Купряшкина

Номер патента: 1826510

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Арутюнян, Брагин, Давтян, Заболотный, Кочнова, Купряшкина, Нерсесян, Яременко

МПК: C09D 129/14

Метки: композиция, покрытия

...туф. цемент Ацетон Диацетат целлюлозы Полиеинилацетат Дибутилсебацинат К аситель80,85 81 48 35 позиции 8 и 9) и канифоли (композиции 10 и 11) несколько меньше или больше установленного формулой изобретения, по своим механическим свойствам также не отвечают цели изобретения. Отклонение от указанно го в формуле диапазона концентраций (в случае соляной кислоты) в композициях 12 и 13 приводит к резкому сокращению их жизнеспособности.Испытания композиции по изобрете нию показали, что при температуре ниже 40 С (например, при -45 С) покрытие трескается, а при температуре выше 40 С (например, 45 С) покрытие начинает размягчаться. При добавлении в готовую 15 композицию наполнителя в количестве менее 5 оу( (напРимеР, 4,0 оу(э) пРи том же...

Номер патента: 1625251

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Брагин, Заболотный, Купряшкина, Нерсесян, Пименова, Роганов

МПК: G21F 9/00

Метки: защитного, покрытия, полимерного

...составакомпозиции, применяемой для нанесениягрунтовки, в табл, 2 - примеры реализацииспособа и свойства получаемого покрытия,При определении свойств покрытия испытания его атмосферостойкости проводили в соответствии с требованиями ГОСТ 6992-68, В приведенных в табл. 2 результатах этих испытаний (столбцы 9-11) первая цифра характеризует декоративные свойст ва покрытия в баллах (1-Я, вторая - защитные свойства в баллах (1-8),Коэффициент дезактивации покрытияопределяли в соответствии с ОСТ 95,10019- 83, при этом использовали растворы, содер жащие. радионуклиды Сзи Сессуммарнойтудельной активностью от 3,7 10 до 11,1 10 Бк/л. Остаточную активность определяли после трех циклов эагрязнениедезактивация,15 Локализующие свойства покрытия...

Номер патента: 1625250

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Брагин, Заболотный, Купряшкина, Нерсесян, Пименова, Роганов

МПК: G21F 9/00

Метки: защитного, покрытия, полимерного

...с при пневморэспылении, 30 - 35 с при нанесении валиком. Каждый слой эмали сушат в течение 3 ч, после чего. покрытие приобретает вид гладкой полуглянцевой однородной пленки.Толщину слоев покрытия регулируют путем изменения расхода композиций, используя соотношениеРгде д - толщина слоя покрытия; р - плотность материала покрытия; о - расход композиции на единицу площади поверхности; р- доля летучих компонентов в композиции.В табл. 1 приведены примеры состава композиции, применяемой для нанесения грунтовки; в табл. 2, - примеры реализации способа и свойства получаемого покрытия,При определении свойств покрытия испытания его атмосферостойкости проводили в соответствии с требованиями ГОСТ 6992-68, В приведенных в.табл. 2 результатах этих...

Номер патента: 1625249

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Брагин, Заболотный, Купряшкина, Нерсесян, Пименова, Роганов

МПК: G21F 9/00

Метки: защитного, покрытия, полимерного

...эмаль ЭПпо ГОСТ 9640-85. Эмаль наносят пневмораспылением, безвоздушным распылением или валиком в два слоя. Рабочая, вязкость эмали по вискозиметру ВЗ20-25 с при пневмораспылении, 30-35 с при нанесении валиком, Каждый слой эмали сушат в течение 3 ч, после чего покрытие приобретает вид гладкой полуглянцевой однородной пленки,Толщину слоев покрытия регулируют путем изменения расхода композиций, используя соотношение1 - рРгде д - толщина слов покрытия; р - плотность материала покрытия; а - расход композиции на единицу. площади поверхности, р-доля летучих компонентов в композиции,В табл. 1 приведены примеры состава композиции, применяемой для нанесения грунтовки; в табл, 2 - примеры осуществления способа и свойства получаемого...

Номер патента: 543248

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Берестенко, Гребцов, Иванов, Купряшкина, Рябенко, Троицкий, Шалумов

МПК: C01B 33/12

Метки: двуокиси, кремния, тонкодисперсной

...может найти применение в волоконной оптике и для изготовления полупроводниковой керамики.ЬИзвестен.способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния путем окисления тетрахлорида кремния в потоке низкотемпературной плазмы электродугового разряда.Недостатком способа является загрязнение двуокиси кремния продукта мн эрозии металлических электродов плазменных генераторов электродуго" вого типа и хлором, образующимся при горении тетрахлорида.Известен способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния, заключающийся в окислении кремнийсодержащих соединений, например тетрахлорида кремния,в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературной плазме высокочастотного разряда, осуществляемого,в безэлектродплазмотроне.Однако чистота получаемой...

Номер патента: 1061401

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Андреева, Иванов, Ковалев, Купряшкина, Нилов, Рябенко

МПК: C01B 33/12

Метки: кремния, тонкодисперсного

...10 мас.%, Это происходит вследствие замедления в при-. сутствии аммиака процессов пиролиза углеводородов, ведущих к образованию углерода, а значит и более полному их окислению,Объемное соотношение между аммиаком и тетраэтоксисиланом поддерживают равным 0,75:1 - 2,5:1. Увеличение соотношения аммиак ТЭОС более, чем 2,5:1, нецелесообразно, так как содержание углерода уже не уменьшается в получаемом продукте. Уменьшение соотношения аммиак-ТЭОС менее, чем 0,75:1, ведет к увеличению содержания углерода в получаемом продукте до 5 10мас,%.Объемное соотношение между аммиаком и азотом поддерживают равным 1:0,3 - 1:1,7; так как при этих условиях обеспечивается бесперебойная работа форсунки, При соотношении большем,чем 1:0,3, степень гидролиза...