H01J 1/32 — электроды с вторичной электронной эмиссией

Номер патента: 197024

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Государственный, Обработки, Проектный, Титова, Шпичинецкий

МПК: C22C 5/06, H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...при больгпих удельных плотностях тока.Г 1 редлагаемый эмиттер на основе серебра отличается тем, что содержит присадки магния и алюминия в количестве соответственно 0,5 - 2% и 0,5 - 6%.Эмиттеру свойственно внутреннее окисление и после активирования на его поверхности не обнаруживается и не имеет на поверхности заметных слоев окислов после сколько-нибудь заметные слои окислов. Это позволяет полу. чить коэффициент вторичной электронной эмиссии, устойчивый при больших плотностях тока,Активирование эмиттера производится путем прогрева в вакууме 10 е лгм рт. ст. при 350 - 400 С с последующим циклическим окислением под давлением 10 е млг рт, ст. в атмосфере кислорода (не менее 5 - 10 циклов, по 30 лгин каждый). Между циклами производят...

Номер патента: 197768

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Государственный, Институт, Кий, Обработки, Проектный, Титова, Шпичинецкий

МПК: C22C 5/06, H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...на основе серебра. Од пако коэффициент вторичной электронной эмиссии таких эмиттеров не сохраняется стабильным при больших удельных плотностях тока.Предлагаемый втор 1 чноэлектронный эмит. 10 тер из сплава серебра отличается от известных тем, что он содержииг присадки бериллия и алюминия.Этот эмиттер имеет следующий состав, %:серебро основа 15 алюминий 0,5 - 6бериллий 0,2 - 2.Эмиттер может внутренне окисляться и не имеет на поверхности заметных слоев окислов после активирования, что позволяет полу чить коэффициент вторичной электронной эмиссии, устойчивый при больших плотностях тока. Активирование эмиттера состоит в прогревс в вакууме 10 о лглг рт, ст, при 350 - 400 С с последующим циклическим окислением при давлении 10 з лглг рт,...

Номер патента: 197769

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C22C 5/06, H01J 1/32

Метки: 197769

...изготовлены нз сплава на основе серебра. Однако коэффициент вторичной электронной эмиссии таких эмиттсров пе сохраняется стабильным при больших удельных плотностях тока.Предлагаемый Вторичноэлектроппыи эмиттер отличается от известных тем, что он содержит присадки бария и кальция. Состав предлагаемого эмиттера следующий;серебро основабарий, % 0,2 - 1,5кальций, % 0,2 в 1,5,Змиттер может внутренне окисляться и не имеет на поверхности заметных слоев окислов после активирования, что позволяет получить коэффициент вторичной электронной эмиссии, устойчивый при больших плотностях тока.Активиоование эмиттера и реве в вакууме 10 з лглг рт. ст С с последующим циклическим окислен давлении 10 - лип рт. ст. в атмосфере рода, по 30 лигн каждый цикл, с...

Номер патента: 234534

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Титова, Тютиков, Шпичинецкий

МПК: C22C 21/00, H01J 1/32, H01J 43/10 ...

Метки: вторичных, электронов, эмиттер

...ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНО сохр ой э йчиву ,ика. става оставу сплавов теров вторичных через воздух прп фициента вторич обеспечивает уст ном токе 70 - 80 предложенного со повкой. коэфсии и ыход- ттеры ненни высокого ектронной эмис ю работу при в Кроме того, эм 1 легко получить х электронов на - алюминий - 5 тве легирующей тамо токоустойчив етерпевает внут е коэффициен бре редме ия Змитосновегирующитийслциентаже повдействив колич тер вторич алюминия, ей присад тем, что, с вторичной .1 шения ус ю воздуха естве 0,1 -ных электроносодержащийи 1 - 3, мацелью ловыэлектроннойтойчивости эмв основу вв плава на естве ле- отличаю- коэффп 1 и, а таков к воз- стронций в из в ка гния, шени эмисситте еден ричных электротем, что в качеояд 1 с магнием...

Номер патента: 240113

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ленинградский, Лепешинска, Малышев

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-электронный, эмиттер

...окиси магния и 10 + 3 карбоната бария, Все компоненты берутся в виде порошка с размером частиц 1 - 5 мк. Однородная смесь, состоящая из указанных компонентов, прессуется в стальной прессформе под давлением 5 т/си-, Полученные таблетки (диаметром 8 и толщиной 2 мм) спекаются в вакууме под давлением остаточных газов не больше 10мм рт. ст. и,при температуре 700 С в течение б час, после чего они приобретают металлический блеск. Для превращения таблеток в эффективные эмиттеры необходимо последующее активирование в вакууме путем прогрева при 900 в 9 С в течение б час.) 1 редлагаемый эмиттер нов предназначен для исп ности в качестве холодны боров СВЧ.Известные вторичноэлек содержащие порошки окис та бария и никеля, имеют кий и стабильный...

Номер патента: 268554

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вильдгрубе, Мостовский, Стучинский, Шпичинецкий

МПК: H01J 1/32

Метки: 1«otek, техническая, яагкктно

...содержания активных элементов определяется возможностью изготовления цз спла 10 вов динодов путем деформировация илц обработки резанием. Он состазляет для мапшя ц лития 5 - 10%. изобретения д м Вторично-элект сплава, содержа талл, например что, с целью повь 20 ной эмиссии, осн бой один цз след серебро илп золо ноземельного мет талл, например ло ма то,аллтий Изобретение относится к электронцои технике.Известны вторично-электронные эмиттеры из тройных сплавов, содержащих щелочно-земсльцый металл, например магний,Предлагаемый эмиттер отличается от этих известных эмиттеров тем, что сплав содержит один из металлов: алюминий, серебро или золото, в который, кроме магния, введен щелочной металл, например литий в (количестве 0,01 - 10%)....

Номер патента: 320851

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Жданов, Звонецкий, Коржавый, Роо, Тихонов, Файфер

МПК: H01J 1/32

Метки: втбричмбэлёктрбнных, материал, эмиттеров

...основы и бериллатов щеЛочйоземельных металлов прийбдйт к перехо ду бериллатов в новое активированное со.стояние. Это состояние является метастабиль.ным и определяется динамическим равнойе сием процесса диссоциации бериллатов с Образованием в приповерхностном слое сплава атомов бериллия и щелочноземельного металла и процесса удаления этих атомов за счет термического испарения;и диффузии в метал лическую основу сплавов и взаимодействияс последней,Лктивированная таким образом окиснаяфаза обладает высокой устойчивостью к воз действию потока электронов высокой энергиии плотности, что значительно повышает стабильность вторичноэмиссионных свойств сплава, содержащего диспергированные бериллаты щелочноземельных металлов. Метал...

Номер патента: 320852

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H01J 1/32

Метки: 320852

...соз:ЯвясМос ЯНОДОМ ВО:ИЗИ ЭСРЯНОВ гКЯТОЛЯ, 1 ГМССТ Я.- спальнуО составл яющук), пяраллсльну)о внешнему магнитному полю, Пол лсйствисы поСТ 051 НОГО ЭСС 1,ТРИ 1 ССКОГО ПОЛ 51 ЭЛСКТРО;1 Ы, эыиттируемыс участком, имеющим автсэмисссониос НОхрыгР 1 с, гл.1 ОбретяОт ускс;)с,сс и пргникают вглубь г 1 росгранства взаимодействия, 1 асть,ик, уск)рснная шумовым высокочастотным полем, попадает на активную поверкнюсть катода и выбивает вторигиыс электроны. Далее происколпт процссс умножения элсктронсгв и нарастания амплитулы колсбатсий,и тока.В ряоочсы ресжИ)1 е мяГнетроня )1 ястол кятола с а 1 втоэъ)иссионным покрыт 1 с) и) Як)сг- ЧЕСКИ ИЕ РЯООТЯЕТ, ТЯК КЯК СИ ЭХ,)Ягс)ЫСТСЯ потоком электронов с рабочей .озерлаг),л)и катола и электрическое поле у его...

Номер патента: 323051

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Мггза, Мостоеский, Стучинский

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-электронный, эмиттер

...по п. 1, отлсссссссоссийссс тем, что поверхностный слой представляет собой систему из окислов двух щсло шых металлов.3. Втс)рично-эсестроннь 11 эмиттер по п. 1, ОТЛи)ССССОСССССйСЯ тСМ, Чтв ПОВЕРХНОСтиЫЙ СЛОЙ представляет собой систему из окислов щелочного и щелочно. земельного металлов,Изобретение может быть использовано при изготовлсшш элсктровакуумных приборов.Известны вторично-электронные эмиттсры с активным поверхност)ы:)1 слоем из окисла щелочного или щелочноземельного металла. 5Предлагаемый эмиттер отличается тем, что с)КТИВНЫЙ НОВСРХНОСТНЫЙ СЛОЙ НРСДСТДВЛ 51 СТ собой полностью окисленную систему из окислов не мснсс двух металлов из грушы, включающей щслочиые и щелочно. земельные ме. 10 таллы. Это увеличивает коэффициент...

Номер патента: 330801

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бабанов, Котов, Куник

МПК: H01J 1/32

Метки: прибор, электровакуумный

...конструкция позволяет автоматически регулировать поступление кислорода в эмиттирующий слой при изменении режима работы прибора, т. е, при изменении плотности бомбардирующего потока, При увеличении плотности электронной бомбардировки температура катода увеличивается и, следовательно, увеличивается поступление кислорода в эмиттирующий слой. Таким образом стабилизируются вторичноэмиссионные свойства катода.На чертеже схематически показана предлагаемая конструкция вторичноэмиссионного катода.Катод состоит из керна 1, серебряной подложки 2, образующей с керном катода камеру 3, которая заполнена кислородом, слоя 4 эмиттирующего сплава, нанесенного на серебряную подложку, Для поддержания рабочей температуры катода может быть использован...

Номер патента: 337843

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вильдгрубе, Климин, Стучинский, Титова, Шпичинецкий

МПК: H01J 1/32

Метки: 337843

...сплавы, обладающие хорошими литейными качествамп и,поддающийся штамповке. Такие сплавы достаточно жаропрочны и формоустойчивы и обладают высокими вторичноэмиссионными характеристиками, близкими к свойствам сплава алюминий - магний - литий. ете,н дмет и 1. Вторленный и основе ме Изобретение относится к области материалов для радиоэлектроники, в частности кэмиттерам вторичных электронов,Известный эмиттер вторичных электроновдля фотоумножителей, получаемый прогревом 5в окислительной атмосфере сплава на основеалюминия, содержащего в качестве активныхприсадок литий и магний, обладает высокимивторичноэмиссионными свойства. Однако дляизготовления динодов сложной формы, активпруемых прогревами при температурах до600 - 640 С, что требуется...

Номер патента: 355690

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Йтыи, Кривдин, Поль, Савицкий, Смирнов, Судаков

МПК: H01J 1/32

Метки: 355690

...катодам, работающим на основевторичной электронной эмиссии.Известаы термо-вторичноэмиссионные катоды ца основе сплавов Р 1 Ва, РЙВа и дрмаксимальный коэффициеит вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ) которых равен2,6 - 3,0, а работа выхода 2,2 - 2,5 эв,Стабильные параметры катодов ца основеэтак материалов обеспечиваются при температурах 700 - 1000 С, п 1 ти мерно такие жетемпературы необходимы для испарения посторолсних напылений с вторцчцоэмиссиоццыхкатодов,Использование этих материания квазихолодцых катодов вмя невозможно из-за110 -а/сдР) термоэмиссии ирабочих температурах. Для катода с содержанием магии 0,5,вес. % максимальный КВЭЭ равец 2,7 2,8 (при энергии .первичных электронов 750 - 900 эв), а работа выхода (при 1200 К) 3,2 -...

Номер патента: 391633

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Котов, Куник

МПК: H01J 1/32

Метки: катод

...потребление мощносЦель изобретения - обеспечениеспособности вторично-эмиссионногопри малых значениях энергии первичньтронов.Это достигается тем, что на вторичноионном катоде с источником кислородтер вьополнен из чистого серебра, чере,рый гори рабочих температурах катодфундирует кислород, создавая на пове катоды 5 барие- оричноначений а 500 - й злекнизкориборах вышаетэнергии лов со ;известв мало- орах не катоды вное из серебра газовую пленку. Пара Ад - Ое обладает коэффициентом вторичной эмиссии 3 - 3,5, при энергии первичных электронов 1 ОО - 300 э - в.Катод работает следующим образом.Во время работы катод подвергается интенсивной бомбардировке электронами. При рабочей температуре катода 500 - 600 С, котор ая поддерживается за счет...

Номер патента: 368669

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Тютиков

МПК: H01J 1/32, H01J 9/04

Метки: вторичных, электронов, эмиттера

...ВеО о присутствии в слое достаточного избытка метал ла свидетельствует наличие фотоэффекта3при йу)3,4 эв (кривые 11, 12), Если фото- эффект отсутствует, то о при сжатии лишь уменьшается. При изготовлении эмиттеров из сплавов обогащение эмиттирующих слоев металлом может быть достигнуто прогревом их в вакууме при Т)450 С. Слой окисла на сплаве может быть получены избирательным окислением соответствующих сплавов, например, Ве на СцВе, МдО на АдМд, А 1 Мд.Сжатие эмиттирующего слоя в приборах (например, умножителях) может быть выполнено различными способами. Например, эмиттер изготавливается вначале плоским например, путем окисления бериллиевой бронзы), а затем изгибается по форме корытообразного динода со стрелой прогиба в радиусной части...

Номер патента: 442533

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Айнбунд, Вильдгрубе, Гусакова, Жихарев, Кожинская

МПК: H01J 1/32

Метки: каналовый, умножитель, электронный

...механическая прочичность изготовления каналов, ом таки э нон эмиссии а вториектрон снижение коэффициентналичия рассеянных элрез зазор между плания.В пре У х че- ножев, вылетающз области инами Тр е д аток иэоб н жителе э дложенном тени мычек по счет введенияй формы,устранен эа линдрическо На черталовый э Кан нпа, в ельнь митте адовый эмиттер, равана двумя плоскими 15 азор между пластинаами 3, 4 в форме, лежат внутри щели ндров обращена нару 20 ям ми перемычками же показан кан оторого образ и 2. Узкий з боку перемычклонер в, отлич стабиль вышен шения арактерис ов, оси которыхлость полуцили замкнуты по всев форме полуцилири шели,у случае каналов 1 2 б Изобре приборам,Иэвест типа (т. е длины обр Недостбочая щель пластинамн ми замкнут...

Номер патента: 493831

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Балабанкин, Душина, Дюбуа, Култашев, Макаров, Новикова, Попова, Рождественский

МПК: H01J 1/146, H01J 1/32

Метки: катод, приборов, электронных

...лов семейства железа с одним или несколькими легирующими эмиссионно-активными металлами 11 группы и связующий элемент, образующий твердый раствор с металлом основы и интерметаллические соединения с легн рующим металлом в колнчсстве, соответствующем стехиометрическому составу интерметаллида, например алюминий, медь.Однако этот катод имеет сравнительно узкий интервал рабочих температур и недоста точно высокие эмиссионные свойства, что затрудняет возможность их применения.Цель изобретения - расширение диапазона рабочих температур и улучшение эмиссионных свойств. 20Для этого в сплавах на основе металлов семейства железа (никеля, кобальта, железа) с одним или несколькими легирующими металлами 11 группы предлагается в качестве связующего...

Номер патента: 643991

Опубликовано: 25.01.1979

Автор: Звонецкий

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронных, материал, эмиттеров

...СВЧ. Для получения матеготавливались три спщим содержанием ингре1 Ва 2 Везов - 10никеля - 88.2. ВаВе Ов, 1 лкеля - 84,3. ВавВе О - 10( Вникеля - 80.Вторично-эмиссионнвов сведены в таблицу643991 Формула изобретения Составитель Г. Жукова1 ехред СМигай Корректор Л. Веселовская Редактор Е. ГончарЗаказ 8036/50 Тираж 922 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Москвар Ж 35 у Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Оптимальный состав сплава с наилуч" шими вторично-эмиссионными характеристиками: Ва Ве О - 10 об.ЬгВеОЗ6 об., никель 84.обИсходными веществами для полученияматериала для вторично-электронныхэмиттеров, например, состава М+10 об.8Ва Ве,О+ 6 об. Й Ве Оз...

Номер патента: 725115

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Есаулов, Жданов, Ильин, Казаков, Мясников, Редега, Файфер

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронных, материал, эмиттеров

...(до 60 в 1 тА/см),725115 Максимальный КВЭЭ при Т, С Содержание окислов, вес. %Основа 100 400 200 600 2,7 3,1 3,0 2,3 Медь 3 6 10 12 2,02,052,051,95 2,2 2,5 2,4 2,0 2,6 3,0 2,9 2,2 Формула изобретения Составитель, Т. Лакомкина Техред В. Серякова Редактор Н. Коляда Корректор В. Дод Заказ 148/16 Изд.216 Тираж 857 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ют высокими и стабильными вторично-эмиссионными свойствами при температурах от100 до 600 С и плотности тока бомбардирующих электронов до 100 мА/см. Сплавы, содержащие окисной фазы больше 10% вес, имеют значение КВЭЭ ниже, чем сплавы с меньшим содержанием, по-видимому, за счет...

Номер патента: 845195

Опубликовано: 07.07.1981

Автор: Джагинов

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-эмиссионный, катод

...препятствующего возникновению тянущего поля).Промежуточным между металлическим и диэлектрическим слоями может быть слой широкозонного полупроводника или диэлект рика. Он характеризуется КВЭЭ, меньшим, чем М слой, т. е. 1+0,5, проницаемостью для электронов (из-за пористости и тонкости). Материалом П слоя может быть продукт взаимодействия Д слоя и рения, в частности алюминиевого окисного материала ре нал. Основное назначение П слоя наряду с обеспечением совместно с М слоем тянущего поля, распространяющегося на приповерхностную зону Д слоя - предотвращение в нем ударной ионизации. Металлическая оболочка катода, электрически соединенная с держателем выполнена из тонкого пористого слоя тугоплавкого металла. Она играет роль экрана,...

Номер патента: 743469

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Лихтенштейн, Николаенко, Шабельникова, Ямнопольский

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронный, прострел, работающийна, эмиттер

...с другими, такие змиттерь 1 практически ненашли применения в приборах. 30 Недостатком этих эмиттеров явл ются низкие значения Г при малых зна чениях Ер ( 1 кэв) из-за потери энергии и самих первичных элект ов в проводящем слое.Цель изобретения - снижение у ряющего напряжения Ер, т.е. существенное увеличение (T при малых Ер ( 1 кэв).Для этого в предлагаемом устройст ве проводящий слой выполнен из элемента периодической системы с атомным номером, меньшим, чем у алюминия,и не образующего окисла при работе эмитт ра, например из тонкого слоя углеИсточники информации15 принятые во внима 1 гие п 1 эи экспергизе Формула изобретения 1. Вторично-электронный эмиттер,работающий на прострел, содержащий Составитель Г. жуковаТехред д. Ач...

Номер патента: 868881

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Клименко, Круковский, Левицкий, Марин, Меньшенин

МПК: H01J 1/144, H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронных, катодов, материал

...окиси алюминия, имеют при этом меньший вторичноэмиссионный ток и лучшую электропроводность, Последние факторы приводят к увеличению срока службы катодов с добавками указанных окислов, а также к увеличению электропрочности и стабильности парамет ров приборов, ввиду резкого уменьшения уровня локализации зарядов, вто-. ричноэлектронного резонанса, пробоев и искрений.55Система У 2 Оз -20-5 с Оз обладает высокой термической стабильностью и гораздо большей электропроводнэстью по сравнению с известной. Одной из возможных причин стабильности электропроводности предлагаемого ма териала является благоприятное соотношение радиусов катионов, вследствие чего затруднено упорядочение структуры твердых растворов и образование микродоменов...

Номер патента: 900341

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Глуховский, Королькова, Титова, Шпичинецкий

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-электронный, эмиттер

...с сурьмой, причем содержание сурьмы составляет 0,2 - 5,0 вес. %Из сплава на основе меди или алюминия,содержащего 0,2 - 5% сурьмы можно изго900341 Формула изобретения Составитель В. Белоконов Редактор В. Иванова Техред А. Боикас Корректор Г. Решетник За к аз 12192/69 Тираж 757 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4товить ленту и отштамповать диноды после чего, проактивировать их прогревом в вакууме и в парах щелочных металлов. Содержание сурьмы в сплаве в количестве меньше 0,2% не имеет смысла из-за низкой эффективности, а повышение содержания сурьмы выше 5% приводит к снижению пластичности сплава, что...

Номер патента: 852097

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Афонина, Климин, Майор, Стучинский, Янюшкин, Янюшкина

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичных, электронов, эмиттер

...прямого55и непрямого переходов в этом твердомрастворе совпадают, В качестве прямозонного полупроводника может быть выбран, например фосфид индия, арсенид индия, антимонид индия, арсенидгаллия или антимонид галлия. Непрямозонным полупроводником могут быть,например фосфид галлия, фосфид алюминия, арсенид алюминия или антимонид алюминия.Разброс энергией вторичных элек-,тронов в значительной мере связанс выходом в вакуум не только электронов, термализованных в абсолютномминимуме зоны проводимости (например,Г-минимуме в СаАз или Х-минимума вСаР), но и электронов, находящихсяв более высоких минимумах зоны проводимости (например Х-минимуме вСаАз и Г-минимуме в СаР), При этомцентральный т.е. Г-минимум, является наинизшим (абсолютным...

Номер патента: 1077498

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Гугнин, Додонов, Куликова, Пушкарев, Смирнов, Судаков

МПК: H01J 1/32, H01J 9/04

Метки: варианты, его, катод, приборов, электровакуумных

...соединения рения взаимодействуют с эмиссионным веществом, образуя на поверхности частиц слой ренитов эмиссионного металла, например ренита иттрия Уйе 04), которые затем восстанавливаются при прокалке в водороде до ренитов, например до ренита иттрия У(РеО) . Образова ние ренитов происходит также при взаимодействии эмиссионных веществ с окислами рения во время прокалки в водороде, Параллельно частицно идет восстановление соединений рения до цистого рения. Нагревание эмиссионного вещества в водороде ведут при 150- 600 С. Ниже 450 С восстановлениеФуказанных соединений рения идет оцень медленно, выше 600 С происходит уле тучйвание окислов рения. Время 20- 30 мин при указанном интервале температур достаточно для восстановления...