С-структура с распределенными параметрами

Номер патента: 1426352

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Горохов, Шалапаев

МПК: H01L 21/316

Метки: двуслойная, диэлектрическая, структура

1. Двуслойная диэлектрическая структура на германиевой подложке, состоящая из верхнего слоя нитрида кремния и промежуточного слоя, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела германий-диэлектрик за счет снижения плотности поверхностных состояний, промежуточный слой выполнен из оксинитрида германия.2. Способ получения двуслойной диэлектрической структуры на германиевой подложке, включающий окисление подложки германия при 820 - 870 К в течение 5 - 60 мин, осаждение слоя нитрида кремния, отличающийся тем, что после окисления подложки германия проводят отжиг структуры в аммиаке при 900 - 1000 К и атмосферном давлении в течение 10 - 50 мин.

Номер патента: 920837

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, магнитной, образования, пленке, структуры, тонкой

...стеклянную пластинку, прикладыва 15 емую к пленке, подаются прямоугольные . импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии ы от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы 2 О импульсное магнитное поле Ним, создаваемое проводником 2 в области 3, было анти- параллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп ) Ню25 где Н- поле зародышеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины НюНН, гдеНк - поле коллапса ЦМД в данной пленке. зоПри этом в области 3 формируется регулярная решетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного...

Номер патента: 201541

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Павлюченко, Петров, Спивак

МПК: G01N 23/02, H01J 3/26

Метки: доменной, наблюдения, пленок, структуры, тонких, ферромагнитных

...быстрого перемагничивания в просвечивающем электронном микроскопе 1 синусоидальное 5 напряжение генератора 2 усиливается резонансным усилителем 8, в контур которого наряду с высокодобротной катушкой 4 включены находящиеся в колонне микроскопа перемагничивающие катушки б, чем достигается 10 необходимая амплитуда переменного магнитного поля на образце б, которая регулируется изменением усиления усилителя 3 или расстройкой колебательного контура 7. Параллельно синусоидальное напряжение с генератора 15 2 через фазовращатель-усилитель 8 запускает в генератор 9 прямоугольные строб-импульсы, которые через импульсный трансформатор 10 поступают на модулятор 11 и отпирают электронную пушку 12, запертую напряжени ем батареи И, приложенным между...

Номер патента: 717926

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Быковский, Дудоладов, Кобыляков, Козленков, Лощинин, Миронос, Шаповалов

МПК: C23C 14/28

Метки: двухслойных, основе, пленок, сверхтонких, сплошных, структур

...с и в существенно неравновесных условиях. Пересыщения, развивающиеся при этом, настолько велики, что эффективные размеры устойчивого зародыша должны быть меньше атомных размеров, т.е. рост пленки происходит сразу сплошным слоем. Подавление процессов миграции во время сверхбыстрого осаждения тонких слоев является причиной образования сплошных сверхтонких пленок при испарении вещества импульсным ОКГ. Режим работы импульсного ОКГ при этом не имеет решающего значения, Дальнейшее поведение осажденной пленки зависит от ее толщины с;, температуры подложки 1 з, в еличины пер е грев а ь 1 пленки в момент осаждения, адгезии пленки к подложке, степени соответствия параметморфологическая релаксация первоначально сплошной пленки в дискретную. Время...

Номер патента: 952377

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Рогачев

МПК: B05D 7/04

Метки: декорирования, изучения, пленок, полиолефиновых, структуры

...исследования показали, что декорирование поверхности полимерной пленки без ее растяжения не позволяет достаточВлияние режима декорирования но точно выявить сточктуру поверхности. В этом. случае частицы металлической фазы расположеныпо поверхности довольно равномерно. При низких температурах (Т=100 К) структурные неоднородности также не сказываются на поверхностном распределении частиц металлической фазы. Только вакуумное нанесение частиц свинца на поверхность механически напряженных пленок при 300 К иэ-за имеющей место при этих условиях селективности осаждения позволяет оценить характер и геометрические размеры кристаллических областей. При этом механические напряжения 3-5 МН/м дают воэможность достаточно четко...