение 6 ч,П р и м е р 2. Для получениясостава с соотношением компонентовВэ;А 1 э:Ба С 0,=1:2:5,0 готовятсмесь из 246,1 мл раствора МпС 1 и 789,5 мл раствора А 1 С 1 э . В полученную смесь вливают при перемешивании 2090 мл раствора МаСОэ, Суспензию перемешивают в течение 1 чотфильтровывают и прокаливают на воздухе при 1250 С в течение 6 ч.П р и м е р 3. Для получения состава с соотношением компонентов Мпэ:А 1 фэ:Ва СО 1:2:5,4 готовятсмесь из 246,1 мл раствора МпС 1 (С=. 2,3956 моль/л; 0,5788 моль) и 789,5 мл раствора А 1 С 1 (С...

Номер патента: 1138838

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Гравов, Кононюк, Попов, Тихонова

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

...коэффициента старения (100%) и узком диапазоне температурного коэффициента 25сопротивления (5-8%/ С) .Цель изобретения - расширениедиапазона температурного коэффициента сопротивления в области отрицательных значений и повышение стабиль-ЗОности электрического сопротивленияпутем уменьшения коэффициента старения,Поставленная цель достигается тем,35 что материал для терморезисторов, содержащий оксид марганца и оксид цинка, дополнительно содержитоксид меди при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид марганцаОксид цинкаОксид меди Для приготовления материала ис.пользуют порошки Мп О и Си(МОз) х ЗСпОЗН О марок "для полупроводников" и 2 пО марок ч. или ч.д.а. Смесь порошков предварительно обжигают при 750-800 С 1-2 ч на воздухе, затем...

Номер патента: 1737523

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Кожух, Липкина, Матвеев

МПК: H01C 7/04

Метки: градуировки, индивидуальной, терморезистор, требующий

...2 - типичные температурные зависимости для двух терморезисторов, изготовленных из поликристаллического кремния марки КПО и КП 1; на фиг. 3 - типичная вольт-амперная характеристика терморезистора из поликристаллического кремния (марка КПО).Устройство содержит термочувствительный элемент 1 терморезистора и контакты 2,Терморезистор работает следующим образом,Через терморезистор пропускается измеряемый электрический ток, осуществляется измерение падения напряжения, после чего определяется сопротивление терморезистора, Изменение температуры приводит к изменению сопротивления терморезистора, а, следовательно, и к изменению измеряемых величин, Каждому значению сопротивления терморезистора однозначно соответствует определенная температура,П р и...

Номер патента: 1329474

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью уменьшения удельного электрического сопротивления в интервале температур 277 - 295oС, он дополнительно содержит оксиды циркония и висмута и отвечает химической формуле Bi13 V5ZrO34.

Номер патента: 1496534

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Блиновсков, Леонидов, Фотиев

МПК: H01C 7/02, H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

Терморезистивный материал, включающий Bi2O3 и V2O5, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости электрических характеристик в атмосфере воздуха в интервале температуры 440 - 600oC, компоненты взяты в количественном соотношении, мол.%:Bi2O3 - 65,5 - 69,5V2O5 - 30,5 - 34,5

Номер патента: 1512392

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Красненко, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

Материал для изготовления терморезисторов на основе оксидного соединения ванадия и двуоксидной системы щелочного и щелочноземельного металлов, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур за счет повышения термочувствительности и стабильности в интервале температур 600 - 1000oC, в качестве оксидного соединения ванадия и двухоксидной системы щелочного и щелочноземельного металла он содержит двойной ортованадат, отвечающий общей химической формуле Na1+0,66хCa1-0,33хVО4, где 0,01 x 0,05.

Номер патента: 1342315

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Буц, Зайцев, Франк, Фридзон

МПК: H01C 7/04

Метки: резистор, термочувствительный, фольговый

Фольговый термочувствительный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с расположенной на ее поверхности фольгой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения постоянной времени, отношение толщины подложки к толщине фольги выбрано в пределах 1 : 1 - 50 : 1.

Номер патента: 1382278

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Волков, Головкин

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

Терморезистивный материал, содержащий диоксид ванадия и оксидное соединение железа, отличающийся тем, что, с целью повышения температурного коэффициента сопротивления и увеличения абсолютного изменения величины электрического сопротивления при температуре фазового перехода, он содержит в качестве оксидного соединения железа ортофосфат железа при следующем соотношении компонентов, мол.%:Диоксид ванадия - 75 - 97Ортофосфат железа - 3 - 25

Номер патента: 1131372

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Волков, Захарова, Ивакин

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

Материал для терморезисторов на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения влагостойкости и термочувствительности материала в диапазоне температур 35 - 80oC, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле xV12O31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный элемент или водород, а 1 x 2.

Номер патента: 772425

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Волков, Новак, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

Терморезистор, содержащий термочувствительный элемент, выполненный из резистивного материала на основе кислородных ванадиевых бронз типа MeIxVoO15, и электроды, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и увеличения температурного коэффициента сопротивления, в качестве резистивного материала термочувствительного элемента использованы монокристаллы кислородных ванадиевых бронз типа MeIxV0O15.

Номер патента: 1155108

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Лосева, Петраковский, Соколович

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

Терморезистивный материал, содержащий полупроводниковое соединение на основе сульфида хрома, отличающийся тем, что, с целью повышения термочувствительности за счет снижения температуры перехода полупроводник - металл до интервала 250-320°С, он содержит в качестве полупроводникового соединения на основе сульфида хрома халькогенидное соединение хрома, отвечающее общей химической формулеCr S1-xSex , где 0<x 0,5.