Способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния

ZIP архив

Текст

СООЗ СОВЕТСНИХСйЭМЛЮакп 4 ИРЕСПУБЛИН 805432 5 Ц 4 С 01 В 33/ ОСУДАРС ПО ДЕЛАМ ТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ДЕТЕЛЬСТВ К АВТОРСКОМ на,б по п.1, о т л и ч а -тем, что плазму испольотой разряда 1500 -ОНс част 3000 мГц,ут(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕКОДИСПЕРСНОЙ ДВУОКИСИ КРЕМ окисления кремнийсодержащих соединений в кислородной или кислород- содержащей низкотемпературнойплазме отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты целевого продукта, в качестве кремнийсодержащих соединений берут алкоксипроизводные кремния, например, тетраэтоксисилан, и процесс ведут в плазме сверхвысокочастотного разряда.2; Спосою щ и й с я543248 Корректор С.Шекмар Редактор О.Кузнецова Техред С.Мигунова Заказ 1166/2 Тираж 452ВЕИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений н открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Подписное филиал ППП "Патент", г.укгород, ул.Проектная,4 Изобретение относится к способам получения тонкодисперсной двуокиси кремния, которая может найти применение в волоконной оптике и для изготовления полупроводниковой керамики.ЬИзвестен.способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния путем окисления тетрахлорида кремния в потоке низкотемпературной плазмы электродугового разряда.Недостатком способа является загрязнение двуокиси кремния продукта мн эрозии металлических электродов плазменных генераторов электродуго" вого типа и хлором, образующимся при горении тетрахлорида.Известен способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния, заключающийся в окислении кремнийсодержащих соединений, например тетрахлорида кремния,в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературной плазме высокочастотного разряда, осуществляемого,в безэлектродплазмотроне.Однако чистота получаемой по этому способу двуокиси кремния не удовлетворяет требованиям современной оптики н полупроводниковой техники е Для повышения степени чистотыцелевого продукта по предлагаемому способу в качестве кремнийсодержащих соединений берут алкоксипроиэ" 5 водные кремния, например, тетраэтоксисилан, и процесс ведут в плазме сверхвысокочастотного разряда (частота разряда 1500-3000 мГц)Предлагаемый способ обеспечивает 1 ф получение целевого продукта достаточно. высокой степени чистоты (10-10 7), превьшиющей более чем на порядок чистоту двуокиси кремния, получаемой по известному способу (10 .-10. 7.)П р и м е р. В кислородную СВЧплазму со среднемассовой температуорой 5500 С при расходе кислорода 20 2 м /ч вводят поток аргона со скоростью 0,4 м /ч и пары тетравтоксисилана с расходом 600 г/ч. Образующаяся в плазменном реакторе двуокись кремния конденсируется у основания реактора с частицами размером800-1200 А. Получаемая двуокиськремния имеет следующее содержаниепримесей, вес,Ж: АС 0,4 1 О;ф

Смотреть

Заявка

2106092, 19.02.1975

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7815

ТРОИЦКИЙ В. Н, ИВАНОВ М. Я, БЕРЕСТЕНКО В. И, КУПРЯШКИНА Т. Н, ГРЕБЦОВ Б. М, РЯБЕНКО Е. А, ШАЛУМОВ Б. З

МПК / Метки

МПК: C01B 33/12

Метки: двуокиси, кремния, тонкодисперсной

Опубликовано: 15.03.1986

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-543248-sposob-polucheniya-tonkodispersnojj-dvuokisi-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния</a>

Похожие патенты