G01N 21/55 — способность к зеркальному отражению
Способ определения степени доломитизации карбонатных пород
Номер патента: 1702260
Опубликовано: 30.12.1991
Авторы: Крылова, Мельников, Моисеенко
МПК: G01N 21/55
Метки: доломитизации, карбонатных, пород, степени
...экстинкции для кальцита и доломита на соответствующих длинах волн.Решая совместно систему уравнений (2) и уравнение (1), имеем констант э, Ь, с и д определяются при тех же условиях спектрометрирования по эталонным образцам чистого кальцита и доломита.Анализ уравнения (3) показывает, что абсол ют. ое соде ржан ие доломита в породе С 1 зависит от разности отношений оптических плотностей пробы с соответствующими коэффициентами пропорциональности и не зависит от толщины пробы,При этом для определения величин всех оптических плотностей пробы в соответствии с соотношением О (Л) = и д впад ЛПр качестве величины интенсивности падающего излучения пад(Л) используется интенсивность прошедшего через пробу излучения на длине волны 13,5 мкм, так как...
Способ определения отражательной способности поверхности материалов
Номер патента: 1714473
Опубликовано: 23.02.1992
Авторы: Варюхно, Запорожец, Цыганов
МПК: G01N 21/55
Метки: отражательной, поверхности, способности
...частоты всплесков тангенциальной составляющей силы сопротивления (фиг, 3) и сме щением частотного распределенияплотности вероятности отклонения этой силы от среднего значения вдоль трассы сканирования в область низких частот(фиг. 4),10 Таким образом, струклурное состояниеповерхностного слоя определяется сопротивлением локальных участков контактному деформированию при сканировании алмазным индентором на приборе для склеромет рических исследований материалов. Прииспытаниях этими приббрами сила трения. алмазного индентора модулируется с частотой расположения фрагментов, характеризуется близкими по значению амплитудами 20 вследствие изменения прочности на границе и внутри локальных областей.В общем случае математическое описание...
Способ контроля оптической анизотропии светорассеяния плоских волокнистых материалов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1723503
Опубликовано: 30.03.1992
Авторы: Калличаран, Суриков, Шляхтенко
МПК: G01N 21/55
Метки: анизотропии, волокнистых, оптической, плоских, светорассеяния
...фотоприемники подсоединены к блоку 10 регистрации, так, что сигнал, снимаемый с фотоприемников, установленных в каждой плоскости, суммируется, т,е. возрастает в два раза. В случае, когда полезным сигналом, снимаемым с фотоприемника, является ток, фотоприемники соединяются параллельно, Блок регистрации выдает на выходе значение коэффициента оптической анизотропии,Во избежание паразитной засветки фотоприемников светом, отраженным от боковой поверхности светозащитного цилиндра 9, его внутренняя поверхность покрыта светопоглощающим материалом,Для проверки работоспособности на оптической скамье был собран лабораторный макет устройства. В качестве источника 1 света был использован Не - Ке лазер с не- поляризованным излучением (ЛГИБ)....
Лазерный проекционный микроскоп
Номер патента: 1728736
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Бакиев, Валиев, Кряжев
МПК: G01N 21/55
Метки: лазерный, микроскоп, проекционный
...изображения в плоскости 7 в точке скоординатой К. Из объектива 2 этот луч выходит из точки с координатой Хл под углома к оптической оси в плоскости ХОЕ,где а=ыведено А жно сразющее вели ЬьЛ=Тогда1 2 ХхА = - хл-- 1.В соответствии с приведе2Ь 1 ыми услови- -- - Хв+Хл х Х удовлетворяющих условию у уу- -2 ХбХд,Поэта-ХПоскольку Хб-г, г, где г бражения поверхности объект 7, то должно выполняться услг га(Х - Х)/Ь, Ь - расстояние от главной плоскости объектива 2 до плоскости изображения 7. Очевидно, что луч, обратный рассматриваемому, при зеркальном отражении от обьекта 3 и после прохождения через объектив 2 через точку с координатой Х должен быть закрыт экраном, так как в противном случае нарушается условие освещения по методу темного поля....
Способ определения вида естественной подстилающей поверхности
Номер патента: 1733979
Опубликовано: 15.05.1992
Авторы: Иванченко, Черешанский
МПК: G01N 21/55
Метки: вида, естественной, поверхности, подстилающей
...среднего яркостного контраста поверхности в двух спектральных диапазонах К(ЛЛ 1, М 2 ), который определяется какК ( М 1, ЛЛ 2 ) =пч ( М 1 ) п ( М 2 ),(1)где Ь 1 - средняя яркость поверхности 1-й группы;лЛ 1, ЛЛ 2 - спектральные диапазоны.Учитывая, что большинство естественных поверхностей является диффузными ламбертовыми отражателями, яркость их при активном зондировании потоком спектрального диапазона выражается как3 п 1 (ЛЛ) =рЛ е Д,ЛI.1 г, (2) где рдЛ - коэффициент отражения поверхности;Е дЛ - освещенность поверхности, создаваемая излучателем с яркостьюЛ и определяемая дальностью 1,где р у рЛ,1, - коэффициенты отражения поверхности для спектральных диапазонов Ла и ЛЬ соотве,ственно.Установлено, что максимальные значения яркостного...
Оптическое устройство регистрации зонального и интегрального светопропускания и отражения в оптическом образце
Номер патента: 1753376
Опубликовано: 07.08.1992
Автор: Смолкин
МПК: G01N 21/55
Метки: зонального, интегрального, образце, оптическое, оптическом, отражения, регистрации, светопропускания
...оптической оси. Кроме того, приемники излучениянаходятся в охлаждаемых капсулах 11, что .вместе с подвижками приемников также по вышает точность измерения излучения и еговоспроизводимость во времени.Оптическое устройство работает следующим образом,Источник 1 света проектируется сферическим зеркалом 4 в апертурную диафрагму .10 15 20 образца и перемещается по радиусу образца в плоскости, перпендикулярной плоскопомощью приводов 12, 13, Таким образом, . зондирующий пучок может быть направленв любую зону измеряемого образца без из менения угла падения его на образец. Ре" жим работы приводов 8; 12; 13, аследовательно, и закон сканирования образца относихельно зондирующего пучка 35 интенсивности соответственно прошедшего и отраженного...
Устройство для определения отражательной способности твердых тел
Номер патента: 1755126
Опубликовано: 15.08.1992
Авторы: Брязун, Илясов, Маклюков, Тюрев, Швец
МПК: G01N 21/55
Метки: отражательной, способности, твердых, тел
...7 света. Отсюда сторона рассматриваемого треугольника - ВС будет равна-произведению АСх 19( р /2), где сторона АС представляет, собой- сумму расстояний а и Ь.Тогда, вводя обозначение с 9( р /2) К, пол 5 10 учим,что ВС = (а + Ь)К. Нетрудно показать, что сторона ВС определяется также величиной(б - бвых) /2. Приравнивая зту величину к выражению стороны ВС через расстояния а и Ь, получим, что диаметр отверстия 9 б = бвых + 2(а+Ь) фК. Аналогичным путем получается соотношение и для диаметра отверстий 16: б = бвых + 2(а + Ь) К,Если принять диаметр выходного отверстия 13 (бвых) равным 4 мм, расстояние от него до держателя 3 образцов 4 (а) равным60 мм, а расстояние от держателя образцовдо отверстия 9 (Ь) равным 140 мм, то припараметре...
Способ определения порога разрушения поверхности оптических изделий
Номер патента: 1762194
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Антонов, Буханов, Суденков, Юревич
МПК: G01N 21/55
Метки: оптических, поверхности, порога, разрушения
...который усиливается широкополосным усилителем 10 и регистрируется измерительным осциллографом 11.Сущность изобретения заключается в том, что используется дифференциальный способ измерений: сигнал Аи от испытуемой поверхности сравнивается с сигналом Аэ от эталонной поверхности, регистрируется их разность Ь А. Сравнение сигналов термодеформаций различных материалов возможно в связи с тем, что в интервале (2-500)10 с после начала короткого (10 - 10 с) лазерного импульса их временной профиль близок к стационарному и практически не зависит от конкретного материала. В связи стем, что эталонная поверхность не должна подвергаться разрушению, величина потока энергии импульсного оптического излучения, воздействующая на нее, должна быть...
Способ определения спектральных направленно-полусферических коэффициентов отражения образцов
Номер патента: 1770850
Опубликовано: 23.10.1992
Авторы: Скоков, Судариков, Титов, Фомичев
МПК: G01N 21/55
Метки: коэффициентов, направленно-полусферических, образцов, отражения, спектральных
...канала, Световой диаметр Оо зеркала 255 выбран из условия Оо = 41 ф, где т- фокусноерасстояние зеркала 2. Плоское зеркало,4имеет возможность линейного перемещения в направлении, перпендикулярном оптической оси зеркала 2, что позволяет5 10 изменять угол падения света на образец 3. Приемник излучения 5 с помощью устройства сканирования имеет возможность перемещения в плоскости, перпендикулярной оптической оси зеркала 2. Спектральный направленно-полусферический коэффициент отражения определяют следующим образом. Измеряемый и эталонный образцы последовательно помещают в фокус зеркала 2, а плоское зеркало 4 устанавливают в положение, обеспечивающее освещение образцов под требуемыми углами, Источник света 7 формирует параллельный пучок лучей...
Способ определения линейных перемещений объектов с плоской зеркально-отражающей поверхностью
Номер патента: 1774233
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Бурков, Каленик, Караштин, Катович, Кузнецова, Малков, Радул
МПК: G01N 21/55
Метки: зеркально-отражающей, линейных, объектов, перемещений, плоской, поверхностью
...световодами 1 - 3 соответственно, блок измерения полусуммы сигналов, электрически связанный с фотоприемниками 6 и 7, блок 9 фсрмлрования отношения сигналов, к которому подключены блок 8 и фотоприемник 5, коллимационное устройство 10, расположенное между источником света 11 и центральным волоконным световодом 1. Волоконные световоды 1 - 3 имеют одинаковый апертурный угол О, коллимационное устройство имеет апертурный угол Оо, свяЗаННЫй С Емгкс соотношением,ГДЕ Я ргкс МаКСИмаЛЬНО Воэмсжнов УГЛО вое отклонение отражаощей поверхности от заданного исходного положения.Сформированный ксллимацлснным устройством 10 пучок света от источника 11 через подводящий торец центральногс световода 1 направляют на отражающую поверхность 4, При...
Способ определения свинца в биологическом объекте
Номер патента: 1778640
Опубликовано: 30.11.1992
МПК: G01N 21/55
Метки: биологическом, объекте, свинца
...определение содержания свинца в различных органах, тканях человека и животного ( и 8; рН 2-10, аналитическая линия РЬ - 217,0 нм )Най ено, мкг/кг Анализируемые пробы различных органов, тканей человека и животного Содержание металла в различных органах,тканях человека и животного,мкг/кгэкстракционнофотометрическим Яг Мышечная ткань562 0,01 562 + 5,1 0,02 495 .ф 8,6 001 378 й 34 0,02 306 6,0 576 540 0,02 540 ф 9,4518 + 13.7354+ 6,9329 +8,6 Легкие Почки Печень 483 495 518 0,03 394 378 354 0.02 290 306 329 0.03 П р и ме ч а н и е: Х - среднее арифметическое значение содержания металла в различныхорганах, тканях человека и животного;и - число повторений эксперимента;55 г - относительное стандартное отклонение:1 р,л - коэффициент...
Устройство для низкотемпературных измерений оптических характеристик образцов
Номер патента: 1778641
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Воробьев, Демишев, Пелых, Ширков
МПК: G01N 21/55
Метки: измерений, низкотемпературных, образцов, оптических, характеристик
...луча так, что передняя поверхность образца делится на симметричные части,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Благодаря этому при изменении угла падения луча на поверхность образца 7 в пределах ат 0 до 90", осуществляемого путем вращения держателя вокруг своей оси, и измерении соответствующих характеристик пропускания, отражения и рассеяния, осуществляемого путем вращения платформы 4 с фотоприемником 12 и системой зеркал 13 и 14 вокруг той же оси, оптическая длина хода лучей не изменяется, расфокусировка системы не происходит,Устройство работает следующим образом.В начале устанавливают образец 7 в держатель 6, вакуумируют внутреннюю полость криостата, и, подавая хладагент, например, жидкий гелий в теплообменник 8 системы регулирования...
Способ измерения коэффициента отражения исследуемого материала
Номер патента: 1798666
Опубликовано: 28.02.1993
Авторы: Копылова, Николаев, Ульянов
МПК: G01N 21/55
Метки: исследуемого, коэффициента, отражения
...от воздействия второй части отраженного светового потока(Фот) на чувствительный элемент 8, Величина Кг регулируется с помощью переменныхрезисторов 14 и 15;Оо - амплитуда стабилизированного источника питания 16 мостовой схемы 1,Получают измеряемый сигнал (Х 2) ихтретьей части отраженного потока, вырабатываемый мостовой схемой 2 и определяемый выражением;Хг- КО,где К - коэфФициент передачи мостовойсхемы 2 в. зависимости от воздействиятретьей части отраженного светового потока ( Фот) на чувствительный элемент 17 (коэффициент отражения);О - питание мостовой схемы 2, котороевырабатывается фазочувствительным интегральным усилителем 3 и формируется отвходного сигнала, равногоОвх Х 1 - Х 2 = Оа (К 1 К 2) КО, (1)где Х 1 - выходной сигнал...
Датчик загрязнения оптической поверхности
Номер патента: 1800324
Опубликовано: 07.03.1993
МПК: G01N 21/55
Метки: датчик, загрязнения, оптической, поверхности
...призмой 2, на разных гранях которой (имеющих между собой угол 90) размещены излучатель 3 и приемник излучения 5, Это обеспечивает оптическую связь излучателя и приемника излучения с контролируемымстеклом 1 через призму 2. На третьей грани (противолежащей прямому углу) нанесено светоотражающее покрытие 4. Согласно второму варианту призма может быть усечена плоскостью, параллельной третьей грани, прилегающей к контролируемому стеклу, образуя поверхность 6, При использовании датчик устанавливают указанной третьей гранью на контролируемое стекло 1 с обеспечением оптического контакта между ними (например, посредством прозрачной смазки или оптически плотной притирки).Излучение от излучателя 3 и призму 2 проникают в стекло...
Способ определения суммарных потерь в световоде и устройство для его осуществления
Номер патента: 1802316
Опубликовано: 15.03.1993
МПК: G01N 21/55
Метки: потерь, световоде, суммарных
...чувствительность устройства: Ф =30, 15Номера гармоник Кмин и й, на которыедолжны быть настроены фильтры (6, 7), определяем из соотношения Кмис/К = Ф/360= 1/12, Этому соотношейию удовлетворяетряд номеров, Выберем К,н = 1 и й = 12, 20Требуемую частоту модуляции оптического излучения 1 рассчитываем по формуле1 = с/(Ю и). 1 = 417 кГц, для случая 1 = 40 м,и = 1,5, с = Зх 10 м/с, Источник оптическоговизлучения (1) модулируем модулятором (2) 25периодической импульсной последовательностью частотой следования 1 = 417 кГц,Фотоприемником 5) регистрируем последовательность многократно прошедшихпо световоду (4) оптических импульсов, 30Фильтрами (6, 7), настроенными на частоту 11 = 1 х 1 = 417 кГц и 12 = 12 х 1 = 5000 кГц,измеряем амплитуды...
Способ измерения абсолютного коэффициента отражения
Номер патента: 1807348
Опубликовано: 07.04.1993
Автор: Ефимов
МПК: G01N 21/55
Метки: абсолютного, коэффициента, отражения
...до получения на шкале регистрирующего прибора с обоих каналов поочередно сигнала 1, соответствующего абсолютному коэффициенту отражения, равному 1, вводят в соответствующие каналы призменные системы: сравнительную, состоящую из призм 10 и 11 в сочетании с оптическим нейтральным ослабителем 12, имеющим абсолютный коэффициент пропускания То = 10 ", где и - целое число, нормирующее порядок диапазона измеряемого абсолютного коэффициента отражения, и измерительную, состоящую из призм 13 и 14, расположенных симметрично относительно измеряемого образца 15. Одинаковым для обоих каналов увеличением интенсивности моно- хроматического пучка и коэффициента усиления сигнала с приемника излучения, 405055 внутреннего отражения в сочетании с...
Способ определения зольности угля
Номер патента: 1809372
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Андреечкин, Бершак, Панин, Сытников
МПК: G01N 21/55
...на него груз 7 Масса груза 7 должна превосходить более чем 80 раз массу пробы 5, расположенной на разграничительном стекле 4, На фиг. 8 - 9 приведены экспериментальные зависимости отраженных от угольных проб заданной зольности сигналов в зависимости от соотношения масс пробы 5 и груза 7, На фиг. 9 35 - для проб угля марки "А" ЦОФ "Свердловская" с зольностью 6 о - для проб угля марки "Г. ЦОФ "Луганская" с зольностью 3. Из данных, приведенных на фиг. 8 и 9 сле-, дует, что только при соотношении М/гп 80, 40 где гп - масса пробы угля 5, М - масса груза 7, значение Отраженного от угольной пробы 5 сигнала стабилизируется, следовательно, стабилизируется и поверхность контактирования частиц пробы с разграничительным 45 стеклом 4,...
Способ определения ориентации полупроводниковых кристаллов
Номер патента: 1822944
Опубликовано: 23.06.1993
Автор: Духовников
МПК: G01N 21/55
Метки: кристаллов, ориентации, полупроводниковых
...вещества. При пересе снии нескольких трещин происходит выкалывание части вещества. В кристаллических веществах трещины образуются в направлении кристаллографических плоскостей, 1822944соответствующих минимальной прочности межатомных связей. Таким образом, стенки выколок являются своеобразными "микроэеркалами", параллельными плоскостям скола и, очевидно, параллельными друг другу, Это приводит к тому, что матовая шлифованная поверхность кристалла отражает свет не диффузно, а почти направленно, При освещении шлифованного участка лазерным узким лучом на экране наблюдаются очень резкие максимумы интенсивности света. Полупроводники типа баАз, 1 пЗЬ, ОаЯЬ, пР дают максимумы различной интенсивности, т. к. их скалывание происходит...
Способ измерения абсолютного значения коэффициента отражения зеркала
Номер патента: 1824546
Опубликовано: 30.06.1993
Автор: Знаменский
МПК: G01N 21/55
Метки: абсолютного, зеркала, значения, коэффициента, отражения
...Его оптическая поверхность направлена в сторону вспомогательного 30 объектива 4, фокус которого совмещается сцентром диафрагмы сферического зеркала 5 и располагается как бы на продолжении отражающей поверхности сферического зеркала в его центре. Устанавливается зеркало 35 б и в иэделиедержателе 7 и при перемещении последнего вдоль оптической оси добиваются совмещение фокуса измеряемого зеркала с центром зеркала 5 и фокусом вспомогательного объектива 4, Факт совме щения регистрируется визуально по появлению отраженного от зеркал 6 и 5 излучения и возвращению излучения без виньетирования через диафрагму зеркала 5, а также по сигналу фотоприемника. Отра женное от светоделителя 3 излучение проходит оптическую часть 8 фотоприемного...
Рефлектометр для вогнутых зеркал
Номер патента: 1824547
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Барская, Новосельская, Семенова
МПК: G01N 21/55
Метки: вогнутых, зеркал, рефлектометр
...2 представляет пример конкретного выполнения сопряжения рефлектометра со спектрофотометром РЕдля измерения спектрального коэффициента отражения вогнутых зеркал.Оптические элементы 1 - 4 (те же, что 1-4 на фиг. 1) помещаются в кюветное отделение спекрофотометра, Оптическое сопряжение с ним обеспечено согласующей системой 5-9. Плоское зеркало 5 установлено напротив входного окна кюветного отделения. Коллектив 6 и объектив 7 имеют одинаковые фокусные расстояния и разнесены друг от друга на двойное фокусное расстояние, Размеры, место и поворот плоских зеркал 5,8 и 9 определяются конструктивно,Схема работает следующим образом.Излучение в отсутствие рефлектометра проходило кюветного отделение насквозь и образовывало в центре...
Способ измерения абсолютного значения коэффициента отражения зеркал
Номер патента: 1827590
Опубликовано: 15.07.1993
Автор: Знаменский
МПК: G01J 3/42, G01N 21/55
Метки: абсолютного, зеркал, значения, коэффициента, отражения
...реально точность измерений в аналоге заявляемого снособадаже нижеточности, достигаемой в установке прототипе способа иэ-за влияния зональных изменений коэффициентов "О отражения плоских зеркал, используемыхпри измерении а разных потоках излучения.Кроме того, измерения а этой установке осуществляются при углах наклона зеркала к оптической оси.45 П р и м е р, Формирующая оптика 2. создает параллельный поток излучения отисточника 1. Устанавливается светоделитель 3 под углом 45 к оптической оси излучения 1. Его отражающая поверхность 5 О направлена в сторону вспомогательногообъектива 4, фокус которого совмещается с фокусом вспомогательного сферического зеркала 5 так, что его диафрагма располагается симметрично относительно оптической 55 оси...
Способ оптического контроля однородности состава твердого раствора на основе полупроводников
Номер патента: 1783933
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Козловский, Марков, Насибов, Федоров
МПК: G01N 21/55, H01L 21/66
Метки: однородности, оптического, основе, полупроводников, раствора, состава, твердого
СПОСОБ ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СОСТАВА ТВЕРДОГО РАСТВОРА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение электромагнитным излучением химически полированных поверхностей исследуемого образца или его ествественных сколов в различных точках, регистрацию энергетических спектров, их сравнение и контроль однородности материала на основе этого сравнения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности контроля, осуществляют облучение кристаллографически эквивалентных поверхностей исследуемого образца с энергией квантов, не меньшей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника, регистрируют спектры экситонного отражения или люминесценции, выделяют на спектрах характеристическую линию экситонного...
Рефлектометр (его варианты)
Номер патента: 1143181
Опубликовано: 30.04.1994
Авторы: Антропов, Иванисов, Параев
МПК: G01N 21/55
Метки: варианты, его, рефлектометр
1. Рефлектометр для измерения коэффициента отражения лазерных зеркал, содержащий источник излучения и установленные последовательно по ходу его излучения светоделитель, опорное зеркало, столик для размещения исследуемого зеркала, приемник излучения и регистрирующий прибор, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, между светоделителем и опорным зеркалом дополнительно введена линза, а опорное зеркало, обращенное рабочей поверхностью в противоположную от линзы сторону, выполнено с отверстием, совмещенным с точкой фокуса линзы в плоскости рабочей поверхности зеркала, при этом столик для размещения исследуемого зеркала снабжен механизмом поступательного перемещения вдоль оси линзы.2. Рефлектометр для измерения...
Способ определения степени разложения торфа а. е. афанасьева
Номер патента: 1672816
Опубликовано: 30.12.1994
Автор: Афанасьев
МПК: G01N 21/55
Метки: афанасьева, разложения, степени, торфа
Способ определения степени разложения торфа, включающий подготовку образца торфа и облучение его потоком излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности измерений, подготовку образца осуществляют путем доведения торфа до вязкопластичного или текучего состояния, облучают инфракрасным излучением образец, расположенный на пористой пластине, при воздействии на него по крайней мере двух величин капиллярных давлений P1 и P2, измеряют соответствующие им отношения U1 и U2 интенсивности отраженного инфракрасного излучения к интенсивности этого излучения с отфильтрованными длинами волн, соответствующими полосам поглощения воды, и рассчитывают степень разложения торфа Rт по...
Устройство для исследования отражения
Номер патента: 1120810
Опубликовано: 09.01.1995
Авторы: Лакиза, Малащенко, Мезенов
МПК: G01N 21/55
Метки: исследования, отражения
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТРАЖЕНИЯ, содержащее последовательно расположенные источник излучения, зеркально отражающую полусферу, приемник излучения, центр чувствительной площадки которого расположен в плоскости основания полусферы симметрично относительно центра полусферы с точкой пересечения оптической оси устройства с плоскостью основания полусферы, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения и расширения диапазона измеряемых параметров, полусфера выполнена полупрозрачной.
Установка для высокотемпературных измерений спектрального коэффициента зеркального отражения
Номер патента: 1662229
Опубликовано: 27.11.1995
Автор: Хотеев
МПК: G01N 21/55
Метки: высокотемпературных, зеркального, измерений, коэффициента, отражения, спектрального
...усилителем переменного тока приемно-измерительного блока установки. В качестве эталона может быть выбрано зеркало из платины или другого материала с известными характеристиками отражения, выдерживающего температурунагрева в ходе эксперимента. Эталон и образцы должны быть одинаковой толщины, Устанавливают их по разметке на поверхности столика, как показано на фиг.З,Нижние поверхности прозрачных образцов и эталона шлифуют во изображение направленного отражения от них, а верхние - полируют, При измерении коэффициентов отражения расплавов каждый образец помещают в свою керамическую кювету, состоящую из основания и бортиков, соединенных между собой жаропрочной обмазкой, наносимой с наружной стороны кюветы. Это позволяет выполнять...
Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур
Номер патента: 513562
Опубликовано: 20.05.2000
Авторы: Кравченко, Марончук, Сеношенко, Соловьев, Шерстяков, Энтин
МПК: G01N 21/55
Метки: варизонных, полупроводниковых, структур, характеристик
Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.