Патенты с меткой «позитронов»

Номер патента: 1176817

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Михалев, Фролов

МПК: H05H 6/00

Метки: позитронов, поляризованных, пучков, ультрарелятивистких, электронов

...изобретения является увели" чение интенсивности электронов (позитронов), радиационно поляризующихся в режиме плоскостного каналирования в изогнутом монокристалле за счет того, что объемное образование каналированных электронов и позитронов интенсивным пучком жестких У -квантов осуществляется непосредственно в изогнутом монокристапле.На фиг,1 представлена схема объемного образования каналированных электронов и позитронов в изогнутом мо;нокристалле, помещенном в расхоцящемся пучке-квантов (изображена плоскость изгиба монокристалла).Возможность реализации предлагаемого способа при облучении ускоренными протонами бериллиевой мишени, за которой устанавливается очищающий магнит и изогнутый монокристалл, иллюстрируются фиг,2, где...

Номер патента: 1430840

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Гольданский, Новиков, Шантарович

МПК: G01N 23/02

Метки: веществе, диффузии, длины, позитронов

...а,равая часть.( ричем знамена 5) заВисит от угла ель может обращать определения толщин(8), ,(0) и х точках, Их лучше ся в ноль, Но длядостаточно знать(6) водной, двувсего брать в райоражения1 (8)в этих точках мин де Ь = 0,1 мкм не достигаться, то толщины пленки дол макс 5,(8)-2 (рддр 7 вклада от Диффузии тронов к ее поверхно май Р Минимальнаяничивается усл дложке позиолшина подло ием "невидк и ограи с ваку т,ти 9 = О)Г (д = О) фузии позитроновравна где Ь, = 1 мкм, так как для полупр водников длина диффузии 1 мкм.На самом деле, реально необходимо брать толщину подложки из расчета прочности образца, что конечно удов-. летворяет условию (17)П р и м е р 1, Пучком позитронов из иск точника (радиоактивный препарат Иа, входящий в соединение ИаС...

Номер патента: 1627940

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Репин, Свирида, Семенихин, Тымчук

МПК: G01N 23/18

Метки: аннигилирующих, доли, источнике, позитронов

...Н.Ревскдя Рсдск р Л.,1 олипичма иэеевЕде.ю Фа3 дк,сз 335 Тираж 3.Я Г 1 одписноеИБ 111 ПИ Гоудар.твенного комитета по изобре гениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушс кая наб., д, 4/5 1 россзвд- с си 1 датепьский комбинат Патент, г. Ужгород, уп, Гагарина, 101Скор зс гь счета тройных совпадений ;и с".: ционных "квантов п Л 1 и а-.с, измерялись в геометрии, в котс г;.точнск и образцы размещены в ьс. косги измерения, 11 ри этом скоро.-. си. та тройных совпадений за выч а в . 1 состанилд 1= - ,С, 52 О,О) иля/ч,вморфном120+0,с 1) :мп/ч, Вьщисл -нноесь, 1/ здчснсе Г оказалось рдв 1 ьл ,24 -3),:Гав. ение с рс зультдто. оп еделе пи 1 и прототип; (1 = 18+0,5) Е покзз:сва.г, что спределеннсе по пред,сс ж нному способу значение 1...

Номер патента: 1806412

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Жихарев

МПК: G21G 4/00

Метки: источника, позитронов

...пулевой линии и т.п.Использование пленок аморфных спла-.вов, полученных методом ионна-плазменного напыления, для изготовления источников позитронов неизвестно и соответствует критерию "новизна".Предлагаемый способ позволяет изготавливать источники на основе пленок практически любой необходимой толщины, т.к.не возникает проблем с манипуляцией и склеиванием даже при их толщине 0,1мкм. Поликристаллические фольги такойтолщины не поддаются манипуляции изза наличия сил молекулярного сцепления,5 поверхностного натяжения и т,д. Практически нереальной является задача обеспечения сплошности таких фольг при толщинеменее 1 мкм,Использование аморфного сплава вме 10 сте с,подножкой позволяет избежать отмеченных трудностей и получить не толькопрямой...