Способ регистрации пространственного распределения локального магнитного поля

)5 0 01 В 33/05 ИСАНИЕ ИЗС)БРЕТЕ Я ся следующим обр Способ реализу зом,С помощью гене левой линии 2 возбу ное поле М, на ратора 1 в отрезке щеждается высокочастотравление которого ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Институт физики металлов Уральскогоотделения АН СССР(56) Беляев Б.А., Ким П.Д., Никулин С,Н.Потокочувствительная магнитная головкадля продольной и перпендикулярной цифровой магнитной записи. В сб.: Проектирование внешних ЗУ на подвижных носителях,Пенза, 1988.(54) СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ(57) Изобретение может быть использованодля пространственного распределения локальных магнитных полей. Цель изобретеИзобретение относится к магнитнымизмерениям может быть использовано дляисследования магнитных полей.Цель изобретения - повышение чувст" вительности и разрешающей способности,На фиг,1 приведена схема устройства,реализующего способ; на фиг.2 приведенызависимости, поясняющие реализацию способа.Устройство (фиг,1) содержит генератор1, отрезок щелевой линии 2, феррит-гранатовую пленку 3, регистрирующее устройство 4,ния - повышение точности измерения, Устройство, реализующее способ, содержит генератор 1, отрезок щел евой микрополосковой линии 2, феррит-гранатовую пленку 3, регистрирующее устройство 4, На феррит-гранатовую пленку воздействуют измеряемым локальным неоднородным магнитным полем, постоянным однородным магнитным полем, градиентным неоднородным магнитным полем и вы. сокочастотным однородным магнитным полем, изменяют величину постоянного магнитного поля и по зависимости поглощаемой мощности высокочастотного магнитного поля от постоянного однородного поля судят о пространственном распределении напряженности исследуемого локального поля, 2 ил. перпендикулярно плоскости феррит-гранатовой пленки 3. Однородное Н 0 и неоднородное Н постоянные поля направлены 41 вдоль щелевой линии (вдоль оси Х на фиг,1). фь При выполнении равенства Н=Н 0+Нв=Н, где Нг - резонансное поле на частоте 1 вы- с р сокочастотного поля; НМдХ (Мд - осиян- О ная), в одной иэ точек Х=Х 0 исследуемой области локального поля Н (Х) вблизи этой точки возникает область поглощения энергии высокочастотного поля.Принимая во внимание однородность Ь в напоавлении Х и считая упрощенно, что поле Ь однородно также по ширине щели и толщине пленки феррит-граната Р=ргдбйХ (Х)бх (1)е д - толщина пленки феррит-граната;б - ширина щели;1 ц - амплитуда напряженности высокочастотного пОля;Х - ммая част ысокочастоной вос.ПРИИМЧИВОСТИ ПЛЕНКИ,Пример реализации спссоба иллюстрируется фиг.2, где изображены зависимостиХ (Н), Н(Х), соответствующее распределе.ние Хв (Х) и зависимость Р(Но). Координатная зависимость суммарного поляН(Х)=Но+Нц(Х)+ЩХ), действующего напленку феррит-граната для тоех различныхзначений постоянного поля Н, показана нафиг.2 б. Из фиг.2 в видночто при отсутствииисследуемого поля - атой ситуации соответствует пунктир на фиг,2 б,в,г - кривые Х (Х)для различных Но Отличаотся только полО"(бвремя как площадь Я, Х (Х)ОХ остаетсянеизменной, т.е, Р(НО)сопм (пунктир нафиг,2 г), При наличии исследуемого ПОля градиент суммарного поля Н в точке Хо в общем случае отличается От градиента Кунеоднородного поля Ня, соответственно измеряется размер резонгнсной области и ве"личина поглощаемОй мощности Р. Придостаточно большой величине Му эффектив"ный размер ЛХ области поглощения мсокно считать малым по сравнени;о с периодомнеоднородности локального поля ЩХ). Тогда выражение (1) можно записать в видеР= лддйХ ЛХ, (2)где Хп; - резонансное значение Х,1причем в точке Хо, где выполняется условиеН,+Н=Нг, величина кх градиента суммар"ного поля равна 3 (х)=-1+бНйх. ВычисляяЬ Х как Отношение Эффективной шириныЛ Н кривой Х (Н) кривой Х (Н) фиг.2 а) квеличине к(Х) и подставляя в (2), имеем,Р(Хо) =л;дд 11 д Хр - ",(3)к 0-, х-к,Из (:3) получаемд НРгдб 1 ЦХпЬН1 х = 1 о 1 О где Хо=(Нг-Но)йд,Таким образом, выражение.4 иллюстрирует получение зависимости градиента исследуемого локального поля от координаты вдоль направления Х. Распределения напряженности поля Н,(Х) может быть получено путем интегрирования (4) по Хо или с учетом линейности связи Хо с Но, интегрирования по Но.Изменение мощности Р при изменении Но приводит к пропорциональному изменению мощности, прошедшей в детектор 4 (фиг.1). 15 20 25 ЗО 35 40 45 Формула изобретения Способ регистрации пространственного распределения локального магнитного поля, включающий воздействие на моно- кристаллическую феррит-гранатовую пленку исследуемого магнитного полл, постоянного Однородного магнитного поля и высокочастотного магнитного поля и реги- страци 1 О изеея магнитного состояния пленки, О т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности и разреша 1 ощей способности, дополнительно воздей 1 ствуют на феррит-гранатовую пленку неоднородным магнитным полем с постоянным с плоскости пленки градиентом, причем высокочастотное магнитное поле формируют однородным в направлении градиентом, г,ричем высокочастотное магнитное поле формируют однородным в направлении градиента неоднородного магнитноо поля, изменяют величину постоянного однородного поля до достижения на краях исследуемой области локального поля равенства суммарного значения напряженности постоянного однородного и неоднородного полей величине поля ферромагнитного резонанса пленки феррит-граната на частоте высокочастотного поля, о пространственном распределении локального магнитного поля в направлении градиента неоднородного поля судят по зависимоси поглощенной в пленке вь 1 сокочастотной мощности от величины постоянного Однородного магнитного поля.1674026хОО ВОЯ ООРог,РСоставитель А, Романовктор М. Недолуженко Техред М.Моргентал Корректор М. Кучеряв каз 2918 Тираж 407 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/биэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101