Стригущенко

Номер патента: 654020

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Дмитриев, Силантьева, Стригущенко

МПК: H01J 1/312, H01J 3/02

Метки: импульсный, источник, управляемый, электронов

...нагрева вольфрамового острия и диэлектрика проходящим автоэмиссионным током. Для от бора электронов из плазмы на коллектор подают импульс напряжения 30 кВ. Использование таких высоких напряжений для зажигания разряда и вытягивания электронов из плазмы обуслов ливает высокие требования к изоляции и усложняет конструкцию и эксплуата-, цию источника электронов. Целью изобретения является снижение амплитуды управляющего импульсаи анодного напряжения.Это достигается тем, что поверхность диэлектрика в местах контактас электродами легирована металлом иимеет коэффициент электропроводностив диапазоне 10- 1 Омсм ,Сущность изобретения поясняетсячертежом.Импульсный источник электроновсодержит эмиттер 1 из диэлектрика иуправляющие...

Номер патента: 1003195

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Стригущенко

МПК: H01J 1/308

Метки: катод, ненакаливаемый

...обаметаллических электрода расположены наэмитируюшей поверхности сегнетополупроводникового эмиттера,На чертеже приведена схема предлагаемого катода.Предлагаемый катод используют следувшим образом.На пластину сегнетоэлектрика 1, например ниобата или тантвлата лития, вырезанную перпендикулярно полярной оси и имеющую низкую работу выхода, наносятся, например вакуумным напылением, два металлических контакта 2, Кон 95 4такты соединяются с источником 3 токаи между ними вдоль эмитируюшей поверхности начинает течь ток, При протеканииэлектрического тока вдоль поверхности,носители тока (электроны) попадают вэлектрическое поле, обязанное своим существованием спонтанной поляризации инаправленное к поверхности перпендикулярно направлению их...

Номер патента: 575711

Опубликовано: 05.10.1977

Автор: Стригущенко

МПК: H01J 1/30

Метки: пониженным, сродством, электронный, электронным, эмиттер

...эмиониженным электронным сродством.ащий подложку и эмиттирукнций слойве сегнетоэлектрика 1 11, В немуется монокристалл сегнетоэлектриярная ось которого направлена перлярно к плоскос 1 и алектродов, аость обработана а или Св 0поим потенциальный барьер,остатком этого эмиттера являетсяельно низкая эффективность эмиссии, низкая термостабильность и малысрок службы,Целью изобретения является повышение 5 аффективности эмиссии, увеличение термостабильности и срока службы амиттера. Указанная цель достигается теамиттирующий слой выполнен из н О лития в смеси с 10-20 вес.Ъ тит изготовлении эмиттера на молибдеодложку наносится слой, состоящий н ниобата лития и порошкообраз тана,с биндером (раствор нитроки в амилацетате). Затем произво т...