Патенты с меткой «пластины»

Номер патента: 1499627

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Антонова, Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Куц, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200oС в течение 2 - 3 ч и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750oС в течение 4 - 6 ч и при 1000 - 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности геттерирования независимо от содержания кислорода в кремнии, отжиг при 1100 - 1200oС проводят в атмосфере сухого кислорода с хлорсодержащими добавками при содержании активного хлора 0,3 - 1% от содержания кислорода, после отжига в окислительной среде проводят дополнительный отжиг при 430 - 450oС, причем продолжительность отжигов при 430 - 450oС и 1000 -...

Номер патента: 1598778

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Жуковец, Комкова, Рогов

МПК: H01L 21/78

Метки: держателе, кольцевом, крепления, пластины, полупроводниковой, преимущественно

СПОСОБ КРЕПЛЕНИЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ НА КОЛЬЦЕВОМ ДЕРЖАТЕЛЕ, включающий фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением, нанесение теплостойкого клея по периферии пластины, размещение кольцевого держателя на пластине на слое клея, прижим кольцевого держателя к пластине, выдержку пластины с кольцевым держателем на столике при температуре затвердевания клея и отделение пластины с держателем от столика, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности крепления путем уменьшения деформации пластины, фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением осуществляют посредством нанесенного на поверхность столика теплостойкого расплавленного клея, прижим кольцевого держателя к пластине осуществляют...

Номер патента: 1561488

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Адамов, Будникова, Данковская, Дмитриева, Прохода, Стеценко

МПК: C07F 15/00

Метки: пластины, цис-дихлорбис-(гидроксиламин

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЦИС-ДИХЛОРБИС-(ГИДРОКСИЛАМИН) ПЛАСТИНЫ (II) взаимодействием тетрахлороплатината лития с хлоридом гидроксиламина в присутствии ацетата лития в водной среде, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода целевого продукта и улучшения условий труда за счет устранения аллергического действия реакционной смеси, реакцию проводят при комнатной температуре 18 - 25oС и рН 3,0 - 4,0.

Номер патента: 1340492

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/304, H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...

Номер патента: 1732701

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Ершов, Зильберберг, Кацман, Потапенко

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: затравочной, пластины

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАТРАВОЧНОЙ ПЛАСТИНЫ для выращивания кристаллов типа КДР, включающий моносекториальное выращивание кристалла в направлении [101] из водного раствора в стакане, размеры дна которого совпадают с размерами в направлении [010] и и последующее вырезание из кристалла пластины прямоугольного сечения ортогонально направлению [101], отличающийся тем, что, с целью увеличения апертуры затравочной пластины при сохранении оптической стойкости выращиваемых кристаллов, вырезанную пластину помещают в стакан прямоугольного сечения, размеры сторон которого совпадают с размерами пластины в направлениях [101] и ...

Номер патента: 1134036

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Берковский, Губанов, Прянишников

МПК: C03C 15/00, H01J 9/50

Метки: волоконно-оптической, металлического, отделения, пластины, фланца

СПОСОБ ОТДЕЛЕНИЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ ОТ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ФЛАНЦА, соединенных стеклокристаллическим цементом, включающий нагревание узла, отрыв пластины и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, узел нагревают до температуры 520 540oС со скоростью 3-5 град. /мин при одновременном создании давления на металлический фланец, равного 90-110 г/см2.

Номер патента: 1831083

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Алаева, Арсенькин, Задымов, Захарова, Кунецкий, Нейман, Соловьев, Субботин, Чалый

МПК: G01J 1/04

Метки: измерений, образцовой, пластины, фотометрических

...с винилиденфтори оз и иент от ажения,го покрытия, представляющего отражательный слой, составляет 30 - 60 мкм.Отражательный слой можно получатьтакже нанесением состава на обезжирен 5 ную металлическую пластину беэ слоя фосфатирующей грунтовки.П р и м е р 1, Получение образцовойпластины,В бисерной мельнице готовят состав пу 10 тем перетиг 6,87% пигмента глубоко-черного а ни,. инового для эмали (ТУ6-14-345-78), 13,75% фторопласта 32 Л" Н"(ОСТ 606-632-78) всмеси растворителей: бутилацетата (23,81%), этилацетата (23,81%) и15 толуола (31,76%).На обезжиренную ацетоном или этиловым спиртом металлическую пластину наносят фосфатирующую грунтовку ВЛ(ГОСТ12707-77) и сушат при температуре 25-30 С20 в течение 30 мин,Затем методом пневматического...

Номер патента: 1799192

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Алексеев, Полухин

МПК: H01J 43/24

Метки: искривленными, каналами, микроканальной, пластины

...заготовок основание1 переворачивается на 180 и крепится кжаровому пространству печи, при этом ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Устройство для изготовления микроканальной пластины с искривленными каналами, включающее печь, металлические матрицы и узел сдвига, отличающееся тем, что, с целью повышения качества микроканальной пластины с искривленными каналами и производительности их изготовления, устройство выполнено в виде основания с закрепленным на нем диском из жаропрочного материала, на котором по окружности расположены матрицы симметрично друг другу относительно центра диска, матрицы штуцеры 15 и рычаг кулачкового механизма находятся в верхнем положении. Печь и заготовки разогревают до 615-620 С и с помощью рычага 16 осуществляют поворот...

Номер патента: 1831120

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Борисов, Крюков, Рыбак

МПК: G01R 13/34

Метки: аналого-цифровых, выделения, запоминающей, импульса-отметки, микроканальной, пластины, регистраторах, сигнала, считанного, трубки, электронно-лучевой

...результирующего сигнала и, следовательно, к потере части информации, Данное обстоятельство позволяет судить о неэффективности применения устройства-прототипа из-за низкой достоверности выделения импульса- отметки из считанного сигнала, Устройство- прототип имеет еще один недостаток, Надежное выделение импульса-отметки осуществляется в нем при условии: сигнал/помеха 10, Это, в свою очередь, позволяет относительно высоко (выше уровни помех) установить порог триггера Шмитта и исключить возможность ложного срабатывания по импульсу помехи.При максимальной скорости записи, что соответствует коротким разверткам (Тр в - 0) отношение сигнал/помеха - - О, причем абсолютное значение импульсов-отметок может изменяться (уменьшаться) на порядок,...

Номер патента: 1593508

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: алюминия, галлия, диффузии, кремниевые, пластины

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в потоке газа и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров изготавливаемых силовых полупроводниковых структур на основе полированных пластин за счет повышения времени жизни дырок и повышения воспроизводимости легирования, стопку пластин предварительно помещают в заваренный с одного...

Номер патента: 1600189

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Агей, Зеленин, Ковшик, Мельников, Тарасевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кубической, монокристаллов, пластины, полупроводниковых, резки, сингонии, слитков

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных изделий за счет снижения их прогиба и уменьшения количества микротрещин и сколов в начале и конце резки, при наклейке слитка базовый срез его располагают в нижнем правом квадранте при наблюдении со стороны приклеиваемого торца под углом 40-45° к...