Способ изготовления rc-структур с распределенными параметрами
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 329691
Авторы: Бондаренко, Васильева, Туфлин
Текст
Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 20.Х.1970 (ЛЪ 147933426-9) Кл. Н 051 3/14 с присоединением заявкиГ 1 риоритетОпубликовано 09.11,1972, Вюллс)сиь Ло 7 ,Чата опубликования описания 27.11,972 Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРАвторы изобретеш ья О. Е. Бондаренко, Н, А. Васильева и Э. К. Туфлии Заявитель СПОСОБ ИЗГОТОВЛ ЕН ИЯ РС-СТРУКТУР С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ тродом структуры. Получештую систему тантал - пятиокись тантала отжигают в высоком вакууме при температуре 350 С не менее 1 час, В происе термообработки происходит 5 сов;)шснствовдпи струк гуры и удалениез )дги из иор.,дле о скоростью напыления ис б)олсс 1 Лсек иа тсрмообраоогдиную поверхность пятиокиси тантала наносят высокоомиый рсзистивц слой, например, металлосилицидный. Температура подложки поддерживается постоянной. Напуск атмосферы в рабочий обьем производится при темпердтуре подлкки ие менее 300"С. 15 Спосоо изготовления КС-структур с расппеделенными параметрамп, основанный на осаждении и аиодироваиии танталовой пленки, термообработке в вакууме полученной си.стсмы тантал - пятиокись тантала и последу)ощея) напылении верхнего металлического электрода, отлпчаюцийсл тем, что, с целью ,)дсширспия фуикцпоиальиь)х возможностей 25структур, в качестве материала верхнего электрода ипользу)от высокоомный резистивный сплав, например металлосилицидньш сплав, напыляемый со скоростью не более, чем 30 1сек. Изобретение относится к технолог:и производства элементов радиоаппаратуры и может быть использовано в различных устройствах в микромиииапориом иполиеишьИзвестен способ изготовления ЯС-структур с распре;слснными и)раметрами, основании)й иа осдждгпши и диодировании танталовой пленки, термообработке в вакууме полученной системы тантал - пятиокись тантала и последующем напылении верхнего металлического электрода,Недостаток КС-структур, изготовленных известным способом, состоит в том, что их свойтва изменяются со временем, что ограиичивдет возможности их применения.Целью изобретения является расширение функциональных возмокностей ЯС-структур.Это достигается тем, что в качестве материала верхнего электрода используют высокоомиый резистивный сплав, например металлосилицидный сплав, иапыляемый со скоростью не оолее, чем 1 Авосек.1 а диэлектрическую подложку катодным распылением наносят пленку тантала, затем электрохимическим аподированием окисляют поверхность танталовой пленки на глубину порядка 2000 А, получая диэлектрическое покрытие пятиокиси тантала, а оставшаяся часть пленки антала служи нижним элекПредмет изобретения
СмотретьЗаявка
1479334
О. Е. Бондаренко, Н. А. Васильева, Э. К. Туфлин
МПК / Метки
МПК: H05K 3/14
Метки: rc-структур, параметрами, распределенными
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-329691-sposob-izgotovleniya-rc-struktur-s-raspredelennymi-parametrami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления rc-структур с распределенными параметрами</a>
Предыдущий патент: Раствор для травления диэлектриков
Следующий патент: 329692
Случайный патент: Устройство для сборки болтового соединения