Формирователь импульсов выборки элементов памяти

айва О П И С А.И."И,.Ж ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Ж)7368 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51) М. Кд. С 11 С 1 присоединением заявки .% осудврстввнньй яокятот СССР оо делам изоорвтони н открытий3) Приоритет Опубликовано 25,03.80. Бюллетень Дата опубликования описания 28.0. Подопригора Н. ятчен Московский институт электронной техник(71) Заявител 4) РОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ ВЫБОРК ЭЛЕМЕНТО ПАМЯТИ ам в напряжТак кр- и-р ктору ине в анз ния 8;О - падение напряжен смешения 9; истор 4 й иод Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использованов запоминающих устройствах,Известны адресные формирователи импульсов выборки элементов памяти 1 - 31В каждом из них на выходе формируется положительный импульс напряжения,который позволяет в матрице накопителявыбрать необходимый элемент памяти.Однако известные устройства имеютмалую надежность.Целью изобретения является повышение надежности формирователя без увеличения потребляемой мощностиДостигается это введение устройство. дополнительного и -р- п транзистора,база которого подключена к колле1 т-р-и транзистора, эмиттер к ш ыборки, коллектор к базе р-ир тр иьтора, а база и-р-п транзистора подключена к входной шине.формирователь импульсов выборкиапежнтов памяти содержит транз 1о-р-о транзистор 2, резисторы 3 5, шина 6 выборки элементов памяти,генератор 7 тока выборки, источник8 питания, последовательно включенные. диоды 9 смещения; дополнительныйи-р-о транзистор 10,В режиме покоя ток генератора токавыборки 7 равен нулю, Предположим, чтои-ртранзистор 2 открыт, а ц-р-итранзистор 10 закрыт. Тогда за счет тока коллектора транзистора 2, обусловленного током шины выборки 6 1,ь,нарезисторе 5 создается падение напряжения и напряжение база-эмиттер дополнительного и-р-д транзистора 10 меньшеения база-эмиттер транзистора 2,ак транзистор 10 закрыт, то итранзистор 1 тоже закрыт. Потенциал шины выборки 6 определяется какоО =Е-О -1 Р апряжение источника питагде 0 .,ц- падение напряжения нвпереходе база-эмиттер открытого транзистора 10;1 - ток базы транзистора 10; Й - сопротивление резистора 5Причем О " О , , т,е, произошло повышение потенциала шины выборки 6.После того, квк выключится генератор тока выборки 7, начнется повышение по 30 вьнцивлв базы транзистора 2. Так как р-и-р транзистора 1 является более инерционным, чем п-р-и транзисторы 2 и 10, то его ток коллектора обеспечивает повышение потенциала базы транзистора 2 настолько, что включается транзистор 2 и выключается транзистор 10. Это приводит формирователь импульсов в первоначальное состояние, когда транзистор 2 открыт, а транзисторы 1 и 10 закрыты, В свою очередь, потенциал шины выборки 40 7236830 - падение напряжения нв перехоБЭЯде бвзв-эмиттер открытоготранзистора 2;1 - ток базы транзистора 2;Йд - сопротивление резистора 4.5В момент выборки включается генератор тока выборки 7 и его ток понижает потенциал базы транзистора 2. Включается транзистор 10 и транзистор 1. Пока включен генератор тока выборки 7, тока 10 коллектора транзистора 1 недостаточно, чтобы повысить потенциал базы транзистора 2, поэтому он остается закрытым, В данном состоянии потенциал шины вы борки элементов памяти 6 определяется 1 квкее. и 6 э 40 бю 5 1 4элементов памяти 6 понижается ло значения О = О,В преллагаемом устройстве р-и- р транзистор 1 играет вспомогательную роль и его сравнительно низкое быстродействие не влияет на скорость повышения потенциала шины выборки 6.Увеличение быстродействия формирователя достигается без увеличения потреЬ ляемой мощности.формула изобре те нияФормирователь импульсов выборкиэлементов памяти, содержащий р-и-ртранзистор, база которого через первыйрезистор и эмиттер соединеньг с шинойпитания, и-р-и транзистор, база которогоподключена к коллектору р-п-р транзистора и через последовательно соединенныевторой резистор и диоды смещения к шине питания, коллектор через третий резистор подключен к шине питания, аэмиттер к шине выборки, и входную шину, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения надежности, он содержитдополнительный и -р-и транзистор, базакоторого подключена к коллектору и-р-итранзистора, эмиттер к шине выборки,коллектор к базе р-и-р транзистора, вбаза и-р-и транзистора подключена квхолной шине.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Патент франции Ъ 2112364,кл,11 С 11/00, 1972,2. Патент США М 3624620,кл. 340-173, 1972.3, Электроника, И 9, 1974,72368 1 437/39 Ти БНИИПИ Государ по делам из 113035, Москва, раж 662ственного комиобретений и отЖ, Раушск Под писноеа СССР а ийаб., д. 45 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,Составитель В. КостинРедактор Г. Гончар Техред Н. Бабурка Корректор Е. Па