Устройство контроля усилителя на транзисторах с непосредственными связями

Номер патента: 113637

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Кудрявицкий

МПК: H04L 25/04

Метки: включения, каналах, поляризованного, работы, реле, связи, схемы

...типа ДПЗили ДГЦ. Одна из этих обмоток работает при плюсовой полярности входящего линейного тока, а вторая - при минусовой, В связи с этим при изменении полярности входящего тока не приходится переключать концы линейной обмотки, как это обычно делается в известных схемах с подмагничивающими обмотками, Третья обмотка 5 - б, содержащая также 1250 витков, используется как подмагничивающая. Четвертая обмотка 7 - 8 содержит 5000 витков и используется как ускоряющая. Эта обмотка включена через конденсатор емЪо 113 б 37 Предмет изобретения 1. Схема включения поляризованного реле для работы в каналах связи с однополюсной манипуляцией телеграфными аппаратами СТ, отл и ч ающа яся тем, что, с целью удобства эксплуатации, применены две линейные...

Номер патента: 101436

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Аскинази, Львов

МПК: G01R 27/32

Метки: затухания, между, переходного, связи, цепями

...затухания магазинов затуханий 11,Для наблюдения полной частотной характеристики, что особенно удобно при симметрировании кабелей, црнменяюг вместо индикатора электронно-лучевой осциллограф,Напряжение развертки осциллографа изменяется синхронно с частотой генератора пилообразных колебаний, мсдулирующих по частоте амплитудно-модулированные колебания ца передаче. Амплитудно-модулированные колебания получают от источника, состоящего из низкочастотного генератора 3 (фиг, 2), высокочастотного генератора 2 и модулятора 1. Частотно-модулированные колебания, частота которых меняется по пилообразному закону, получают от источника, состоящего из высокочастотного генератора 14 и генератора пилообразных колебаний 15. Амплитудно-модулированные и...

Номер патента: 143059

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Иванчук, Рубинов

МПК: H03F 9/04

Метки: внутренней, магнитный, обратной, связью, усилитель

...вход-выход,е. при отсутствии управляющего сигнала ток в нагрузке равен токухолостого хода усилителя, а с ростом тока управления увеличиваетсяи ток нагрузки.На чертеже изображена принципиальная схема усилителя,Рабочие обмотки 1, 2 на каждом сердечнике разделены на две равные части, причем точное равенство витков этих обмоток обеспечиваетминимальный ток холостого хода усилителя.Внутренняя обратная связь в усилителе обеспечивается током выпрямленных четных гармоник, протекающих по рабочим обмоткам 1 и2. При отсутствии управляющего сигнала поток в сердечниках не содержит четных гармоник, благодаря чему отсутствует начальное подмагничивание сердечников, и внутренняя обратная связь в этом случае не осуществляется.При подаче...

Номер патента: 266857

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Аскинази, Бару, Васильченко, Копачева, Россиков, Рыжова, Трифонов, Храпковска

МПК: H04B 3/06

Метки: автоматической, затухания, между, переходного, проверки, связи, цепями

...кабеля.Управление коммутационными средствами 3 и б осуществляется управляющей схемой 7, связанной, кроме того, с индикатором 4 и контрольными блоками 8 и 9. Последние предназначены для проверки исправности влиощей и подверженных влиянию пар кабеля и надежности их подключения к устройству. Блок 8 подключен к средней точке вторичной обмотки выходного трансформатора 2, а блок 9 - к средним точкам вторичных обмоток входных трансформаторов б.В устройство встроен селективный указатель 10 уровня с высокоомным входом, который может быть подключен параллельно первичной объотке входного трансформатора любого ка 5 о 15 го 25 зо 35 40 45 50 55 60 65 пала индикатора для точного измерения величины переходного затухания мскду влияющей и...

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...