Устройство для измерения концентрации электронов электронных и плазменных потоков

Номер патента: 1244736

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Ганзий, Мазова

МПК: H01P 1/00, H01P 1/387

Метки: циркулятор, электронный

...третий и четвертыйотрезки 1 - 4 входной линии передачи, транзисторный усилитель 5, клеммы б питания транзисторного усилителя 5, блокировочные элементы 7,8в цепи питания транзисторного усилителя 5, первый, второй и третийотрезки 9,10,11 линии передачи, одини другой четвертьволновые участки 12,13 третьего отрезка 11 линии передачи. К клеммам б подводится напряжение питания, обеспечивающее требуемый коэффициент усиления транзисторного усилителя 5, при котором осуществляется устойчивое усиление бегущей волны колебаний в третьем отрезке 11 в направлении от входа к выходу транзисторного усилителя 5. Эта бегущая волна возбуждается в третьем отрезке 11 при подаче входных колебакий в первый 1 или четвертый 4 отрезки за счет...

Номер патента: 1061675

Опубликовано: 30.12.1984

Автор: Нежевенко

МПК: H03H 9/30

Метки: акустическая, задержки, свч-линия

...линии задержки - возможность регулировки времени задежки СВЧ сигнала, которое определяется- длиной твердотельного звукопровода и скоростью распространения гиперзву" ковой волны в материале, из которого он изготовлен. Это обстоятельствонакладывает жесткие допуски на длину твердотельного звукопроводаЦелью изобретения является расширение функциональных возможностей за счет обеспечения регулировки времени задержки без увеличения вносимых потерь. Поставленная цель достигается тем, что в акустическую СВЧ линию задержки, содержащую отрезок прямоугольного волновода, замедляющую систему, выполненную в виде замедляющей гребенки, ребра которой ориентированы перпендикулярно широким стенкам прямоугольного волновода, и пьезоэлектрический...

Номер патента: 1123074

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Новиков, Петрунькин, Радюк

МПК: H01P 9/00

Метки: задержки, свч-линия

...эффективное преобразование СВЧ-сигнала в поверхностную магнитастаткческую волну и обратно,улучшение согласования в изобретении достигается эа счет участков ферритовой пленки 4, расположенных вателямк 1 и 2, и вершинами острыхуглов семиугольников 6 и 7, которыеиграют роль согласованной нагрузки,так как постепенчое уменьшение ширииы Ферритовой пленки 4 до нуля, приводит к уменьшению групповой скорости поверхностной магнитостатической Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использованов системах анализа и обработки сигнала.Известна СВЧ-линия задержки, содержащая плоский ферритоъый образец, у краев которого расположенывходной и выходной. преобразователи,а на поверхности - металлическая волноведущая структура 1 .Недостатками...

Номер патента: 1478106

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Михайлов, Ожигин

МПК: G01N 22/00

Метки: движущейся, концентрации, локального, плазме, столкновений, частоты, электронов

...электронов в движущейся плазме.Устройство для локального определения концентрации и частоты столкновений электронов в движущейся плазме 20 содержит канал ударной трубы 1 открытую двухпроводную линию 2, закороченную на конце, согласующий переход 3, который открытую двухпроводную линию 2 трансформирует в коаксиаль ную линию 4, первый 5 и второй 6 СВЧ- генераторы, первый 7 и втсрой 8 направленные ответвители, первый 9 и второй 10 резонансные зонды, первый 11 и,второй 12 детекторы, регистра тор 13, блок 14 синхронизации, датчик 15 синхронизации, Фронт 16 ударной волны. где С, - скорость рас электромагниУстройство работает следующим Образом.При подходе Фронта 16 ударной волны к датчику 15 синхронизации блок 14 синхронизации запускает...

Номер патента: 1556331

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Астайкин, Помазков

МПК: G01N 27/00

Метки: концентрации, низкотемпературной, плазме, столкновений, столкновительной, частоты, электронов, эффективной

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ И ЭФФЕКТИВНОЙ ЧАСТОТЫ СТОЛКНОВЕНИЙ ЭЛЕКТРОНОВ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СТОЛКНОВИТЕЛЬНОЙ ПЛАЗМЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ.1. Способ определения концентрации и эффективной частоты столкновений электронов в низкотемпературной столкновительной плазме, включающий зондирование плазмы электромагнитной волной, распространяющейся по линии передачи, измерение затухания волны в плазме и определение концентрации электронов Nl и эффективной частоты столкновений эф, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения параметров Nl и