Рагзин

Номер патента: 1840095

Опубликовано: 20.07.2006

Авторы: Александров, Безматерных, Владимиров, Лисовский, Лукашев, Парфенова, Рагзин, Савин, Хализов

МПК: H01P 7/06

Метки: волнах, магнитостатических, многоканальный, свч, фильтр

Многоканальный фильтр СВЧ на магнитостатических волнах, содержащий, размещенную в магнитных полях смещения и катушки управления, на подложке пленку железоиттриевого граната, на которой размещены входные и выходные преобразователи каналов, отличающийся тем, что, с целью термостабилизации, в него дополнительно введено разомкнутое кольцо фазовой автоподстройки частоты, на разомкнутых концах которого соответственно установлены СВЧ генератор, выполненный с резонатором, и датчик сигнала ошибки, причем один из каналов фильтра подключен к СВЧ генератору и является его резонатором, а катушка управления подсоединена к выходу датчика сигнала ошибки.

Номер патента: 1793558

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Рагзин, Хазанкин, Чавлытко, Юзов

МПК: H04N 5/16

Метки: восстановления, постоянной, составляющей

...первого диода 20, базе пятого транзистора 18 и первому выводу третьего резистора 11, коллектортретьего транзистора 16 соединен с источником питания, а эмиттер - с базой и коллектором четвертого транзистора 17, вторым выводом третьего резистора 11 и первым выводом третьего конденсатора 8, коллектор пятого транзистора 18 соединен с базой шестого транзистора 19 непосредственно, а с источником питания - через четвертый резистор 12, эмиттер шестого транзистора 19 соединен с вторым выводом третьего конденсатора 8 непосредственно, а с землей - через пятый резистор 13, эмиттеры первого 14, второго 15, четвертого 17 и пятого 18 транзисторов соединены с землей, коллектор шестого транзистора 19 является выходом блока 7 и подключен к третьему,...

Номер патента: 1775764

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Боргояков, Величко, Рагзин, Солодилов

МПК: H01P 1/203

Метки: микрополосковый, фильтр

...микрополосковом резонаторе, на четвертьволновом расстоянии от центра симметрии, выполнено скачкообразное сужение, симметричное относительно их продольной оси.На фиг.1 представлен микрополосковый фильтр, общий вид; на фиг.2 - микрополосковый фильтр, вид сбоку.Микрополосковый фильтр содержит диэлек грическую подложку 1, на одной стороне которой размещено заземляющее основание 2, а на другой находятся входной и выходной микрополосковые резонаторы 3 и 4, соответственно, под углом друг к другу таким образом, что их центры симметрии совпадают и в этом месте образуется гальваническая связь. Несвязанные участки микрополосковых резонаторов 3 и 4 за счет наведения в них тока образуют между собой электромагнитную связь, которую можно изменять,...

Номер патента: 1541691

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Беляев, Елисеев, Рагзин, Тюрнев

МПК: H01P 11/00

Метки: микрополоскового, фильтра, шаблона

...металлическом основаниинастройку макета проводят при подаЧе на него СВЧ-сигнала путем ихВзаимных перемещений. Перенос топо 1 огии макета на шаблон осуществляютпутем копирования размеров и положения полуволновых проводников 1 дляих изготовления на одной .диэлектрической подложке в масштабе 1/К, гдеК " отношение средней заданной частоты полосы пропускания к среднейчастоте полосы пропускания микрополоскового фильтра, шаблон котороговыполнен в масштабе 1:1.50Способ осуществляют следующим образом,Отдельные диэлектрические подложкивыполняют, например, из керамики1 БИС, которая имеет ту же толщину,что и диэлектрицекая подложка буду"щего микрополоскового Фильтра. Каждую отдельную диэлектрическую подпожку 2 металлизируют с двух сторон,а на...

Номер патента: 1541690

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Беляев, Елисеев, Рагзин, Тюрнев

МПК: H01P 1/203

Метки: микрополосковый, решетчатый, фильтр

...и может быть использовано в миНиатюрных частотно-селективных устройствах.15Целью изобретения является уменьщение неравномерности в полосе проПускания и увеличение прямоугольнос 1 и амплитудно-частотной характеристики,На чертеже показана конструкцияИикрополоскового решетчатого фильтра.Иикрополосковый решетчатый ФильтрСодержит диэлектрическую подложку 1,на одной стороне которой нанесено за4 емляющее основание 2, а на другойстороне размещены полуволновые проводники 3, электромагнитно связанныемежду собой. Смежные полуволновыеПроводники 3 расположены под угломФдин к другому. В отдельных случаяхФни могут быть смещены один относительно другого в осевом направлении. Иикрополосковый решетчатый фильтр работает следующим...