Патенты с меткой «электронов»

Номер патента: 654020

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Дмитриев, Силантьева, Стригущенко

МПК: H01J 1/312, H01J 3/02

Метки: импульсный, источник, управляемый, электронов

...нагрева вольфрамового острия и диэлектрика проходящим автоэмиссионным током. Для от бора электронов из плазмы на коллектор подают импульс напряжения 30 кВ. Использование таких высоких напряжений для зажигания разряда и вытягивания электронов из плазмы обуслов ливает высокие требования к изоляции и усложняет конструкцию и эксплуата-, цию источника электронов. Целью изобретения является снижение амплитуды управляющего импульсаи анодного напряжения.Это достигается тем, что поверхность диэлектрика в местах контактас электродами легирована металлом иимеет коэффициент электропроводностив диапазоне 10- 1 Омсм ,Сущность изобретения поясняетсячертежом.Импульсный источник электроновсодержит эмиттер 1 из диэлектрика иуправляющие...

Номер патента: 1140641

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Долбилов, Петров

МПК: H01J 37/077

Метки: источник, плазменный, электронов

...и стабилизация тока пучка за счет увеличения давления остаточного газа в районе катода и амплитуды скачка плотности плазмы в области формированияплазменных, электродов,Поставленная цель достигается тем,что в плазменном источникеэлектронов, состоящем из керамической разрядной трубки, расположенно 9 внутри 406412индукционной секции, игольчатого ка-.тода, анода и анодной магнитной линзы, разрядная трубка выполнена из двух сообщающихся между собой цилиндрических полостей, диаметры ЙЙи длины 1, 1 которых удовлетворяют условиям8- 16 60- 80ЙД 9,1У1а 1 равняется среднему диаметруанодной линзы.Схема плазменного источника элек-:тронов изображена на чертеже.Источник состоит из разряднойтрубки 1 из диэлектрика, размещенной в индукционной...

Номер патента: 1275274

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Ермилов, Михайлов, Ожигин

МПК: G01N 22/00

Метки: движущейся, концентрации, локального, плазмы, столкновения, частоты, электронов, эффективной

...образом.Сигналы обеих частот, принятые приемной антенной 8, через фильтры 11 и 12 разводятся на смесители 13 и 14, на котор е подаются также 35 опорные сигналы с генераторов б и 7. Выделенные в смесителях 13 и 14 сигналы разностных частот ЬЙ и дй поступают на регистратор 15. По измеренным значениям д Г и 6 Г с момента 40 прихода фронта ударной волны к приемной антенне 8 определяют зависимости С,Г(е) и С, й(е) и по номограммам находят профили 11 =Й е), Ч =Е;е) . Если измерения проводятся на таких 45 частотах, когда длина волны в волноводе существенно отличается от длины волны в свободном просТранстве, расчет номограмм проводится по иным формулам с учетом изменившейся для ны волны.3В результате сложения излучаемого радиосигнала и...

Номер патента: 1176817

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Михалев, Фролов

МПК: H05H 6/00

Метки: позитронов, поляризованных, пучков, ультрарелятивистких, электронов

...изобретения является увели" чение интенсивности электронов (позитронов), радиационно поляризующихся в режиме плоскостного каналирования в изогнутом монокристалле за счет того, что объемное образование каналированных электронов и позитронов интенсивным пучком жестких У -квантов осуществляется непосредственно в изогнутом монокристапле.На фиг,1 представлена схема объемного образования каналированных электронов и позитронов в изогнутом мо;нокристалле, помещенном в расхоцящемся пучке-квантов (изображена плоскость изгиба монокристалла).Возможность реализации предлагаемого способа при облучении ускоренными протонами бериллиевой мишени, за которой устанавливается очищающий магнит и изогнутый монокристалл, иллюстрируются фиг,2, где...

Номер патента: 313513

Опубликовано: 23.03.1987

Автор: Быков

МПК: H05H 9/00

Метки: линейный, ускоритель, электронов

...колебаний, оставшейся неизрасходованной в конце волновода. 10Известна нагрузка, расположенная на одной оси с диафрагмированным волноводом и заключенная в общую с ним вакуумную оболочку. Она представляет собой цепочку связанных резона торов низкой добротности в виде от" резка диафрагмированного волновода, присоединенного к основному волноводу. Для увеличения широкополосности нагрузка изготовлена из материала с 20 высоким омическим сопротивлением или на часть Юе поверхности нанесено поглощающее покрытие. К концу нагрузки увеличивается площадь покрытой поверхности, уменьшается диаметр отверстий в диафрагмах, расстояние между ними и диаметр колец.Известная нагрузка при значительной длине, необходимой для хорошего согласования ее с...

Номер патента: 1322386

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Зашквара, Маковский, Масягин, Редькин

МПК: H01J 49/48

Метки: вторичных, регистрации, электронов

...исслелуемой поверхности за счет опрслелснного изменения потенциала подаваемого на исслелуемую поверхность. Способ заключается в следующем.Образец, исследуемая поверхность к- торого совмещена с осью симметрии цилиндрического зеркального анализатора ЦЗА) и находится под потенциалом, сканируют электронным пучком, регистрируют вторичные электроны и анализируют их энергетические спектры. Причем в процессе сканирования образца потенциал его поверх. ности изменяется по следующему закону:1 Л(С= - 1 Ч б(1),гле И (1) - потенциал, подаваемый на поверхность образца, В;)с - безразмерный коэффициент, выбираемый из соотношения 0,18( ( 1 с (0,22;Ъ потенциал, соответствуюгций кинетической энергии анализируемых электронов, В;(0,3- смещение сканируюцего...

Номер патента: 1102407

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Голубев, Шмаенок

МПК: H01J 37/24

Метки: источник, лазерно-плазменный, электронов

...плоский экран; установленный на поверхности катода между точкой фокусировЗ 0 ки лазерного луча.и анодом параллельно последнему, при этом свободныйкрай экрана снабжен козырьком состороны противоположнои аноду 1причем внешняя кромка козюрька лежит в плоскости, проходящей через35точку фокусировки лазерного луча параллельно аноду,На чертеже представлено предлагаемое устройство.40 Лазерно-плазменный источник электронов содержит катод 1анод 2, экран 3 с козырьком, на катоде рас"положена точка А фокусировки лазерного луча,В изобретении благодаря взаимноперпендикулярному расположению ка-,тода и анода ось симметрии. разлетаплазменного сгустка параллельна аноду, Это дает возможность путем вве 50 дения в источник специального экранас козырьком,...

Номер патента: 1365378

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Вишняков, Кушнир, Ромасько, Шендерович

МПК: H05H 9/00

Метки: линейный, резонансный, ускоритель, электронов

...частоту Е, близкую к и-й гармонике частоты ускорителя Г , он возбуждает в системе электромагнитные колебания. Частицы пучка тормозятся и теряютэнергию ьГ, равную ЪЕ = еХК;(1) где Е, - энергия частиц без учета10 нагрузки пучком,Эта величина будет стабилизированапри условии, что Подставляя (3) в (4) и пользуясь (1) и (3), получают условие стаби- лизации,пассивной резонанснойсистемы;шунтовое сопротивлениеускоряющей системы,Ом/м;заряд электрона, э;при стабилизации мощности пучка на выходе ускорителя;при стабилизации плотности тока выведенногопучка;при стабилизации поверхностной плотности выведенного пучка;1 - импульсный ток пучка, А;Я - энергия частиц без учетанагрузки пучком, эВ.45 Таким образом из изложенного видно, что механизм...

Номер патента: 1377920

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Жуковский, Ртищев

МПК: G21B 1/00

Метки: плазме, температуры, электронов

...принимается под углом 0 = 45О = О,74 рад с отрезка лазерно.го луча длиной 1 = О см. В этом случае сечение рассеяния в электронную компоненту спектра равно 6 Е8 10 смг, а ширина спектра рас-г 50 сеянного излучения - Д 1=10 Е300 ГТц. Телесный угол Й = ь (Ь 6) выбирают из условия Ь 0 4 0,39, т.е. Ь 90,05 рад и Я =8 1 О ср. При расзсматриваемых параметрах эксперимента спектральная плотность мощности рассеянного излучения равнаР Е О, пр 1 Я . -8Эта величина должна быть больше шумов детектора, т.е. Рз/ЬГ - МЕР.В инфракрасном диапазоне характерной величиной МЕР охлаждаемых полупроводниковых детекторов является =4 1 0 Вт/Гц в полосе приема О Г = - = 1 О Гц.Отношение сигнал - шум на выходе анализатора частот, определяющего надежность и...

Номер патента: 852148

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Аброян, Сусаров, Токарев, Федотов

МПК: H05H 5/02

Метки: выпускное, окно, ускорителя, электронов

...вакуумплотно установленную на решетку, поверхности каналов выполнены наклонными.Пленка одного металла, нанесенная на поверхность другого, начиная с толщин, равных нескольким атомарным слоям, определяет его вторично-эмиссионные свойства. Пленка тяжелого металла с большим атомным номером (А 8, Бп У, РЪ), нанесенная на поверхность каналов медноопорной решетки, ведет к увеличению относительной доли наиболее быстрых неуп-,руго отраженных электронов, т.е. в спектре вторичных частиц увеличивается число частиц с энергией, близкой или равной энергии первичного пучка, пригодных для выводасквозь фольгу.в атмосферу.На фиг. 1 изображено выпускное окно ускорителя электронов; на фиг. 2 - элементы опорной решетки одного из конструктивных...

Номер патента: 1392643

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Моисеенко, Протасюк, Уваров

МПК: H05H 5/00

Метки: ускоритель, электронов

...формулойС = (с/2 Ф)Ь е30При положении "1" переключателя БА 1 устройство представляет собой известную схему модулятора с полным разрядом накопительной емкости, принцип работы которого основан на им 35 пульсном разряде формирующей линии ФЛ через тиратрон Л на нагрузку Вя после поступления на сетку тиратрона управляющего сигнала (нход ХЯ 1), 40 В случае применения данной цепи в модуляторе источника электронов ускорителя нагрузкой В является первичная обмотка импульсного повышающего трансформатора, напряжение со вторич ной обмотки которого подается на анод источника, причем из соображений согласования приведенный к первичной обмотке импеданс нагрузки модулятора должен равняться волновому сопротивлению формирующей линии.1При...

Номер патента: 852097

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Афонина, Климин, Майор, Стучинский, Янюшкин, Янюшкина

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичных, электронов, эмиттер

...прямого55и непрямого переходов в этом твердомрастворе совпадают, В качестве прямозонного полупроводника может быть выбран, например фосфид индия, арсенид индия, антимонид индия, арсенидгаллия или антимонид галлия. Непрямозонным полупроводником могут быть,например фосфид галлия, фосфид алюминия, арсенид алюминия или антимонид алюминия.Разброс энергией вторичных элек-,тронов в значительной мере связанс выходом в вакуум не только электронов, термализованных в абсолютномминимуме зоны проводимости (например,Г-минимуме в СаАз или Х-минимума вСаР), но и электронов, находящихсяв более высоких минимумах зоны проводимости (например Х-минимуме вСаАз и Г-минимуме в СаР), При этомцентральный т.е. Г-минимум, является наинизшим (абсолютным...

Номер патента: 1437767

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Клочко, Макаров, Санков, Слуцкин

МПК: G01N 27/72

Метки: металла, монокристаллах, плотности, электронов

...электрона в магнитном поле г и длиной свободного пробе"Нга 1 : 1 ) г н и 4 НЕТ ( р - магнитный момент электрона; К - постоянная Больцмана; Т - температура). Такие условия можно реализовать для чистых металлов при низких температурах,с, дР - угол существования иширина слоя магнитопробойной конфигурации.На фиг. 1 приведена схема вращения образца, Волновой вектор ультразвука ч направлен вдоль оси Е,Ч 1 Е. Образец вращают вокруг оси У,поэтому изменение угла 8 происходитв плоскости ХОЕ, которая должна бытьодной из главных кристаллографическихплоскостей монокристалла.На фиг. 2 представлена экспериментальная зависимость амплитудыквантовых осцилляций коэффициента поглощения ультразвука Г в олове от квадрата угла 9, Экспериментальные...

Номер патента: 1441304

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Бражников, Помазанов, Фролов

МПК: G01N 30/70

Метки: детектор, захвату, магнетронный, электронов

...вакуумным насосомчерез патрубки 8 и 9 до остаточногодавления, обеспечивающего необходимую длину пролета электрона, Так какпосле молекулярного сепаратора бинарная газовая смесь поступает существенно обогащенная по анализируемому веществу и так как ДЭЗ является концентрационным детектором, его чувствительность увеличивается, Вследствие того,что молекулы компонента вхо дят в ионизационную камеру из сопла молекулярного сепаратора узким пуч-. ком и подвергаются в ней расширению, температура резко снижается, что является дополнительным положительным эФФектом, тяк как это приводит к сушенин ширины пика из-за уменьшения диФФузии, Плотность потока электронов от термоэмиссионного источника на несколько порядков выше, чем от радиоактивных...

Номер патента: 581780

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Ершов, Кириллов, Прудников, Саксаганский

МПК: H05H 7/10

Метки: вывода, пучков, ускоренных, электронов

...направления вывода пучковэлектронов, причем таким образом,что срез. сопла выходит на внутреннююповерхность камеры, а стенка камеры,расположенная против среза сопла, выполнена с щелевидным каналом для приема струи,применении этого устройства увеличиваются поперечные размеры вакуумной камеры из-за расположения в ней соплового блока.Целью изобретения является уменьшение размеров выводного участка вакуумной камеры. Эта цель достигается тем, что указанное сопло выполнено плоским, установлено вне камеры поперек направления вывода пучков электронов, причем таким образом, что срез сопла выходит на внутреннюю поверхность камеры, а стенка, расположенная против среза сопла, выполнена с щелевидным каналом для приема струи.На чертеже показано...

Номер патента: 1472940

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Вайданич, Орищин, Савчин, Стахира

МПК: G09B 23/18

Метки: движения, исследования, магнитных, полях, электрических, электронов

...ронной пушкой попадает в об оняюцим известдинка 4, аское поле,отклоняющих еиного провоое электричерхней паройдвижении эг током прямоли также однород создаваемое в пластин 3. Пр параллельно и ектрон провод- нитной сивижущийся нием, выте- релятивистрямолинеином величина ма око икус т магн ю аряд, оп ающим изеиствующеи на деляется выра акона Кулона относительност,21илааряд ка в проводник ктрона;ская постое от прова П 0Пл ООлБ - напр яжени иная; ика до электричерасстоянизаряда,действием на последовательении добавочного ра и отклоняющих 5 м соеди П электроны тонятьсяоге к сме - экране 6 онденса о своем движении буд о приведетв конеч о пластин.Используя формулу емкости плоско0 конденсаторас Б(6) ит а ктронного л ором величи йный провод луча...

Номер патента: 1478106

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Михайлов, Ожигин

МПК: G01N 22/00

Метки: движущейся, концентрации, локального, плазме, столкновений, частоты, электронов

...электронов в движущейся плазме.Устройство для локального определения концентрации и частоты столкновений электронов в движущейся плазме 20 содержит канал ударной трубы 1 открытую двухпроводную линию 2, закороченную на конце, согласующий переход 3, который открытую двухпроводную линию 2 трансформирует в коаксиаль ную линию 4, первый 5 и второй 6 СВЧ- генераторы, первый 7 и втсрой 8 направленные ответвители, первый 9 и второй 10 резонансные зонды, первый 11 и,второй 12 детекторы, регистра тор 13, блок 14 синхронизации, датчик 15 синхронизации, Фронт 16 ударной волны. где С, - скорость рас электромагниУстройство работает следующим Образом.При подходе Фронта 16 ударной волны к датчику 15 синхронизации блок 14 синхронизации запускает...

Номер патента: 1189278

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Успенский, Федяков

МПК: H01J 9/02, H01J 9/04

Метки: источника, электронов

...соотношение у,ехр (о( й) ( 1, у хехр Ы (й + 0)Д 71 (1), При этом между катодом и анодом загорается высоковольтный тлеющий разряд, известный в литературе как разряд с полым анодом, Благодаря наличию в аноде отверстий разряд горит преимущественно вдоль их осей, так как для него создаются наиболее благоприят ные условия, поскольку выполнено соотношение у ехр 1 Ы (й+ 0)71. Ускоренные ионы, образовавшиеся в высоковольтном тлеющем разряде, бомбардируют катод, распыляя материал с ма-; 35 лой эмиссионной способностью и создавая таким образом участки с большой эмиссионной способностью, расположенные против отверстий в аноде.Как показывает практика, размер 40 этих участков определяется соотношением размеров Э/Й, но всегда меньше диаметра...

Номер патента: 1236884

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Нестеров, Щербов

МПК: G01N 22/00

Метки: концентрации, плазме, распределения, электронов

...комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101 Изобретение относится к СВЧ-диагностике плазмы и может быть использовано для определения пространственного распределения концентрации электронов в плазме (и ) на установках термоядерного синтеза типа "Токамак", "Ураган",Целью настоящего изобретения является повышение точности при измерении концентрации электронов в высокоплотной плазме больцюго поперечного сечения.На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения распределения концентрации электронов в плазме.Устройство для измерения распределения концентрации электронов в .плазме содержит СБЧ-генератор 1, сдвигатель 2 частоты, первый разделитель 3 сигналов, первый, второй, третий и четвертый...

Номер патента: 1522435

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Лихачев, Пащук, Хвастунов

МПК: H05H 7/10

Метки: анализа, импульсов, магнитного, мечения, системах, спектров, фотонов, электронов

...чтопозволяет перекрыть область исследований Физики нуклонных резонансовв случае Е =3000 МэВ, отклоняютсядипольным магнитом 3, попадают награницу поля АВ и Фокусируются в Фокальной плоскости А Б , где распо/ложена многоканальная детектирующаяюсистема на основе многопроволочноипропорциональной дрейфовой камеры и" сцинтилляторов. Захват одного канала 0,3 мм или 0,1%. Частицы, потерявшие меньше энергии (их импульс больше 0,6 Ро), также отклоняются магнитом 3, но попадают на границу поляВС, поэтому, как и в основной пучокфокусируются границей ВС и квадрупольивм магнитом 6 и попадают в следующую секцию, где отклоняются дипольным магнитом 4, При этом частицы,имеющие импульсы (0,6-0,85)Р, (об"ласть физики нуклонных систем),попадают. на...

Номер патента: 1536431

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Вайданич, Орищин, Савчин, Стахира

МПК: G09B 23/18

Метки: движения, исследования, магнитных, полях, прибор, учебный, физике, электрических, электронов

...двух диаметральнопротивоположно размещенных участковобмотки обеспечивает, кроме того, 40большую однородность магнитного поляв приосевой области электронно-лучевой трубки 1 внутри отклоняющейсистемы,Блок 5 питания электронной пушки 452 обеспечивает Фокусировку и,регулирование яркости электронного луча, а также позволяет устанавливатьопределенное ускоряющее напряжениеЦ к, измеряемое киловольтметром.Учебный прибор используют следующим образом,После включения прибора установления требуемых яркости и фокусаустанавливают определенное, контролируемое киловольтметром блока 5питания ускоряющее напряжение Ц,к,по которому определяют скорость Чдвижения электронов где е - заряд электрона;ш - масса электрона,Затем изменением напряжения свыхода...

Номер патента: 1564739

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Ефимов, Шендерович

МПК: H05H 7/00

Метки: импульсных, поляризованных, пучков, электронов

...течение 72 ч в атмосфере азота.После этого раствор выливают налед/воду и еще перемешивают, органические вещества экстрагируют в эфири промывают водным насыщенным раствором бикарбоната натрия. Затем экстракт высушивают безводным сульфатоммагния, фильтруют и концентрируют.Получают 4,93 г (35,6/) диэтил,6-бис-(трифторметил) -4-изобутил,5-пиридиндикарбоксилата,Это пиридиновое соединение гидроливуют и переэтерифицируют с образованием сложного диметилового эфираследующим образом,Перемешиваемую смесь 31,8 г40 45 50 55 К перемешиваемому раствору 8,65 г (0,022 моль) полученного твердого вещества в 80 мл диметилформамида добавляют 0,83 г (0,22 моль) боргид рида натрия. Затем реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение...

Номер патента: 1566520

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Ефимов, Закутин, Шендерович

МПК: H05H 6/00

Метки: импульсных, поляризованных, пучков, электронов

...излучения, т,е, чемшире полоса излучения, тем большедолжна. быть величина магнитного поля,После достижения установившегосярежима накачки прекращают воздействиемагнитного поля и создают перпендикулярное поверхности диэлектрика электрическое поле Е (В/М) такой величины, чтобы оно, удаляя электроны свозбужденных уровней, было недостаточным для удаления электронов, нахогде е - заряд электрона, Кл.При наличии однородного электрического поля Е, нормального к поверхности диэлектрика 2 еюеюЕ 15 При какой напряженности электрического поля Еэлектрон с энергией Г (1) проходит над барьером. Эта напряженность электрического поля опреде ляется, очевидно, иэ условия е ЧрохПроводя вычисления, получают3 Ф 9о еГеи а (7)пф...

Номер патента: 1567946

Опубликовано: 30.05.1990

Автор: Кириченко

МПК: G01N 24/00, G01T 1/18

Метки: газовая, детекторов, конверсионных, смесь, электронов

...- 2.Да;)С, . . 11) с .с, 1 пмору, Нурс ис.1 1 2 1 .) Изобрт. пие относ 1ЧЕСКИМ МЕ,ДМ ИГС.1 ЕДиспльвдГи цри проьских измер.ций с дстеИсИНЫХ ЭЛ.К РОИОВЦЕ.Ч, ИЗССРЕ ГС НИЯн)сти работдс гс ктордРаботсии Об с;т;с, рим рами 1;лученс мс с.и 1 МСЬ:даИбрдЗИ ГО;Едия С ГдгяШИМИ до 6 д,сами 7 сгь тд 1 ов) гоговят путем прону, кания 1 дзобразно; О гелия через; Осуды со смеськ эти.чового спирта и гптана в ссотнс)шен и5:1 .Одс ржание паров гептд ц д и эт 1 . 1 восо и рта в гдзовои .:мс.си вдрьируегся путем,змене ия темпердгуры сОс, )д с жидкосГио .т 0 до О С и последовдте:ьцым пропусканием смеси через несК .Ч.К СС)СУДОИ С ЖИДОСТЬК. ЛиЕМ ПОЛУ-Иная гаким образом смесь поступает в деектор конверсиочных элктронов, образующихся при попадании на образец-рас...

Номер патента: 1571483

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Аркадакский, Лернер, Цикин

МПК: G01N 22/00

Метки: концентрации, плазменных, потоков, электронных, электронов

...измерительный зонд 5, отражающие встав- ки 6 и согласованную нагрузку 7. При включении г-ра 1 волна через циркулятор 2 поступает на зонд 5, выполненный в виде двухпроводной линии, Возбужденная в ней волна распространяется в направлении нагрузки 7, частично отражаясь от двух концов вставок 6. Отраженные волны через циркулятор 2 поступают на детектор 3, на котором выделяется сигнал с амплитудой, пропорциональной разности фаэ двух волн, отраженных от концов вставки 6. Этот сигнал . регистрируется индикатором 4. Разность . его показаний в отсутствие плазмы и при ее наличии пересчитывается в соответствующий фазовый сдвиг. По его измеренной величине определяется значение концентрации электронов. При этом размер вставки 6 определяет...

Номер патента: 1326005

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Игошин, Овчинников, Теврюков, Фрейберг

МПК: G01N 23/00

Метки: атомами, взаимодействия, газа, молекулами, характеристик, электронов

...пропорциональности, соответствующий величине сечениявзаимодействия электронов с частицами газа. Деля это равенство на Б(х)и переходя к пределу при д -ф О, находим 1 дй(х) - = -Ьп 0(х) йВ том случае, если б и п не зависят от х, это уравнение можно проин-. тегрировать: М(х) Ю ехр(- 6 пх)(2) Такии образом, количество электро вов в пучке экспоненциально уменьшается по иере его црохожденкя. сквозь . гаэ. Рассуждения, приводящие к формулами (2), не эависят, ни от родавзаимодействующих чзстиц,.ни от их 5скорости, нн от конкретных физических явлений, приводящих к выбываниюэлектронов из пучка. Эти факторывлияют иа величину Ь . Физика процесса заключена в величине сечения взаимодействия и в его зависимости отрода частиц и от условий...

Номер патента: 1402237

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Богданович, Игнатьев, Останин, Яненко

МПК: H05H 9/00

Метки: линейный, ускоритель, электронов

...лем 5, В линию обратной связи введены ускоряющие резонаторы б,.при этом ВЧ-выход второй ускоряющей секции через фазовращатель соединен с входои первого резонатора, а. ВЧ-вход второй 39 ускоряющей секции соединен с ВЧ-входом второго резонатора. Фазовращатель 5 настроен так, что электрическая "ина тракта обратной связи кратнао, 360 , Выход второй ускоряющей секции через канал 7 транспортировки электронного пучка соединен с входом первого ускоряющего резонатора.Ускоритель работает следующим образом. 40В течение первой (основной) части длительности импульса тока пучка происходит заласение энергии поля излучения пучка в резонаторах 6. В начальный момент времени почти вся Энергия поля излучения отражается от ускоряющих резонаторов 6 и...

Номер патента: 1588521

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Безденежный, Ермакова, Кайдалов, Ланкин, Леоненко, Пастушенко, Саморукова, Стрекаль

МПК: B23K 15/00

Метки: мощности, пучка, пушки, распределения, электронно-лучевой, электронов

...14 выдает сигнал включения электронной пушки на рабочий режим, Мощный пучок 21 проходит по пластинам 6 и 7, которые являются датчика 5 10 15 20 25 30 35 40 50 55 ми тока и подключены к формирователю 13, который представляет собой дифференциальный блок. За счет вычитания токов, протекающих через пластины 6 и 7, на выходе формирователя 13 получают сигнал 22, отображающий сечение пучка 21 электронов зазором 8. После прохождения пучком 21 электронов пластины 6 формирователь 14 выдает сигнал перевода электронной пушки 1 в ждущий режим, Формирователь 14 представляет собой усилитель-ограничитель с сумматором на входе. Другим конструктивным решением блока 14 является использование триггера, запуск которого выполняется передним фронтом...

Номер патента: 1400474

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Бахрушин, Демский

МПК: H05H 9/00

Метки: источник, линейного, ускорителя, электронов

...Зто обеспечивается при Бьполнении неравенстваа3 1 О:р )п( - )+Ы ) де,(где Р - первеанс источника электроновФФс юстировочным катодом, А/Вэ; Градиус юстировочного пучка на входеучастка юстировки,.м; Ы - угловаярасходимость пучка, рад; г" радиусканала транспортировки, и.Используя формулу Леигмюра, можновь)разить первеанс Р через площадьюстировочного катода Б и расстояниеиежду катодом и анодом ЙР 2,341 О 1 БОЧто касается угловой расходимос- ти пучка Ы, то оня может быть выражена через эмиттанс юстировочного пучкя Егде х- радиус юстировочного пучка в согласованном магнитном поле катушек съюстированного участка ускорителя и) как так В источнике элек" тронов отсутствуют электроды, форми" рующие специальный юстировочиый пучок, то с достаточной...

Номер патента: 1266452

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Красных, Кузнецов, Перельштейн

МПК: H05H 5/00

Метки: диапазона, пучков, сильноточных, субнаносекундного, ультрарелятивистских, формирования, электронов

...прямолинейный,и приведены наиболее существенные части устройства для Форииро" 20вания пучка; на фиг. 2 - схема магнитного манипулятора с импульснымисточником питания.устройство содержит пару катушекпоследней ступени сжатия магнитной 25системы, фориирующей ведущее магнит ное лоле, виток 2 манипулятора,иагнитоэкранироваиный канал Э, мишень 4, датчик 5 положения электронного кольца, импульсный источник б . З 0питания магнитоэкраиированного канала, импульсный источник 7 питаниявитка манипулятора, импульсный формироФатель 8 стартовых сигналов,фидер 9 связи датчика положения с35импульсным формирователем 8 старто"вых сигналов, фидер 10 связи форьп- рователя стартовых сигналов с импульсным источником б питания магнитоэкранированного канала,...