Патенты с меткой «неоднородности»

Номер патента: 1513515

Опубликовано: 07.10.1989

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, неоднородности, пленки

...фарадеевское вращение 6 практически не изменяется, Как следствие, изменяется эффективное поле 15 одноосной анизотропии Н=2 К/М. Поскольку диффузионный отжиг является локальным, то распределение намагниченности является неоднородным как по толщине пленки, так и по диа метру ячейки. Как показывает опыт, при импульсном перемагничивании пленок феррит- гранатов из насьпценного состояния при превышении действующим полем Н=Н,-Н, эффективного поля одноосной анизотропии реализуется механизм перемагничивания вращением намагниченности, причем этот механизм явля ется наиболее "быстрым". Перемагничиваются области в доменосодержащей пленке, для которых Н к (Н, а области с Н 7 Н остаются неперемагниченными, Следовательно, местоположение границы...

Номер патента: 1525563

Опубликовано: 30.11.1989

Автор: Липовко-Половинец

МПК: G01N 29/00

Метки: акустического, неоднородности, показателя, поля, преобразователей

...предлагаемый способ позволяет определить степень неоднородности акустического поляпреобразователей путем прямого измерения коэффициента отражения ультразвуковых волн от сформированной поверхности, что повышает производительность контроля. где К и К " " коэффициенты отраженияультразвуковых волн от участков первого и второго типа соответственно;Ы и Ы- удельные площади этихучастков по отношению к полной площади отражающей поверхности,формула изобретения Корректор А,Обручар причем 20 о+ 4" = 1 (3)Значение К, для произвольного числа участков отражающей поверхности может быть получено аналогично (2) и 25 (3) добавлением соответствующих слагаемых.По выражению (2) определяют коэфФициент отражения плоской волны от сформированной...

Номер патента: 1573387

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Греков, Стеклов, Шмальц

МПК: G01N 3/08

Метки: влияния, деформации, деформированию, неоднородности, сжатии, сопротивление

...роль играет предел текучести материала приоценке влияния неоднородности деформации на сопротивление деформированию. цы,Формула изобретения Составитель М.КузьминТехредЛ.Сердюкова Корректор Л.Бескид Редактор С.Патрушева Подписное Заказ 1639 Тираж 501 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,101 высоте, Испытанию подвергают группуобразцов (основные образцы) и одиндополнительный образец,Сначала. испытывают основные образ 5 Нагружение основных образцов осу- ществляют между плитами пресса при различных значениях параметра трения скольжения между поверхностями плит и различных образцов. Но...

Номер патента: 1599722

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Кузин, Кулешов, Леонтьев, Филатов, Юрин

МПК: G01N 21/45

Метки: диэлектрической, неоднородности, пленки, подложке

...исследуемой пленки. с подложкой производят через дополнительную интерферирующую пленку, нанесенную на поверхность исследуемой пленки,Составитель С.Голубев редактор Т.Парфенова Техред Л,Сердюкова Корректор А,ОсауленкоЗаказ 3137 Тираж 514 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 верхности интерферирующей пленки, та.к кк эта пленка освещается не под углЬм Брюстера.В местах неоднородности исследуемой неинтерферирующей пленки по показателю преломления свет падает уже не под углом Брюстера и возникает интерференция лучей, отраженных от исппедуемой пленки и нанесенной...

Номер патента: 1608521

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Вдовин, Григорьев, Гудков, Лобанов

МПК: G01N 21/89

Метки: движущегося, дисперсного, листового, неоднородности, структурной

...ячейку 5 памяти диаметра исходного коллимированного лазерного пучка и ячейки 6 - 11 памяти последовательности диаметров рассеянного лазерного пучка, а также вычислитель12 изменения во времени дисперсиидиаметров лазерного пучка по отношению к диаметру исходного лазерногопучка. ,Устройство работает следующимобразом.Излучение источника 1, пройдячерез контролируемьш материал, падает на фотоприемник 2. Уширение пучкавследствие его рассеяния приводит ксрабатыванию периферийных ячеек матричного фотоприемника. С началомцикла измерения блок 4 синхронизации производит установку элементарных ячеек фотоприемника 2 в исходноесостояние. После этого блок 3 изменения времени экспозиции выдает последовательность управляющих сигналов,разрешающих...

Номер патента: 1608597

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Меньших

МПК: G01S 13/95

Метки: дисперсией, неоднородности, профиля, среды, частотной

...в блоке 17. Изменение режима работы генераторов 1, 9 и блоков 16 и 17 производится с помощью соответствующих сигналов блока 22 синхронизации. По окончании второго цикла зондирования блоки 16 и 17 переключаются в режим воспроизведения. Сигнал первого цикла зондирования воспроизводится в прямом времени (как записывался), а сигнал второго цикла зондирования - в обратном времениПри этом ГЛИН 9 Формируется напряжение развертки для второго индикатора 2 1, В каждый текущий момент времени воспроизведения значения частоты каждого из сигналов соответствуют групповой дальности до одного и того же отражающего слоя ионосФеры. Область значении этой частоты составляет - 100-300 Гц, В значениях частот сигналов имеются небольшие добавки в виде ДСЧ...

Номер патента: 1631287

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Евелькин, Муштареев

МПК: G01F 1/74

Метки: двухфазной, индикации, неоднородности, расхода, среды

...в потоке сигнал с выхода линейного детектора б с регулируемой отсечкой равен нулю, при отсутствии корректировки (беэ использования клеммй 7) сигнал пропорционален расходу жидкой фазы в потоке (без учета скорости потока). С выхода интегратора 8 формируется игнал, пропорциональный расходу (без учета скорости потока) и по динамической характеристике имеющий логарифмическое искажение из-задействия автоматической регули 4 ровки усиления, что позволяет улучшить различение ослабленных сигналов (при наличии множества твердых включений в потоке). Этот сигнал подается на первый вход перемножителя 9, одновременно на второй вход перемножителя 9 с первого Функционального преобразователя 1 О подается предыскажен-., ный сигнал скорости, С выхода...

Номер патента: 1649252

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Бахтин, Гриневский, Калинкин, Логинова, Малов, Селиванов

МПК: G01B 9/021

Метки: голографическое, неоднородности, объектов, прозрачных

...коллимированного пучка на зафиксированной на регистрирующей среде 5 картине полос приводит к фокусировке пучка за средой 5, При отсутствии неоднородностей на контролируемом участке обьекта точка фокусировки симметрична положению фокуса объектива 3 относительно регистрирующей среды 5, Расположенный в этой точке фоторегистратор 6 с ограниченной апертурой фиксирует максиМальную интенсивность, В случае же наличия неоднородностей излучение фокусируется не только в эту точку, поэтому из-за ограниченности апертуры фоторегистратора 6 фиксируется меньшая величина сигнала, которая характеризует интегральную оценку неоднородности исследуемого прозрачного обьекта.Поскольку апертура фоторегистратора коллиматора ограничена размером используемой...

Номер патента: 1659942

Опубликовано: 30.06.1991

Автор: Смирнов

МПК: G01V 3/11

Метки: магнитного, неоднородности, обнаружения, поля

...5-8, а затем подаются на первые входы магниточувствительных преобразователей 1-4, обеспечивая отрицательную обратную связь по измеряемым саставляющим векторов магнитной индукцИи, Выходные сигналы усилителей-преоброзователей 6 и 7 поступают на входы блока 9 вычитания и блока 11 сложения. С выхода блока 9 вычитания сигналпропорциональный измеряемой. пространственной производной магнитной индукции, созданной наиболее удаленными источниками магнитного поля помехи и магнитным полем близлежащего источника полезного сигнала, гоступает на градиентные обмотки 13 и 14, голностью компенсируя неоднородность магнитного полл от наиболее удаленного и частично компенсируя - от близлежащего источника магнитного полл. Выходной сигнал блока 11...

Номер патента: 1667174

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Карнюшин, Широков, Шушков

МПК: H01J 17/00

Метки: газодинамических, зоны, камерах, неоднородности, разряда, секционированными, тлеющего, характеристик, электрических, электродами

...резистора можно реализоватьрежим точки Б при более крутопадающейнагрузочной прямой, соответствующей напрякению источника Ед, При погасании тог.да реализуется режим точки Бз.Разряд гаснет при уменьшении подводимой мощности лишь на части элементов,имеющих пониженную проводимость по отношению к остальным, на чем и основанспособ определения зоны неоднородности,Введение дополнительного резистора, Я в собственную цепь питания установкипозволяет не только повысить устойчивостьгорения, но и более плавно изменять токчерез электродные элементы при постоянной скорости регулирования напряженияисточника; скорость изменения тока уменьшается в (г+ИВ) раз, где й - число секциони, рованных элементов, т.е. уменьшаетсямногократно, а также...

Номер патента: 1670379

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Бахтин, Гриневский, Калинкин, Логинова, Малов, Селиванов

МПК: G01B 9/021

Метки: неоднородности, объектов, прозрачных

...4 мо 1670379нохроматического излучения, Поскольку длину волны излучения пучка 4 выбирают лежащей вне диапазона спектральной чувствительности регистрирующей среды 1, то пучок 4 не фиксируется на среде 1, а дифрагирует на интерференционной структуре, образованной наложением пучков 2 и 3. При отсутствии резких изменений оптических свойств объекта в областях, просвечиваемых этими пучками, на регистрирующей среде 1 в результате наложения пучков 2 и 3 формируется голограмма, имеющая структуру типа плоской дифракционной решетки. Дифрагированный на этой решетке пучок собирают линзой 5, в фокусе которой расположена диафрагма б, имеющая отверстие размером, равным дифракционному размеру пучка 4. Расположенным эа диафрагмой б фотоприемником 7...

Номер патента: 1670549

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Вершинин, Густова, Коваленко, Магдалев, Марченко, Сопин

МПК: G01N 23/20

Метки: неоднородности, химической, целлюлозы, эфиров

...к величине фона вблизи него, т.е. разделить интенсивность рефлекса на величину интенсивности фона, 1670549Известно, что интенсивность рефлекса прямо пропорциональна количеству вещества в образце, Поэтому отношение интенсивности рефлекса целлюлозы в эфире к интенсивности рефлекса в чистой целлюлозе дает количество целлюлозы, содержащейся в эфире. Для исключения влияния условий съемки лучше брать отношение интенсивностей, нормированных к величине фона.Сущность предлагаемого изобретения можно проиллюстрировать следующими примером. Для анализа отобраны образцы нитроэфиров целлюлозы, полученные нитрацией целлюлозы различных партий в течение 40 мин (образец 1-3) и 10 мин (образец 4-8), Нитрацию проводили смесью состава: азотная кислота -...

Номер патента: 1670550

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Барков, Бурыкин, Востриков, Жидков, Экк

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, материалах, неоднородности, распределения, фаз

...в каждом отдельном случае на трубке и счетчике устанавливали идентичные щели, с целью получения отдифрагмированного, с минимальной расходимостью, плоскопараллельного пучка. В одном варианте образец и эталоны снимали в статических условиях без вращения приставки, в другом включали равномерное вращение образца вокруг нормали к поверхности отражения с частотой 1 Гц.В последнем варианте при анализе относительной разности концентраций фаз съемки эталонов не потребовалось. так как значения интегральной интенсивности строго пропорциональны облучаемому объему при изменении вертикальной проекции пучка.Параметр неоднородности , П на 1=1 ходили иэ нижеприведенных соотношений, соответственно, для случая неподвижного и вращающегося образцаккп"=(- -...

Номер патента: 1672349

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Ерофеев, Родюшкин

МПК: G01N 29/00

Метки: волн, волноводе, коэффициента, неоднородности, отражения, упругих

...скорость; а - центральная частота случайных упругих волн; ) = 1,2М, Расстояние Е от неоднородности до датчика, дальнего к ней, выбирают из условия2 л Ср/Й, где Й - ширина спектра случайных упругих волн. Исомый коэффициент отражения г определяют по формуле1672349 Составитель О.Сапожниковедактор С.Патрушева Техред М,Моргентал Корректор В.Гирн аказ 2836 ВНИИПИ Тираж 373 Подписноедарственного комитета по изобретениям и открытиям приКНТ СССР113035, Москва,Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент",г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 ности 3 на расстоянии2 л Стрlй,где Стр - групповая скорость упругих волн в волноводе, Й - ширина спектра упругих волн, создаваемых источником 2. Датчик 4 устанавливают последовательно в й...

Номер патента: 1677613

Опубликовано: 15.09.1991

Автор: Липовко-Половинец

МПК: G01N 29/00

Метки: акустического, неоднородности, поля, преобразователей

...участке. Ителем ультразвуковыелении указанной повертраженные колебания,ент В 1 отражения удыт показатель д отклоненакустического поля от раения по формулед -Во1 -Воетное значение коэффит сформированной по чению звуко ния-приемапреобраэования в направ принимаюто ют коэффиции определяюпределения го распредел итуды давления Рпад(5) и Ротр(:т) в учения-приема для падающей и от й волн соответственно на уровне щей поверхности 5 связаны между отношением1677613 В противном случае й 1 Фйо, поэтомупоказатель д, определяемый в соответствии с (1), служит характеристикой отклонения распределения поля в йоперечном направ лении от расчетного.Способ позволяет выявить характерраспределения акустического поля в поперечном направлении от оси...

Номер патента: 1709260

Опубликовано: 30.01.1992

Автор: Доватор

МПК: G01R 33/26

Метки: магнитного, неоднородности, объеме, поля, экранированном

...атомы, в магнитный экран, в котором с помощью источника магнитный индукции создают неоднородное магнитное поле (например, пара колец Гельмгольца, часть обмоток которых включена встречно), под действием циркулярно-поляризованного излучения накачки в ячейке происходит ориентация парамагнитных атомов, находящихся в двух зонах ячейки, выделенных с помощью маски из светонепроницаемого материала, надеваемой на ячейку, или с помощью системы диафрагм, расположенных перед линзой. Результатом ориентации атомого магнитного поля, причем период прецессии однозначно связан с величиной индукции магнитного поля в этих зонах. Чтобы вызвать прецессию, необходимо воздействовать на атомы импульсным магнитф =ф совг. - гл2 мов является макроскопическая...

Номер патента: 1714419

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Атавин, Рослик, Фарафонов

МПК: G01N 1/32, G01N 33/20

Метки: деформации, металлах, неоднородности, пластической, распределения, степени

...распределение плотности деформационных линий исследуемой стали, подвергнутой предва- рительноЬ деформации емакро =20. В результате расчета данной гистограммы 50 получены значения р,3221 10 мкм 1 О,6421 10 мкмГрафики (фиг. 2 и 3) устанавливают взаимность микросвойств исследуемой стали, в частности предела прочности тв и отно-. сительного удлинения д, со степенью неоднородности распределения пластической деформации при фиксированном значении р. Каждая точка на этих графиках соответствует образцу с определенными макросвойствами (тв или д) и вычисленным значением дисперсии из гистограммы (фиг. 1). Дисперсия растет при падении прочности и росте пластичности.Таким образом, применение технологии с более равномерной деформацией (например,...

Номер патента: 1730574

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Брагинский, Григорьян, Евсеев, Медведев, Самохин, Черневский

МПК: G01N 29/14

Метки: детали, неоднородности, поверхностного, слоя, структурной

...от упругого внедрения индентора в деталь перпендику 5 10 15 индентора, шаг з смещения индентора по поверхности детали в направлении, перпендикулярном направлению линейной скорости, нормальная нагрузка Р на индентор, радиус Яи кривизны индентора в месте его контакта с поверхностью детали. В результате расчетов установлено, что для повышения производительности и обеспечения необходимой чувствительности к обнаружению структурных неоднородностей размер площадки контакта упругого внедрения сферического индентора в поверхностный слой детали (В) должен быть равен В = =0,22 ЪКби О, где 1 р - минимальныи размер области структурной неоднородности поверхности, способный обнаруживаться аппаратурой АЭ-контроля с данной разрешающей способностью,...

Номер патента: 1737282

Опубликовано: 30.05.1992

Автор: Паско

МПК: G01K 15/00, G01K 7/02

Метки: неоднородности, проволоки, термоэлектрической, термоэлектродной

...технике известно определениетермоэлектрической неоднородностипроволоки путем наложения температурного поля различного по виду поляр".ности градиента (Б.П.Павлов. Термоэлектрическая неоднородность электродов термопар. И.: Стандарт, 1979,с. 16). В предложенном устройстве .наложение градиента сопровождается иразностью величины температурного поля, накладываемого на термоэлектроды.517На фиг. 1 представлена схема уст- -ройства; на фиг. 2 а-в - распределение температуры по поверхности термоэлектродов термопары.Устройство содержит механизм 1перемотки термоэлектродной проволоки2 с приводом 3 вращения, направляющими роликами 4, подающим. 5 и приемным 6 барабанами,. регистратор 7, корректор 8 сопротивления, счетчик 9перемотки термоэлектродной...

Номер патента: 1764066

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Соколов, Щипцов

МПК: G06G 7/52

Метки: дисперсии, неоднородности, оценки, процессов, случайных

...во 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 втором такте прежнее значение То, а коэффициенты усиления М регулируемых усилителей 23 - 123-М также сохраняют прежнее значение К.На диаграммах фиг,2 г,д во такте показано, что дополнительные сигналы присутствуют во втором (12 - 2) и третьем (12 - 3) каналах, которые являются соседними, Сигналы с выходов элементов памяти, суммируясь в сумматоре 1, также дают на его выходе импульс удвоенной единичной амплитуды, так как число неоднородностей дисперсий в каналах равно двум, Значит, импульс удвоенной амплитуды передается на выход ключа 15 - (М+1) во время появления разрешающего импульса с выхода формирователя 13 (см, фиг.2 ж),Поскольку во 11 такте дополнительные сигналы (неоднородности дисперсий)...

Номер патента: 1770778

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Сидорюк, Скворцов, Шестаков

МПК: G01J 5/00

Метки: неоднородности, оптического, поглощения, пространственного, распределения

...типные лазеры, объективы, приемники теплового излучения и системы обработки электрических сигналов, то можно. исходить из равенства минимальных значений Опв и Опв регистрируемых переменных состав ляющих теплового излучения в обоих рассматриваемых случаях, т.е,Ови = Огпп30 В прототипеОаи = К Рйви (2)где К - коэффициент, определяемый тепло 35 физическими характеристиками образца,его начальной температурой и регистрирующей аппаратурой;Р - плотность мощности лазерного излучения;40 аь - минимальный измеряемый коэффициент локального поглощения,В заявляемом способеО,= К Р (и - а) вь, (3)45где а 1 и а 2 - предельные значения коэффициентов локального поглощения на участке сканирования;(а) - а 2)аь - минимальное регистрируемое значение...

Номер патента: 1794247

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Галактионов, Иванова, Сырников, Ферсман

МПК: G01N 21/89

Метки: бумаги, неоднородности, показателей, просвета, стандартизированных

...чертежом.Установка для реализации способа состоит из источника 1 света, стабилизированного выпрямителя 2, диафрагмы 3, движущегося образца 4 бумаги, двух стеклянных дисков 5, электромотора 6, автотрансформатора 7, коллиматора 8,.фотодиода 9, милливольтметра 10, вольтметра 11, усилителя 12, частотомера 13, вогнутого зеркала 14.Установка работает следующим образом.Луч света от источника 1, который питается от стабилизированного выпрямителя 2, пройдя через диафрагму 3 фокусируется на исследуемый образец 4, зажатый между двумя стеклянными дисками 5. Диски приводятся во вращение электродвигателем 6, который питается от сети через автотрансформатор 7. Свет, прошедщий бумажный лист через коллиматор 8, попадает на фото- диод 9. С...

Номер патента: 2003999

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Гусак, Зацепин, Кодин, Осипов, Усиевич, Чернышев

МПК: G01R 33/12

Метки: деформации, листе, неоднородности, пластической, тонком

...измерительная и компенсационная катушки, включенные встречно. Из- .бирательный усилитель 4 служит длявыделения из суммарного сигнала третьейгармоники, которая регистрируется индикатором 5. 25Способ осуществляют следующим образом. Формула изобретения СПОСОБ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕОДНО. РОДНОСТИ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ В ТОНКОМ ЛИСТЕ, заключающиися 35 в том, что участок листа намагничивают переменным магнитным полем накладного преобразователя и измеряют выходной сигнал измерительной катушки, отличающийся тем, что, с целью повышения чувст вительности и надежности контроля, измеряют в и (и7) точках на участке 100100 мм.тонкого листа поперек прокатки амплитуду третьей гармоники выходной эдс преобразователя, обусловленную нор мальной к...

Номер патента: 1681688

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Марголис, Шур

МПК: H01J 9/42

Метки: неоднородности, приборов, термокатодов, электровакуумных, эмиссионной

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭМИССИОННОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕРМОКАТОДОВ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ путем снятия эмиссионной характеристики и определения коэффициента вариации плотности тока по эмиттирующей поверхности катода по соотношениюгде IА и IВ- полный и измеряемый токи в области перехода эмиссионной характеристики из режима пространственного заряда к режиму насыщения,отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа за счет расширения номенклатуры исследуемых катодов, в качестве эмиссионной характеристики снимают накальную характеристику, а значения IА и IВ определяют при характеристической...

Номер патента: 1567014

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Марголис, Шур

МПК: H01J 9/04, H01J 9/42

Метки: неоднородности, приборов, термокатодов, электровакуумных, эмиссионной

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЭМИССИОННОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕРМОКАТОДОВ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий измерение токов и напряжений в режимах пространственного заряда переходном и насыщения, определение показателя эмиссионной неоднородности и составление сужения об эмиссионной неоднородности, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля и уменьшения трудоемкости способа, сначала измеряют одно значение тока в режиме пространственного заряда и два значения тока в режиме насыщения и соответствующие этим токам анодные напряжения, затем определяют величину тока Iа и величину напряжения, соответствующие точке перехода из режима пространственного заряда в режим насыщения, после чего измеряют при этом напряжении значение тока...

Номер патента: 1268015

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Гурский, Паращук, Пендюр, Таленский, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллических, кристаллографической, неоднородности, образцов, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии...

Номер патента: 1491271

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Парашук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, неоднородности, полупроводниковых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, основанный на погружении кристалла в диэлектрическую жидкость, возбуждения в кристалле стримерных разрядов одиночными импульсами напряжения с помощью электродов, один из которых выполнен игольчатым, а другой плоским, и регистрации траекторий стримерных разрядов в кристалле со стороны одной из плоскостей кристалла при перемещении игольчатого электрода над его поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности путем определения блочной структуры кристалла, перед возбуждением стримерных разрядов ориентируют поверхности кристалла относительно его кристаллографических плоскостей, одновременно с регистрацией стримерных разрядов со стороны...

Номер патента: 1664042

Опубликовано: 10.07.1996

Автор: Могилатов

МПК: G01V 3/18

Метки: геоэлектрической, края, неоднородности, протяженной

...на поверхности земли по радиальному профилю параметры поля, по которым определяют край неоднородности, оююличаюи 1 ийся тем, что, с целью повышения детальности и обеспечения возможности исследования слабоконтрастных неоднородностей при проведении измерений на одной скважине, измеряют вдоль радиального профиля в парах соседних точек г., в каждой из точек. г, и г, градиенты поля ЬЕ(г,) и ЛЕ(г.,+,) с помощью двух пар электродов,ЛЕ,(г.,) ЛЕ,(г.,) - предварительно найденные значения нормального поля ЬЕ, для точек г,. и г, радиального профиля,Определяют край неоднородности по экстремальным значениям функции ЛМ/ЛгСпособ может быть реализован с помощью установки, в состав которой входят образующие диполь питающие электроды, соединенные с...

Номер патента: 1297568

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Александров, Карпов, Лобков, Потехин, Щекочихин, Эмдин

МПК: G01C 3/08

Метки: дальномер, неоднородности, обнаружения, оптико-электронный, системы, среды

Оптико-электронный дальномер для системы обнаружения неоднородности среды, содержащей лазер, модулятор, приемник излучения, состоящий из объектива и N каналов вычисления дальности, при этом каждый канал вычисления дальности содержит последовательно соединенные фотодетектор, усилитель, фильтр, каждый канал дальности, начиная с второго по (N-1)-й, содержит блок вычитания, соединенный с детектором абсолютной величины, а каждый канал вычисления дальности, начиная с третьего по (N-2)-й, содержит последовательно соединенные решающий блок и пороговое устройство, соединенное с соответствующим входом индикатора обнаружения неоднородности, причем блоки вычитания и пороговое устройство соединены с...