Способ измерения магнитного поля

(з 1)з 6 01 В ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ. (56) Авторское свидетельство СССР 3 Ф 1419326, кл, 6 01 В 33/05, 1988. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ(57) Изобретение может быть использовано для измерения магнитных полей. Цель изобретения - повышение чувствительности измерений за счет снижения уровня шумов. Изобретение относится к магнитнымизмерениям, а именно к способам измерения магнитного поля, основанным на регистрации смещения доменных стенок вчувствительном элементе при введении его висследуемое поле, и может быть использовано для измерения слабых постоянныхмагнитных полей.Цель изобретения - повышение чувствительности способа зв счет подавлениямагнитных шумов,На фиг.1 изображена блок-схема устройства, реализующего способ, состоящаяиз источника 1 света, поляризатора 2, схемы3 для создания модулирующего поля, многослойного образца 4, анализатора 5, фотоприемника 6, резонансного усилителя синдикатором 7.На фиг. 2 а,б в качестве примера представлены две схемы, обеспечивающие поляризационную модуляцию магнитным полем,Устройство, реализующее способ, пакет 4 магнитоодноосных пленок, анализатор 5, фотоприемник 6, резонансный усилитель с индикатором 7. В измеряемое поле помещают пакет 4 магнитоодноосных пленок, просвечивают их лучом поляризованного света и регистрируют фотоотклик на выходе пакета пленок. Одновременно воздействуют модулирующим полем, причем площадь поверхности пленок с одним мгновенным направлением магнитного поля в области засветки равна площади поверхности с антипараллельным мгновенным направлением магнитного поля. 2 ил. имеющим в любой момент времени противоположные направления в различных областях пленки (стрелками показано мгновенное направление тока, протекающего по схеме).Способ осуществляется следующим образом.В измеряемое поле помещают пакет магнитоодноосных пленок с доменной структурой, просвечивают их лучом поляризованного света и регистрируют фотоотклик на выходе.Выражение изменения под действием доля светового потока, прошедшего пакет иэ 3-х пленок и анализатор, имеет следующий вид:дф 2 ЬЗП 2 рЗП 4 р-ЗЬЛ 2 соз фзи 4 ххузЬ 2 уЬ зп 2 фз 1 п 2 р где Ь - относительное намагничивание сенсора, происходящее при смещении домен 1674027ных стенок; для дальнейшего изложения существенно, что величина Ь связана с изменением площади разнополярнцх доменов и поэтому зависит от направления приложенного поля;ф- угол установки анализатора по отношению к поляризатору;у - фарадеевский угол поворота плоскости поляризации в одной пленке,Способ основан на использовании нелинейных по Ь членов, содержащихся в,фотоотклике. Пусть к сенсору приложено два коллинеарных магнитнцх поля, измеряемое и модулирующее, создающее суммарное подмагничивание Ь "Ь пф)Ьи.соза т.При этом все нечетнц по Ьи члены скомпенсированы, так как по фиг,2, площади областей, отмеченных точкой с крестом, равны и скомпенсированы. Тогда при ф 45 единственная переменная компонента, сохранившаяся в третьем члене фотоотклика, примет вид- 12 Ь Я соз 2 и т з 1 пз 2 у = - 6 ЬцЬ 5 фзЬз 2 р соз 2 ат. Таким образом, измеряемое поле производит амплитудную модуляцию фотоотклика, принимаемого на несущей частоте2 й),5 Формула изобретенияСпособ измерения магнитного поля,включающий помещение пакета магнитоодноосных пленок в измеряемое магнитноеполе, освещение его пучком плоскополяри 10 эованного света перпендикулярно плоскости пакета пленок, поляризационнуюмодуляцию светового потока переменныммагнитным полем, направленным вдольоси, перпендикулярной плоскости пленок, и15 регистрацию фотоотклика на выходе иэ пакета пленок, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения чувствительности измерений, поляризационную модуляцию осуществляют магнитным полем, мгновенное20 направление которого противоположно вразличных участках засвечиваемой поверхности, при этом площади с различным направлением воздействующего переменногомагнитного поля равны между собой, реги 25 стрируют вторую гармонику частоты модуляции.Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 1 О каз 2918 Тир ВНИИПИ Государственного 113035, М408 Подписноеитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС ва, Ж, Раушская наб 4/5