Способ регистрации вторичных электронов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51) 4 Н 01,) 49 4 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Инстпт)т ядерной физики АН КазССР(56) Зандерна А. Методы анализа поверхности изделий. - М: Мир, 1979, с. 213 - 215.Заявка Японии58-30698,кл. Н 01,) 49,48, 983.(54) С 11 ОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ(57) Изобретение относится к энергоанализу пучков вторичных электронов и мокнет быть использовано в растровой спектроскопии 11 о спибу регистрации вторичныхэлектронов образец, исследуемая поверхность которого совмещена с осью симметрии цилиндрического зеркального анализатора и находится под потенциалом, сканируют электронным пучком, регистрируют вторичные электроны и анализируют их энергетические спектры. В процессе сканирования образца потенциал его поверхности изменяется по закону 1(1) = - )с У 6 (1), где 1.) (1) поте н. пиал, подаваемый на поверхность образца; 1 - коэффициент, выбираемый из соотношения 0,18( 1 ( 0,22; У - потенциал, соответствующий кинетической энергии анализируемых электронов; 6(1)(0,3 - смещение сканирующего электронного пучка вдоль оси симметрии анализатора. Способ позволяет увеличить исследуемую поверхность за счет определенного изменения потенциала, подаваемого на исследуемую поверхность.)1 збретение относится к энергоанализу пучков вторичных электронов и может быть использовано в растровой спектроскопии.Цель изобретения - увеличение исслелуемой поверхности за счет опрслелснного изменения потенциала подаваемого на исслелуемую поверхность. Способ заключается в следующем.Образец, исследуемая поверхность к- торого совмещена с осью симметрии цилиндрического зеркального анализатора ЦЗА) и находится под потенциалом, сканируют электронным пучком, регистрируют вторичные электроны и анализируют их энергетические спектры. Причем в процессе сканирования образца потенциал его поверх. ности изменяется по следующему закону:1 Л(С= - 1 Ч б(1),гле И (1) - потенциал, подаваемый на поверхность образца, В;)с - безразмерный коэффициент, выбираемый из соотношения 0,18( ( 1 с (0,22;Ъ потенциал, соответствуюгций кинетической энергии анализируемых электронов, В;(0,3- смещение сканируюцего электронного пучка, вдоль оси симметрии анализатора, выраженное в долях радиуса внутреннего электрода анализатора.Пример. Исследуют образец из молибденовой фольги с пленкой углеводородных загрязнений Образец сканируют электронным пучком с энергией 1 кэВ пятном размером 0,2 мм. Радиусы внутреннего и наружного электродов ЦЗА составляют г,= 25 мм и г =- 57,5 мм Приемная диафрагма устанавлив;: н таким образом, что е края находятся на границе минима ьноо сечения суммарного контура двух пучков, выходяцих из крайних точек зондируемого интервала. Способ регистрации вторичных электронов, включающий подачу потенциала на исследуемую поверхность образца, совмещенную с осью симметрии цилиндрического зеркального анализатора вторичных электронов, сканирование исследуемой поверхности электронным пучком, регистрацию и анализ энергетических спектров вторичных электронов, отличающийся тем, что, с целью увеличения исследуемой поверхности, величину потенциала подаваемого в процессе сканирования на поверхность образца 20 изменяют согласно соотнопению где с/11) -- потенциал, подаваемый на поверхность образца, В;/с - безразмерный коэффициент, выбираемый нз интервала 0,18(( В(0,22;Р - потенциал, соответствующий ки.нетической энер ии анализируемых вторичных электронов, В;6 ) (0,3 - смешение сканирующего электронного пучка вдоль оси симметрии анализатора, выраженное вдолях радиуса внутреннего электрода анализатора.
СмотретьЗаявка
3848483, 04.02.1985
ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ АН КАЗССР
ЗАШКВАРА ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ, РЕДЬКИН ВЛАДИМИР СЕРГЕЕВИЧ, МАКОВСКИЙ ВЛАДИМИР ФОМИЧ, МАСЯГИН ВЛАДИМИР ЕФИМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01J 49/48
Метки: вторичных, регистрации, электронов
Опубликовано: 07.07.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1322386-sposob-registracii-vtorichnykh-ehlektronov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ регистрации вторичных электронов</a>
Способ очистки поверхности образца алюминиевого сплава
Номер патента: 549017
Опубликовано: 25.07.1977
Авторы: Данилкин, Талаев, Шкирский
МПК: G01N 7/16
Метки: алюминиевого, образца, поверхности, сплава
...способа являются: длительность дегазации системы и образцов (около 2,5 час); низкая точность, порядка+0,1 см /100 г; - недостаточная чувствительЭность, несмотря на прогрев образцов доо300 С, Это объясняется тем, что влага, адсорбированная на поверхности образца, может быть трех модификаций: физически адсорбированная - низкотемпературная модификация, удаляемая при нагревании доо200 С или путем вакуумирования, средне- температурная модификация, выделяющаясяо при температуре от 300 до 700 С и связанная водородными связями с поверхностью образца, с ее окислами и высокотемпературная модификация, способная сохранятьсяодо 1200 С, - химичеСки сорбированная вода. Причем доля двух последних модификаций составляет для алюминиевых сплавов...
Устройство для измерения электростатического потенциала образца
Номер патента: 1237999
Опубликовано: 15.06.1986
МПК: G01R 29/12
Метки: образца, потенциала, электростатического
...быстродействие устройства при возрастании измеряемого потенциала и определяется главным образом скоростью упругой деформации управляющего электрода 6, поскольку 25 быстродействие электронных элементов устройства (усилителя 12, счетчика 14, цифроаналогового преобразователя 17, регулируемого источника 18 компенсирующего напряжения) на несколько порядков выше. В моментвремени 1 состояние счетчика 14 (логичес-, кие уровни напряжений на его разрядных выходах) является цифровой формой информации о величине измеряемого электростатического потенциала испытываемого образца 2; а выходное напряжение О цифроаналогового преобразователя 17 - аналоговой мерой измеряемого потенциала.40Если электростатический потенциал испытываемого образца 2...
Тележка для перемещения устройства, определяющего ось симметрии поверхности детали
Номер патента: 1698624
Опубликовано: 15.12.1991
Автор: Рудский
МПК: G01B 5/25
Метки: детали, определяющего, ось, перемещения, поверхности, симметрии, тележка, устройства
...на коромысла 22.На платформе 1 выполнены вырез 29 для подъемногс стержня 12 и выступы 30 - 33 с отверстиями для размещения осей 34, 35опорного рычага 7,Тележка для перемещения устройства, определяющего ось симметрии поверхности детали 20, работает следующим образом,Тележку устанавливают на исследуемуюдеталь 20 так, чтобы прижимные ролики 21 при помощи прижимных пружин 28 охватывали ее за боковые грани. а направляющие ролики 3 опирались на верхнюю поверхность. Устройство 36, определяющее ось симметрии поверхности детали 20, ставят на исследуемую поверхность между каретками, тележку передвигают за трос, прикрепленный за отв рстие 27 (фиг. 1, 3) платформы 1, При этом платформа 1 подается вперед и тянет за собой ось 15 опорногс...
Способ определения степени образования высолов на поверхности мелкоштучных изделий и образцов из строительных материалов
Номер патента: 1814068
Опубликовано: 07.05.1993
Авторы: Журавлева, Илькова, Селезнев, Томиямо
МПК: G01N 33/38
Метки: высолов, мелкоштучных, образования, образцов, поверхности, степени, строительных
...ПЦ 400 с содержанием щелочных оксидов 1,167 ь по Ма 20, Боковский щебень фракции 5-10 мм и солдатский песок с Мк=1,9,: Каждый образец погружают в отдельную емкость с водой на глубину Ь 1 и выдерживают в течение времени й при температуре т 1. Затем уровень воды в емкостях уменьшают до Ь 2 и образцы в емкостях с водой переносят в помещение с пониженной температурой с 2, где их выдерживают в течение времени т 2, После указанного срока образцы вынимают из емкости с водой и высушивают на воздухе при температуре в течение времени тз, Появившиеся на поверхности высолы смывают 50 мл дистиллированной воды, в которой определяют содержание оксидов натрия, калия и кальция в г/л, по которому оценивают степень образования высолов.Количество...
Электронный микроскоп-анализатор
Номер патента: 399937
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01J 37/26
Метки: микроскоп-анализатор, электронный
...Электроны, выходящие из диафрагмы 6 с энергией, определяемой ускоряющим напряжением микроскопа, попадают на сцин. тиллятор 9 и вызывают вспышку, которая регистрируется фотоэлектронным умножителем (ФЭУ) 10. На выходе ФЭУ 10 получается поток импульсов, частота которых соответствует электронной плотности изображения объекта.Затем сигнал поступает через катодный повторитель 13 на интегрирующую цепочку 14. Затем непрерывный сигнал квантуется и с выхода интегрирующей цепочки 14 поступает на вход анализирующего устройства амплитудного анализатора 15 или коррелятора. При необходимости сигнал с выхода ФЭУ 10 подают на видеоусилитель 11 затем на модулятор кинескопа 12. Синхронность разверток кинескопа 12 и отклоняющей системы 7 микроскопа...
Предыдущий патент: Поворотная головка для намотки секций рулонных конденсаторов
Следующий патент: Волноводный переключатель
Случайный патент: Устройство для образования скважин в грунте