Патенты с меткой «схемах»

Номер патента: 764097

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Булгаков, Еремин, Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: H03B 5/36

Метки: генератор, мдп-интегральных, подложки, смещения, схемах

...1, диффе1 о зо ральной шины В устройстве по второму варианту делитель напряжения образован конденсаторами 13 и 14, средние выводы которых соединены с затвором транзистора 10 и со вторымвходом дифференциального усилителя 2:ЗО Второй вывод конденсатора 12 соединен-с истоком транзистора 10 и с шиной нулевогопотенциала 11. Второй вывод конденсатора 13 подключен к затвору транзистора 9и к выходу кольцевого генератора 3,В остальном конструкция генераторапо этому варианту та же, что и по первомуварианту.Предлагаемый генератор напряженияработает следующим образом,45 зо 53 ренциального усилителя 2, кольцевого генератора 3, формирователя напряжения 4 и блока 5 формирования напряжения сме. щения подложки.В первом варианте выполнения...

Номер патента: 768776

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Комова, Френкель, Яковис

МПК: C04B 7/36

Метки: гомогенизатором, поточных, процессом, смешивания, схемах, технологических

...образом, В ароцессре затолйщия го 1 могенизаторайа- каждом шаге уиравлейия измеряют химический состав смеси, поступающей в То- ="Юбгейизатор; ,и" опрбдел 3 йот его"о йклонаниемот- заданного значения, Затем в процессе опорожнения- гомогенизатора измеряют химичес 1 иий состав амеси, откачиваемой йз-гомогенизатора, причем чкнсло проб, отобран:нь 1 х дляопределения тхи 1 мического состава " - "от-потока рмеси, откачиваемой из гомогенизатора, должно быть равно числу проб, огобраннБхпри заполнении гомогенизато. - -"ра; и -Определяют" отндопеиия"Фгмнчеекогосостава- смеси откачиваемой из гомогенизатора, от заданного значения, По зйачевиям овклонений химического состава смеси на вживе п иИа" зпмхог да"епягиотенизатора опраде. ,; "ляют "его-...

Номер патента: 951531

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гузаиров, Овчинников, Рудакова

МПК: H02H 3/08

Метки: выключателем, гололеда, защиты, кольцующим, плавки, схемах

...конденсаторов 20 и 21, токоограничивающих сопротивлений 22 и 23, разделительных диодов 24, 25 и 26, электромагнитов включения 27 и отключения 28, блок- контактов выключателя 29 и 30 трансформатора подпитки 31, токового реле 32 (контакт 33) и разъединителей 34 и 35,Реле максимального 5 и минимального 6 напряжений настроены таким образом, что они одновременно замыкают свои контакты 7 и 8 лишь в том случае, когда вектора напряжения отличаются в линиях на определенную, заданную величину, При этом векторы напряжения могут отличать ся как по фазе, так и величине.Реле времени 9 служит для отстройки от возможных кратковременных аварийных режимов работы линий, когда разница напряжений может оказаться равной напряжению плавки, Повышающий...

Номер патента: 1103201

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Горюнов, Лапшин

МПК: G05B 23/02

Метки: локализации, неисправностей, схемах, цифровых

...синхросигнала, а другой подключен к выходу КБ-триггера, выход блока совпадения подключен к входу синхронизации сдви 5 О 5 20 25 30 35 40 45 50 55 гового регистра, дисплей, входы которого подключены к соответствующим разрядам сдвигового регистра 2,Однако известное устройство не воспринимает изменения состояния линии данных анализируемой последовательности сменяемых логических состояний между фронтами синхросигнала, так как синхронизируется теми же тактами, что и анализируемая последовательность, поэтому его невозможно применить для локализации неисправностей в асинхронных схемах. Это снижает качество контроля и производительность труда при локализации неисправностей в цифровых схемах.Цель изобретения - повышение точности и расширение...

Номер патента: 1130899

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Тимошечкин

МПК: G11C 11/14

Метки: выявления, дефектов, доменах, интегральных, магнитных, схемах, цилиндрических

...их регистрацию осуществляют вотраженном свете. В частности, можно для облегчения регистрации наповерхность доменосодержащей пленки перед нанесением управляющих структур напылить отражающий слой и наблюдать домены со стороны нерабочей поверхности пленки . Если для перемагничивания доменосодержащей пленки используют импульсы магнитного поля с длительностью фронта менее 0,05 мкс, то на процессперемагничивания сказываются динамические эффекты. При этом минималь3 1130 ная амплитуда импульсного поля, при которой на данном центре зародышеобразования появляется домен с обратной намагниченностью, зависит от длительности фронта импульса. При5 длительности фронта импульса более 0,5 мкс на процесс перемагничивания сказывается...

Номер патента: 1246027

Опубликовано: 23.07.1986

Автор: Шумский

МПК: G01R 29/18

Метки: датчиков, защиты, постоянного, производной, релейной, схемах, фазировки, электроустановок

...электроустановки постоянного тока, на которых40установлены датчики производной тока,выходные сигналы последних раины обмоток датчиков пров схеме релейной защио может быть использова; вки датчиков праизвадемах релейной защиты нием их обмоток в последовательно, Пос нулю. Реле 4 и 5 в этом случаене срабатывают, тиристар 12 невключается и светоиод 11 не загорается. При изменении токов нагрузки(в пусковых режимах) и совпадении выходных сигналов датчиков производнойтока па фазе на входных зажимах 2выпрямительного моста 1 развиваютсяразные по величине, но одинаковыепа знаку (положительные или отрицательные) потенциалы. В этом случаев выпрямительном мосте 1 открывается лишь сдкн диод, срабатывает лишьодно из двух реле 4 и 5 и замыкаетсялишь...

Номер патента: 1298720

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Жук, Смирнова

МПК: G05B 23/02

Метки: локализации, неисправностей, схемах, цифровых

...прохождение синхроимпульсов сдвига с выхода элемента ИЛИ 7 через45 блок 4 на регистр 2. Сдвиг в регистре 2 прекращается, Оператор считывает .с дисплея 5 результирующую сигнатуру и, сравнивая ее с эталонной, оценивает годность цифровой схемы для50 последующего поиска неисправности. Формула и з о б р е т е н и я Устройство длялокализации неисправностей в цифровых схемах по авт,св. В 1103201, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения цостоверности результатов работы устройства,1 1298720Изобретение относится к областиавтоматики и вычислительной техники, может быть использовано для поиска неисправностей в цифровых схемахметодом сигнатурного анализа и является усовершенствованием устройства по авт. св. У 1103201.Цель изобретения...

Номер патента: 1347050

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Андрущенко, Карпов, Леонтьев, Макаров

МПК: G01R 31/303

Метки: дефектов, интегральных, линейных, обнаружения, скрытых, схемах

...на фиг.2 -схема соединения многокаскадных испытуемых усилителей для инвертирующего усилителя; на фиг.З - то же,для неинвертирующего усилителя.Устройство контроля многокаскадногоусилителя по импульсным шумам содержитиспытуемый усилитель 1, источник 2тока, усилитель 3, измеритель 4 напряжения питания, регистратор 5 импульсных шумов.Выводы питания испытуемого усилителя 1 соединены с выходом источника 2 тока, измерителем 4 напряженияпитания и входом усилителя 3 напряжения импульсных шумов, выход которого соединен с входом регистратора 5импульсных шумов,Схема соединения многокаскадныхиспытуемых усилителей для инвертирующего усилителя включает испытуемыйусилитель 1, источник 2 тока, соединенный с клеммами питания испытуемого усилителя...

Номер патента: 1401476

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Волошаненко, Рожкевич, Фелер

МПК: G06N 7/08

Метки: моделирования, отказов, схемах, электронных

...положение. После этого аналогичным образом воспроизводится вторая пара чисел.После формирования и пар случайных чисел из блока 5 управления поступает сигнал, запрещающий работу генератора 7 импульсов, а на генераторы 12 - 12 - разрешающий. От генераторов 12-12импульсы поступают на счетные входы счетчиков 11 -11 . На устано 1вочные входы этих сумматоров с выходов счетчиков 10,-10 поступают чис. - ла, соответствующие скоростям изменения параметров элементов. При переполнении счетчиков 11 - 11 на их вылходах формируются импульсы, которые поступают на вычитающие входы соответствующих реверсивных счетчиков 13 -13. Частоты следования импульсов переполнения прямо пропорциональны кодам в соответствующих счетчиках 10,-10 и частотам...

Номер патента: 1406771

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Буй, Гуменюк

МПК: H03K 17/30, H03K 17/687

Метки: включения, интегральных, источников, мдп, питания, последовательного, схемах

...21 В.При превышении напряжением второго - высоковольтного источника литания, значения порогового напряженияМДП-транзисторов во внутренних точках устройства начинает происходитьпроцесс огряботки логических уроннейи в момент С устанавливаются уровни потенциалон, обеспечивающие выполнение устройством своих функций. Вмомент временинапряжение на высоковольтном источнике питания ужепревйцяет напряжение низковольтногоисточника питания, и дальнейшее увеличение напряжения ня высоковольтномисточнике питания - шине 21, приво т,дип к увеличению потенциала на выходной клемме 37 устройства, посколькуня выходе 12 порогового элемента 1потенциал находится ня единичномуровне и возрастает, отслеживая возрастание нысоковольтного питания,Рассмотрим работу...

Номер патента: 707446

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Герасименко, Калиников, Камбалин, Федченко

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, областей, разделительных, создания, схемах

...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...

Номер патента: 1780163

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Лаврищев

МПК: H03K 5/135, H03K 5/156

Метки: коррекции, синхронизации, схемах, фазы

...ВхоИОов(ГО элементэ И. ь 1 1, В ГО, ой в;:Од Г)80 ВОго ЗгВМ(Ггл 1 Л)Х 1 Л СЗДИНс)ВсгодП)Л г,тООг)г(;Л 8;г)8 ТЭ И б ВЬХО; г (1 г г)01ГО СОЕДИнон СО В,(Г ВОМ ВГООО)ИНВСДТОг,Л,И С ТЭКТОВЬ 14 ВХОДОМ ПЯтого ТРИГГВРЭ Ил)ормв) г)11 й Гчо г 116 гг)., г,"с Г СОеди)ЕН С 1" 11 )О 1,6ЛГ)Ь)Н 4)Л ВХГ,)С)Ь): ПЕРВОГО 1 И ЧСТВЕг)ТОго( Тг),;ГГЕС ) В Вы.О Д - С О Вг) Г, ;д ,1 ВХ ОД О М)1"Т . Ег) Л ".;Н; 13 С Ь)Х(1,104)И,Ыц(ЛТЭ)С)ЧВГГ СЧ;-,"Л(1ЛМг)Л 1 г ППЭТЫЙ ТрИГГер 115 являЮТся 0-Тр )ГГг:;.ЭМ 1 ,Г)Л Н ф О Р 14 Э ЦИ О Н и Ы й В Х ОД, , Т 6 Ктг) Вй Г ХС)ДВХОД СбООСЭ), В КЭЧОСГРсе"р"ГГГ 14 г)ЖНО использовэть млкросхе(;у .-,б) ,"1:, (,.(,1МИРОЩИЛ СЧ 8 ТЧИК ИМПУГ)ЬГОВ ВЫ 1 ИТЭ)ОщИ 11 СЧЕтЧИК И 4 пуЛ)ЬС( В 3 яс ЛЮ -" счетчиками с гВрэл)влЬНОЙ ЗЭп( Сь;0...

Номер патента: 1766214

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Валеев, Железнов, Красников, Кузнецов, Лезгян, Наливайко

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, рельефа, сглаженного, создания, схемах

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ СГЛАЖЕННОГО РЕЛЬЕФА В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активным и пассивным элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, формирование фоторезистивной маски с окнами над центральной частью проводников, травление диэлектрической пленки, удаление фоторезиста и формирование переходных контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет упрощения и повышения воспроизводимости процесса сглаживания диэлектрика, наносят диэлектрическую пленку толщиной h 2,5 d, где d - толщина проводников, травление диэлектрической пленки проводят жидкостным методом на глубину,...

Номер патента: 1627000

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Корешков, Шикуло

МПК: H01L 21/302

Метки: интегральных, контактных, окон, схемах, формирования

...нижнего изолирующего слоя над областями р-типд проводимости превышает толщину слоя над областями и-типа проводимости в 2-30 раз, то при полном вскрытии поверхности над областями и-типа проводимости, над областями р-типа проводимости происходит частичное травление слоя двуокиси кремния.После полного вскрытия поверхности подложки над областями и-типа проводимости удаляют фоторезистивную маску, проводят диффузию фосфора из РОС 1 з при температуре Т = 850+1 С в течение 1 = 10 мин и оплавляют фосфоросиликатное стекло при температуре Т = 1000+1 С в течение 110 мин. Далее стандартными методами фотолитографии создают дополнительную фоторезистивную маску из фоторез иста ФПМК толщиной 1,2 мкм с конфигурацией окон к областям р-типа проводимости...

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...