Свич

Номер патента: 1755249

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Балашова, Дыл, Лукашевич, Неофитный, Свич

МПК: G01J 5/50, G03H 1/02

Метки: гильберт, излучения, преобразования, пучка

...периода, такой, что расстояние ЬТ между двумя центральными штрихами выбрано из следующего соотношенияд, Х 2 п-.1,.2где Т - период расположения штрихов структуры, и = 1, 2. 3,При этом поля, рассеянные двумя разделенными местом сбоя властями дифракционной структуры, отличаются на 180, При освещении структуры когерентным пучком света в дифракционных порядках формируется Гильберт-образ излучения.Недостатком устройства является невозможность получения Гильберт-образа с максимальным значением интенсивности поля в третьем дифракционном порядке. В данной структуре интенсивнрсть формируемого Гильберт-образа падает с увеличением номера дифракционного порядка, Зависимость относительного значения интенсивности Гильберт-образа от номера и...

Номер патента: 1674049

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Балашова, Лукашевич, Неофитный, Сафиуллин, Свич

МПК: G02B 27/42

Метки: гильберт-образа, излучения, пучка, формирования

...Данная свертка и представляет собой преобразование Гильберта от 0(аф где знак уголок над функцией обозначает преобразование Фурье этой функции по частоте в = - в . Необ 2 лх ходимое условие формирования Гильбертобраээ не выполняется при значениях гр, хре, отличных от указанных дискретных множеств значений. Так, например, вблизи плоскостей наблюдения ар дифрэкционное изображение является слабоконтрастным и не отображает Гиль- берт-образа. За пределами координат хрп поля, рассеянные канавками 2 структуры 1, имеют разность хода, отличную от Л/2, что приводит к искажению картины формируемого изображения, При этом в плоскостях наблюдения ар возможна реализация других интегральных преобразований, например, при синфазном сложении рассеянных...

Номер патента: 1601600

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Балашова, Лукашевич, Неофитный, Покормяхо, Сафиуллин, Свич

МПК: G02B 27/42

Метки: выполнения, излучения, интегральных, преобразований, пучка

...фазовых объектов,Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем формирования Гильберт-образа пучка 1 О в заданном дифракционном порядке1при сохранении Фурье-образов в остальных порядках, а также выполненИе преобразования Фуко.На фиг.1 и 2 представлены конструкции фазовых дифракционных структур с различной и равной глубиной шустриков на двух участках.Устройство выполнено в виде фазоной дифракционной структуры 1 с прямоугольным профилем штрихов - канаок 2, которая представляет собойва участка 3 и 4 с одинаковой шириНой и различными значениями отношений поперечных размеров ди д25штрихов к периодам Т и Т их расположения, определяемым из соотно пе- нийФормула изобретения 1. Устройство для выполнения интегральных...

Номер патента: 1429079

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Епишин, Рябых, Свич, Топков

МПК: G01J 1/58, G02B 27/40

Метки: излучения, передачи, пучка, фокусировки, электромагнитного

...и реализуется волноведущийэффект полого канала, Конструктивныепараметры волновода характеризуютсясоотношением излучения с указанным исходеделением на расстоянияхтворяющих соотношению где Р - диаметр апертуры фокусирующего элемента приобретает распределение поля, близкое к кривой Гаусса и при взаимодействии с фокусирующим элементом 2 в случае 1:Г (Г - .фокусное расстояние фокусирую- щего элемента) образует в плоскости 3 сфокусированное пятно высокого оптического качества независимо от качества и стабильности исходного пуч- ка. Изменяя расстояние 1 путем перемещения волновода вдоль оси или изменения его длины (например, при помощи калиброванных отрезков вол" новода), изменяют местоположение плоскости фокусировки приближенно в...

Номер патента: 1354156

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Епишин, Маслов, Рябых, Свич, Топков

МПК: G02B 27/40, H01S 3/10

Метки: излучения, пучка, фокусировки, электромагнитного

...фокусировки пучка электромагнитного излучения содержит отрезок 1 волновода вытекающих волн,радиус а канала которого превьппает10 Л, где Л - длина волны пучка 2электромагнитного излучения, Радиус аотрезка 1 волновода вытекающих волнне менее, чем в 1,2 раза меньше диаметра йпучка 2 электромагнитногоизлучения, в котором заключено не менее половины его энергии. Длина Ьотрезка 1 волновода вытекающих волнвыбрана из соотношенияа 1Ягде я - коэффициент, выбираемый впределах: Яе 30,7 1,7111,8 р 2,4 Г 314,2; 5,2 Г 1135,4; 5,913 Я 7,6; 8,5 М 10,1; 11,7 М13,5; 14,2 Ь 114,4; 15,3. Наилучшая фокусировка пучка электромагнитного излучения реализуется при выборе коэффициента я из ряда Устройство работает следующим образом.Пучок 2 электромагнитного...

Номер патента: 1190338

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Епишин, Маслов, Рябых, Свич, Топков

МПК: G02B 27/40, G02B 6/32

Метки: излучения, пучка, субмиллиметрового, фокусировки

...излучении, и может быть использовано в субмиллиметровых лазерных интерферометрахдля диагностики плазмы.Целью изобретения является получение второй точки фокусировки.На фиг.1 представлена схема устройства; на фиг.2 и 3 - результаты экспериментальной проверки.Устройство содержнт нучокизлучения, фокусирующий элемент 2, широкий полый диэлектрический волиовод 3, фокальную плоскость 4 фокуси рующего элемента; дальнюю дополнительную фокальную плоскость 5.(1.- длина полого диэлектрического волновода, 1.1 - расстояние от линзы до входного сечения волновода 1. - рас ф 2 стояние от выходного сечения волновода до дополнительной точки фокуси-, ровки)Использовано излучение волноводного НСМ лазера= 337 мкм, стеклянный полый широкий волновод ,2...

Номер патента: 218250

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Валитов, Дюбко, Кузьмичев, Свич

МПК: G01R 21/12

Метки: излучения, измеритель, малых, мощности, уровней, электромагнитного

...тока,Падающее излучение поглощается покрытием б и через тонкую слоистую структуру нагрсвает кристалл 1, Нагрев кристалла приво дпт к изменен:по поляризации, которое вызывает появление электрического заряда на обкладках конденсатора, образованного серебря ными покрытиями 2 и 8. Если на кристаллбудет падать модулированный поток излучения, то на обкладках конденсатора появится переменное напряжс 11 ие, ах 1 плитуда которого прямо пропорциональна поглощаемои мощно.0 сти. Если теперь в промежутки времспп, когда па кристалл пе подается электромагнитное излучение, через пленочный подогреватель пропускать гостоянный ток, то на обкладках конденсатора появится сигнал, прямо пропор циональный разности поглощаемой электромагнитной...

Номер патента: 189151

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Пастернак, Свич, Соловьева

МПК: C22C 38/10

Метки: железо-никелевой, основе, сплав

...Заявитель ЕЛЕЗО-НИКЕЛЕВОЙ ОСНО Л свой,0 ,0%, лтх/л 50 -БАС и характеризуется следую стами: предел прочности на р кг/ллс-, относительное удлинение 3 удельное электросопротивление 0,6 и модуль упругости (после нагрева 900 С) 15000 кг/люле,азрыв 5,0 - 40 Оом л О Сплав на железоюцпйся тем, что, с температурного ко постоянного до 300 состав ( % ): ове, отлича ния малого асширения химическии икелевои ос целью получэффициентаС, он имеет 37,5 - 38,5 1,5 - 2,5 до 0,05 до 0,30 до 0,40остальное,НикельКобальтУглеродКремнийМарганеЖелезо Известны сплавы с малым температурным коэффициентом расширения, постоянным в широком интервале температур. Для соединения с керамикой БАС применяется сплав 29 НК (ковар). Однако температурные коэффициенты...