Структура с распределенными параметрами
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 21 ЛЧ,1970 ( 1429467/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 07 ЛХ.1971. Бюллетень27Дата опубликования описания 12.Х 1,1971 МПК Н 01 д 5/00 Комитет по делам иаобретениР и сткрытиР при Сосете Миниотрое СССРЪ ДК 621.319.4(088.8) Авторыизобретения Н. Х. Кутлин, А, И, Меркулов и В. Д, Дмитриев Заявитель Казанский ордена Трудового Красного Знамени авиационный институт КС.т.,ТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛЕННЬ 1 МИ ПА 1 АМЕТРАМИ Предмет изобретения Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в КС-генераторах, фильтрах низкой частоты и избирательных фильтрах в микроэлектронном исполнении.Известная КС-структура с распределенными параметрами, состоящая из диэлектрической подложки и нанесенных на нее в одной плоскости резистивной и проводящей пленок, не позволяет получить крутизну спада амплитудно-частотной характеристики более 7 дб на октаву.В предлагаемом устройстве для улучшения амплитудно-частотной характеристики резистивную и проводящую пленки выполняют с переменной шириной,На чертеже представлена конструкция предлагаемой КС-структуры с распределенными параметрами.КС-структура состоит из двух полосок с изменяющейся вдоль структуры шириной, где полоска 1 - резистивная пленка, а полоска 2 - проводящая пленка. Обе пленки нанесены па диэлектрическую подложку 3 с высокой диэлектрическои пронпцаемостью. Избирательность предлагаемой КС-структуры за висит от отношения ширины резистпвной ипроводящей пленок на входе структуры к ширине этих пленок на выходе структуры, а также от функции изменения шпрпшы вдоль длины структуры.10 КС-структура с распределенными парамет.15 рами, состоящая из диэлектрической подложки и нанесенных на нее в одной плоскости резистивной и проводящей пленок, отличаюиаяся тем, что, с целью улучшения амплитудно-частотной характеристики, резистпвную 20 и проводящую пленки выполняют с переменной шириной.314239 Составите агин Ивано хред Т. П. Курилк акт Тираж 473 Подписи и открытий при Совете Министров ССС шская наб., д. 4/5 пография, пр. Сапунова Заказ 3164/5 Изд. Мо 1344 1 НИИПИ Комитета по делам изобретен Москва, Ж, Р
СмотретьЗаявка
1429467
Казанский ордена Трудового Красного Знамени авиационный институт
Н. Кутлин, А. И. Меркулов, В. Д. Дмитриев
МПК / Метки
МПК: H01G 5/00
Метки: параметрами, распределенными, структура
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-314239-struktura-s-raspredelennymi-parametrami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Структура с распределенными параметрами</a>
Предыдущий патент: Опорное устройство для соленоида
Следующий патент: Способ ориентации заготовок
Случайный патент: Абразивный круг