Усилитель считывания на полевых транзисторах

Номер патента: 739643

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: дополняющих, записи-считывания, запоминающего, мдп-транзисторах, усилитель, устройства

...транзисторы 9 и 10открыты, а транзисторы 5-8 закрыты, ина выходах усилитела поддерживаетса напряжение логического нуляВ режиме считывании транзисторы 7 20и 8 остаются закрытыми, Первоначальносигнал логического нуля подается на шину 13,запирая транзисторы 9 и 10. Узловые емкости на выходах триггера изолированы от источников питания и одна из них 25начинает заряжаться током считывания отвыбранной ячейки памяти, которая черездополнительные транзисторы в памяти подключена к выходам усилителя записи-считывания. После того как напряжение на 30одном из выходов усилителя превысит некоторую величину (разбаланс усилителя),на.вторую шину 1 4 управления подаетсясигнал логического нуля и открываютсянагрузочные транзисторы 5 и 6, После 35этогэ...

Номер патента: 1109797

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Артеменков, Братов, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 7/06

Метки: барьерным, запоминающего, переходом, полевых, полупроводникового, считывания, транзисторах, усилитель, устройства

...скорость считывания.Цель изобретения - повышение быст родействия усилителя,Поставленная цель достигается тем,что в усилитель считывания для полупроводникового запоминающего устройства на полевых транзисторах с барьерным переходом, содержащий линейныйусилитель, один вход которого подключен к первой разрядной шине, другой вход - к второй разрядной шине,нагрузочный элемент, первый вход но"торого подключен к шине питания, апервый и второй выходы - соответственно к первой и второй раэряцйым шинам, введен инвертор, причем выход ли".неййого усилителя подключен к второму входу нагрузочного элемента и 35входу инвертора,. выход которого соединен с третьим входом нагрузочногоэлемента.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема...

Номер патента: 1259399

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Исупов, Прянишников, Семеновых, Чапайкин

МПК: H02H 7/10

Метки: выходного, защиты, импульсного, перегрузок, силового, транзистора, усилителя

...Значение Н, припостоянстве базового тока определяется по изменению тока коллекторавыходного транзистора,В некоторый момент времени й(фиг.2) наблюдается начало уменьшения тока коллектора 15 (после време-З 0ни й, показан пунктиром). В моментвремени 1 соответствующий началуперехода однородного распределениятока коллектора в неоднородное, происходит срабатывание защиты силовоготранзистора и отключение тока базыьа, Для определения момента локализации тока и прекращения подачи на выходной .силовой транзистор опасногоэлектрического режима может быть использовано предлагаемое устройство.Устройство работает следующим об,разом. В исходном состоянии транзисторы 45 5, 9 и 13 закрыты, а конденсаторы 7, 17 и 19 разряжены, ключ 21 закрыт, При...

Номер патента: 531284

Опубликовано: 05.10.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: диэлектрических, металло, полупроводниковых, транзисторах, усилитель-формирователь

...равный Е О,питгде О о - пороговое напряжение МДП-транзисторов.С приходом отрицательного перепада на вход усилителя-формирователя в точке 22 устанавливается потенциал, равный О вх+ + Е - О о, который превышает уровеньпитЕ пит,Транзисторы 5, 10, 14 и 18 открываются, и в точке 21 и выходах всех двухтактных усилителейформирователей устанавливаются потенциалы, близкие к нулю, при этом верхние транзисторы двухтактных усилителей закрыты и ток не проводят.Накопительный конденсатор 8 и смещаюшие конденсаторы 11 и 15 заряжаются через открыте пары транзисторов 3 и 14, 12 и 10, 16 и 14, Так как напряжение в точке 22 превышает Е, то в точках 20,пит24 и 26 устанавливаются потенциалы, оавные Е , Конденсатор 2 также зарядитсяпитчерез...

Номер патента: 1697118

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов

...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...