G01R 33/05 — в тонкопленочных элементах

Номер патента: 1666994

Опубликовано: 30.07.1991

Автор: Солоухин

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, неразрушающего, пленок, характеристик, электрофизических

...кассет разной длины позволяет осуществить регистрацию ферромагнитного резонанса на двух частотах с последующим расчетом эффективного поля анизотропии Нфф и гиромагнитного отношения у по формулам1666994 И( йб 2 т 1Н 2 - Нгде б, Ь - частота СВЧ;Н 1, Н 2 - величина полей ФМР на частотах соответственно б и 12.На фиг. 1, 3 представлена конструктивная схема предлагаемого устройства; на фиг. 2, 4 - конструкция кассеты.Устройство содержит цилиндрический резонатор 1, размещенный между полюсами 2 источника постоянного магнитного поля так, что ось цилиндра совпадает с направлением постоянного магнитного поля. Резонатор 1 состоит из цилиндрического корпуса 3, к которому по направляющим 4 с одной стороны устанавливается кассета 5 для подложки, а...

Номер патента: 1674026

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Гобов, Рейдерман

МПК: G01R 33/05

Метки: локального, магнитного, поля, пространственного, распределения, регистрации

...фиг.2, где изображены зависимостиХ (Н), Н(Х), соответствующее распределе.ние Хв (Х) и зависимость Р(Но). Координатная зависимость суммарного поляН(Х)=Но+Нц(Х)+ЩХ), действующего напленку феррит-граната для тоех различныхзначений постоянного поля Н, показана нафиг.2 б. Из фиг.2 в видночто при отсутствииисследуемого поля - атой ситуации соответствует пунктир на фиг,2 б,в,г - кривые Х (Х)для различных Но Отличаотся только полО"(бвремя как площадь Я, Х (Х)ОХ остаетсянеизменной, т.е, Р(НО)сопм (пунктир нафиг,2 г), При наличии исследуемого ПОля градиент суммарного поля Н в точке Хо в общем случае отличается От градиента Кунеоднородного поля Ня, соответственно измеряется размер резонгнсной области и ве"личина поглощаемОй мощности Р....

Номер патента: 1674027

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Быстров, Григорьев, Комиссарова

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитного, поля

...показано мгновенное направление тока, протекающего по схеме).Способ осуществляется следующим образом.В измеряемое поле помещают пакет магнитоодноосных пленок с доменной структурой, просвечивают их лучом поляризованного света и регистрируют фотоотклик на выходе.Выражение изменения под действием доля светового потока, прошедшего пакет иэ 3-х пленок и анализатор, имеет следующий вид:дф 2 ЬЗП 2 рЗП 4 р-ЗЬЛ 2 соз фзи 4 ххузЬ 2 уЬ зп 2 фз 1 п 2 р где Ь - относительное намагничивание сенсора, происходящее при смещении домен 1674027ных стенок; для дальнейшего изложения существенно, что величина Ь связана с изменением площади разнополярнцх доменов и поэтому зависит от направления приложенного поля;ф- угол установки анализатора по...

Номер патента: 1677680

Опубликовано: 15.09.1991

Автор: Шелухин

МПК: G01R 33/05

Метки: доменосодержащих, магнитных, пленок, характеристик

...пленку 6, телевизионную передающую камеру 7, блок 8 анализа и импульсный источник 9 тока. 2 ил,не максимально возможного значения Н 1 =11= - Н макс. В случае, если первоначальнодоменная структура представляла собойрешеткуЦМД, то процесс измерения начнется с разрушения решетки ЦМД импульсами магнитного поля, направленногоперпендикулярно плоскости пленки, Циклически повторяют процесс образования иразрушения решетки ЦМД до тех пор, покас необходимой точностью не определят минимальную амплитуду магнитного поля, направленного параллельно плоскостипленки, достаточную для образования решетки ЦМД, по которой судят о напряженности поля одноосной анизотропии иминимальную амплитуду магнитного поля,направленного перпендикулярно плоскостипленки,...

Номер патента: 1684760

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Куликов, Прокушкин

МПК: G01R 33/05

Метки: волн, диссипации, магнитостатических, параметра, пленках, ферритовых

...волны (ООМСВ) распространяющиеся в обе стороны от сси МПЛ вдоль силовых линий внешнего магнитного поля, За счет того, что пленка феррита поднята над плоскостью МПЛ на расстояние 0,2-0,5 мм, эффективно возбуждаются ОПМСВ только с малыми значениями волнового числа Е и соответственно на частоте, близкой к частоте поперечного ферромагнитного резонанса. При рас- пространении вдоль силовых линий статического магнитного поля в обе стороны от оси МПЛ ООМСВ доходят до той области ферритовой пленки, которая расположена над магнитными шунтами, Благодаря эффекту нвтягивания 11 силовых линий магнитного поля в ферромагнетик, магнитное поле над шунтом уменьшается.Дойдя до этой области пониженного статического магнитного поля, ООМСВ испытывает...

Номер патента: 1691796

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Матковский, Михалевич, Скицкий, Убизский, Червинский

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, намагниченности, насыщения, неразрушающего, пленок

...расположенной в плоскости пленки, Цель изобретения - повышение точности измерений - достигается тем, что переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составляющей оптического сигнала проводят при использовании тангенциального магнитооптического эффекта. 2 ил,нитное поле прикладывают В плоскости пленки с амплитудой, в 2-3 раза превышающей коэрцитивную силу материала пленки, и регистрируют переменную составляющую тангенциального магнитооптического эффекта - экваториального или меридиональ- ф ного эффекта Керра при использовании 0 с отраженного света или эффекта Фогта при 0 использовании прошедшего света,вювгЪЗаказ 3926 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям...

Номер патента: 1698854

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Андарало, Васильев, Прокошин, Ярмолович

МПК: G01R 33/05

Метки: датчик, магнитных, полей, слабых

...пластины концентратора магнитного потока датчика;длина пластинь 1 концентратора магнитного потока датчика, и, кроме того, значейиеширины пластины выбираетсябольше . ее длины, а толщинапластины концентратора магнитного потока намного меньше его длины и ширины На фиг. 1 представлен датчик. Дат-.чик состоит из пластин концентраторов 1 и 2 магнитного потока и помещенного между пластинами датчика 3Холла, Приведенные математическиеформулы верны для расположения преобразователя Холла как в геометрическом центре торцов пластин, так и вдругих точках указанных торцов. Однако оптимальными характеристиками датчик обладает при расположении преобразователя в геометрическом центрефигуры, образованной сверху торцомконцентратора 1, а снизу торцом...

Номер патента: 1698855

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Гурзо, Прокушкин, Шараевский

МПК: G01R 33/05

Метки: намагниченности, насыщения, свч, ферритов

...Функциональных возможносе способа - достигется Одновременвоздействием пасто пнного кагнитго поля, лежащегс в плоскости пленки электромагня;ного поля на двухтотах, и Фиксацией вьгсодного сигнала, В пленке создактся условия для Формирования поверхностной магнитостатической волны и электромагнитной волны на каждой ;астсте . На основании интерференционной картины взаимодействия этих волн для 1 вух частот определяют постоянные распространения этих Волн а намагниченность насыщения рассчитывают го,ормуле, приве-. денной в Описании изобретения. 2 ип. передается на регистрирующство (например, самописецВ результате определяеФеренционная картина взаимбыстрой электромагнитнойтической волн (Фиг. 2),Из этой картины определ+ сяК й)-1 3а=С)и 0/ - О )Яи...

Номер патента: 1698856

Опубликовано: 15.12.1991

Автор: Прокушкин

МПК: G01R 33/05

Метки: линии, пленках, резонанса, свч, феррита, ферромагнитного, ширины

...линии;ширина микрополосковой ли 5 нии;инструментальная константа. Формула и з обре т е н и яСпособ определения ширины линии ферромагнитного резонанса в пленках меррита на СВЧ, включающий воздействие постоянного магнитного поля в плоскости пленки и импульсного . СВЧ магнитного поля, измерении выодной мощности СВЧ-сигнала с пленки, Изменение величины импульсного СВЧ магнитного поля, о т л и ч а ю щ и й" с я тем, что, с целью расширениядиапазона измеряемых пленок, измерение выходной мощности имйульсногоСВЧ магнитного поля производят на .частоте, равное половине частоты импульсного СВЧ магнитного поля, а ширину линии ферромагнитного резонанса определяют по формуле Н= К,Р /2 /2 и, - пороговый уровень мощности; - волновое...

Номер патента: 1718161

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Грязев, Нестеренко, Талуц

МПК: G01R 33/05

Метки: доменосодержащих, коэрцитивной, силы, структур

...второго выхода дешифратора 11 (фиг.2 е) устанавливает триггер 12 в единичное состояние. Высокий уровень с выхода триггера 12 поступает нэ управляющий. вход коммутатора 27 и,вызывает изменение полярности подключения напряжения, вырабатываемого источ- .5ником 26 питания, к входу биполярного источника 28 тока, что изменяет полярность тока и магнитного поля, создаваемого катушкой 29, на противоположное (фиг,2 л). Под действием магнитного поля происходит 10 сдвиг доменных. границ образца в другую сторону от равновесного положения.Импульс на третьем выходе дешифратора 11 полукадровой длительности (фиг.2 ж) появляется после завершения переходных процессов, вызванных изменением полярности магнитного поля в катушке 29, Этот импульс поступает на...

Номер патента: 1718162

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Ваньков, Зюзин

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропией, кристаллографических, магнитных, методом, направлений, орторомбической, пленках, резонанса, ферромагнитного

...симметрии кристаллографической, Данное устройство имеет следующее объяснение.Известно, что интенсивность линии ФМР пропорциональна мощности СВЧ-поля, поглощаемой при резонансе, которая определяется антиэрмитовыми компонентами тензора ЯЧ-восприимчивости. В случае линейно поляризованного СВЧ-поля можно показать, не теряя общности, что указанная интенсивность определяется мнимой частью соответствующей диагональной компоненты тензора ВЧ-восприимчивости. Если принять, что ВЧ-поле совпадает с осью Х локальной системы координат, ось Е направлена вдоль вектора намагниченности М, совпадающего с внешним магнитным полем и нормалью к плоскости пленки, то отмеченная мнимая часть будет иметь вид- + + (1) где у- гирамагнитное отнош е,а- параметр...

Номер патента: 1734058

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Грязев, Нестеренко, Талуц

МПК: G01R 33/05

Метки: исследований, магнитооптических, пленок, температурных, феррит-гранатовых

...работе устройства в режиме низких температур (от -50 С до комнатных) вентиль 11 открыт, а вентиль 12 закрыт. Газообразный криоагент, полученный, например, испарением жидкого азота, под действием избыточного давления поступает по трубоп роводам 13 и 9 в термостат 5, обтекает сверху и снизу образец 3 и выходит через отверстия в верхней и нижней стенках термостата (на фиг.1 показано стрелками). При непрерывной подаче криоагента воздух из 10 промежутка между объективом микроскопа2 и верхней катушкой, а также между конденсатором и нижней катушкой источника 6 вытесняется быстрее, чем объектив и конденсатор успеют охладиться до температу ры ниже точки росы. Это предотвращаетобмерзание объектива и конденсатора микроскопа. Регулируя ток...

Номер патента: 1614671

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Крышталь, Лисовский, Медведь, Попков

МПК: G01R 33/05

Метки: волн, затухания, магнитостатических, параметра, поверхностных

...10 циркулятор 3. Частота ПАВ Р при которой уровень сигнала отраженной ПИСВ частоты Го " РА максимален, соответст. вует резонансу рассеяния при попутном распространении ПИСВ и ПАВ, это рассеяние происходит в области А исследу емой пленки. Частота ПАВ Г, при которой имеет максимум сигнала частатц Г + Рь, соответствует резонансу рассеяния при встречном распростране нии НИСВ и НАВ, которое происходит в области В пленки. Определив частоту Р (или Р), снимают зависимость уровня сигнала отраженной ПИСВ частоты Г - РА(или й + Р ) от частоты Х 25Ь падающей ПИСВ в окрестности заданной частоты Г. Иащность ПАВ при этом устанавливают не больше той, при которрй ширина измеряемой частотной зависимости уже начинает зависеть от мощности ПАВ. Затем нахоцят...

Номер патента: 1755220

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Калиникос, Ковалева, Ковшиков, Кожусь, Панчурин, Север

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропии, констант, намагниченности, насыщения, неразрушающего, пленок, ферромагнитных

...значениям частот с помощью дисперсионных соотношений,2 ил.расстоянии. Измерительную секцию помещают в магнитную систему, создающую постоянное магнитное поле напряженностью Но, направленное вдоль оси антенн спиновых волн. При этом реализуется режим возбуждения поверхностной спиновой волны. С помощью СВЧ-генератора измеряют частотные зависимости отраженной мощности СВЧ-сигнала РО 2 р = фо) при двух различных направлениях магнитйого поля Но относительно кристаллографических осей пленки, что реализуется поворотом пленки относительно поля Но Как видно иэ фиг.2, зависимость Ротр, - 1 (в) имеет осциллирующий характер, а значения волновых чисел в точках минимумов зависимостей РО 2 р = 1 (в) определяются при Л р 2 = 0 иэ простого...

Номер патента: 1772774

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Казаков, Кожевников, Филимонов

МПК: G01R 33/05

Метки: анизитропии, пленки, полей, ферритовой, эпитаксиальной

...пленки относительно преобразователей, При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением(1, п, к) и проекцией поля ГГв плоскости пленки, Сигнал с частотой 1 от генератора 5 через аттеноатор б поступает на входной преобразователь 2, где преобразуется в МСВ, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. Сигнал с преобразователя 3 поступает на анализатор спектра 7, С помощью аттенюатора 6 увеличивают мощность входного сигнала до тех пор, пока ее величин не вызовет трехмагнонный распад МСВ Интенсивность этого распада столь вь.сока, что взаимодействие продуктов распада МСВ между собой приводит к образованию кинетической неустойчивости. которая проявляется в спектре прошедшего сигнала в виде...

Номер патента: 1803892

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Семенцов, Семенцова, Сидоренков, Тимченко

МПК: G01R 27/00, G01R 33/05

Метки: магнитных, пленок, тонких, электросопротивления

...анизотропии пленкиН(Н Н),ориентируют вдоль тока (соответствует /ъ = 0), Используя скользящиетоковые и измерительные контакты, вращают пленку в ее плоскости (изменяют угол ре).Максимальное значение О (О, О)/ (т,е, Е/при фиксированном(т,е.соответствует20 ре = О. Величина падения напряжения в соответствие с (2) определяется двумя угламиО ( фе, /Ъ). При фИКСирОВаННОМ ЗНаЧЕНИИсилы тока измеряют напряжение для Ъ = О,25при ъ = л/2 и для уе = л/2 при уп = 0 иопределяют значения Л Вп и ЛВе по форму- лам Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Связь напряженности электрического поля Е с плотностью электрического тока ) для анизотропной ТМП может быть представлена следующим образом: Е = Р + 2 оп(йп ЛЪп + 2 пе (йе 1) ЛРе где...

Номер патента: 1810855

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Беляев, Тюрнев

МПК: G01R 33/05

Метки: датчик, магнитного, поля

...Все это вместе снизит добротность микро- полосковых линий, изменит их волновое сопротивление и скорость СВЧ волны. Изменения этих параметров приведет к тому, что максимум затухания прошедшей СВЧ мощности переместится по частоте и уменьшится по величине. Частотная зависимость затухания СВЧ мощности для второго случая изображена на фиг,2 кривой 7.Рассмотрим третий случай, когда на частоте максимума затухания величина измеряемого магнитного поля Н близка к полю ферромагнитного резонанса, В этом случае комплексная магнитная проницаемость магнитной пленки 2 будет максимальной по модулю. Кроме того она будет иметь большую величину мнимой части, Это приведет к максимальному укорочению длины СВЧ волны, максимальному увеличению магнитных и...

Номер патента: 2005310

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Дроздова, Шагрова

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, полей

...магнитного поля взаимно перпендикулярны, в то время как в известном устройстве, выбранном в качестве прототипа, оптическая ось блока регистрации и век гор напряженности магнитного поля параллельны друг другу,На фиг, 2 показана форма микрокапельного агрегата вне поля - а; в слабом поле - б; при достижении пороговых значений поля Н 1, Н 2 и Нз - в, г, д соответственно.Принцип работы предлагаемого устройства основан на том, что напряженность магнитного поля определяют путем сравнения с пороговыми полями возникновения неустойчивостей микрокапельных агрегатов; по отношению к сильному удлинению в поле Н 1, по отношению к расщеплению торцов в поле Н 2 и по отношению к разрывам в поле НЗ, Низкое значение коэффициента поверхностного...

Номер патента: 1764423

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Абрамзон, Полякова, Равлик, Рощенко, Самофалов, Шипкова, Яковлев

МПК: G01R 33/05

Метки: композитного, магниторезистивного, магниточувствительного, основе, полоскового, тонкопленочного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПОЛОСКОВОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОМПОЗИТНОГО МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО МАТЕРИАЛА, включающий нанесение на подложку, размещенную в ориентирующем магнитном поле, направленном вдоль плоскости подложки, ферромагнитных магниторезистивных слоев и немагнитных прослоек между ними, а также формирование полоскового элемента, отличающийся тем, что, с целью улучщения метрологических возможностей элемента, нечетные слои наносят на подложку при любом заданном направлении ориентирующего магнитного поля относительно сторон подложки, перед нанесением каждого четного слоя направление ориентирующего поля изменяют на угол в пределах...

Номер патента: 1657004

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Грязев, Нестеренко, Талуц

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропии, доменосодержащих, напряженности, поля, структур

Устройство для измерения напряженности поля анизотропии доменосодержащих структур, содержащее последовательно оптически соединенные источник поляризованного света и поляризационный микроскоп, источник переменного магнитного поля, ориентированный вдоль оптической оси поляризационного микроскопа, источник постоянного магнитного поля, ориентированный вдоль фокальной плоскости поляризационного микроскопа, управляемый источник постоянного тока, согласующий элемент, цифровой вольтметр, измерительный вход которого подключен к выходу согласующего элемента, вход которого подключен к выходу источника постоянного магнитного поля, вход которого подключен к выходу управляемого источника постоянного...

Номер патента: 1292464

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Вавуленко, Лифшиц

МПК: G01R 33/05

Метки: дефектов, магнитных, одноосных, пленок, плотности, ферромагнитных

Устройство для измерения плотности магнитных дефектов одноосных ферромагнитных пленок, содержащее оптически последовательно расположенные источник света и поляризатор, оптически последовательно расположенные анализатор и передающую телевизионную камеру, усилитель-формирователь, видеоусилитель, синхрогенератор и видеоконтрольное устройство, вход которого через видеоусилитель подключен к выходу усилителя-формирователя, первый и второй входы которого соединены соответственно с передающей телевизионной камерой и первым выходом синхрогенератора, а также блоки перемещения X и Y, графопостроитель, первый одновибратор, счетчик и блок индикации, вход которого через счетчик соединен с выходом...