Теврюков

Номер патента: 1835326

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Абезин, Истомин, Муджалов, Теврюков

МПК: B05C 7/02

Метки: антикоррозионного, внутреннюю, нанесения, поверхность, покрытия, сварочного, стыка, труб

...Полая трубка 7 служит для размещения на ней всех деталей устройства и установлена на всей длине стыкуемых труб,Щетки 8 для очистки внутренней поверхности сварочного стыка установлены на шарнирных рычагах 9. Внутри полой трубки установлена трубка или шланг 10 для подачи материала покрытия к распылителю 11.Устройство работает следующим образом,Перед сваркой стыка устройство устанавливается опорной втулкой 2 на линии сварочного стыка, Регулируемой стойкой 3 полая трубка 7 устанавливается на оси изолируемой трубы,Деления нанесены на наружной поверхности наконечника сопла, что соответствует заданному конусу распыла. После проведения подготовительных операций пристыковывается очередная труба, производится сварка стыка, контроль его качества,...

Номер патента: 1764075

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Макальский, Мушенкова, Овчинников, Теврюков, Фрейберг

МПК: G09B 23/18

Метки: заряда, электрона

...говоря, разные, В случае существования элементарного электрического заряда эти значения должны подчиняться условию дискретности:Ч =/е/д, (9) где д - число нескомпенсированных элементарных зарядов на капле, е - заряд электрона, который является наибольшим общим делителем всех зарядов.На фиг,1 изображено устройство для осуществления способа определения заряда электрона; на фиг.2 приведена схема взаимного расположения микроскопа, осветителя и обьекта наблюдения.Устройство содержит камеру 1, пластины плоского конденсатора 2, отверстие 3 в верхней пластине конденсатора 2, кварцевое окно 4 в нижней пластине конденсатора 2, распылитель 5, капли 6 в зоне наблюдения между пластинами конденсатора 2, окно 7 в боковой поверхности камеры 1,...

Номер патента: 1326005

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Игошин, Овчинников, Теврюков, Фрейберг

МПК: G01N 23/00

Метки: атомами, взаимодействия, газа, молекулами, характеристик, электронов

...пропорциональности, соответствующий величине сечениявзаимодействия электронов с частицами газа. Деля это равенство на Б(х)и переходя к пределу при д -ф О, находим 1 дй(х) - = -Ьп 0(х) йВ том случае, если б и п не зависят от х, это уравнение можно проин-. тегрировать: М(х) Ю ехр(- 6 пх)(2) Такии образом, количество электро вов в пучке экспоненциально уменьшается по иере его црохожденкя. сквозь . гаэ. Рассуждения, приводящие к формулами (2), не эависят, ни от родавзаимодействующих чзстиц,.ни от их 5скорости, нн от конкретных физических явлений, приводящих к выбываниюэлектронов из пучка. Эти факторывлияют иа величину Ь . Физика процесса заключена в величине сечения взаимодействия и в его зависимости отрода частиц и от условий...

Номер патента: 181619

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Атков, Ишевский, Московский, Скороваров, Теврюков

МПК: H02M 1/08

Метки: тиристором

...и диод 4 закрыт, а диод 3 открыт, к дросселю приложено напряжение, равное разности напряжений питания и управления. Под действием этого напряжения дроссель перемагничивается до определенного значения индукции,В момент, когда напряжение питания становится положителшых 1, диод 3 закрывается, а в схеме начинается регенеративный процесс благодаря напряжению положительной обвторызобретения В, Е. Скорова ратной связи с обмотки 7. В результате этого транзистор открывается и к дросселю прикладывается полное напряжение питания, под действием которого дроссель начинает 5 перемагничиваться в обратном направлениидо насыщения, В этот момент начинается обратный регенеративный процесс, в результате которого транзистор закрывается и напряжение питания...