Способ изготовления дифракционных решеток

(эб) Авторское свидетельство СССР(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТОК(57) Использование: изготовление дифракционных решеток и дифракционных ответвителей включае подлож нем штр СТИ СЛО которую вания ш хности бомбард щательн менее 2 дывают ионного тока ио диапазо Изобретение относится к оптическому приборостроению, в частности к изготовлению дифракционных решеток и дифракционных ответвителей,Известен способ изготовления дифракционных решеток, включающий нанесение на полированную подложку из стекла слоя металла термическим испарением в вакууме и формирование штрихов, при этом поверхностный слой подложки перед термическим испарением на нее металла бомбардируют ионами того же металла,Известен также способ, заключающийся в том, что на подложку из стекла; керамики наносят слой металла, формируют штрихи, после чего проводят ионную бомбардировку слоя металла нормально к поверхности рабочих граней штрихов.Наиболее близким техническим реше-. нием является способ изготовления дифракционных решеток, включающий нанесение на полированную подложку слоя металла, формирование штрихов в нем и бомбардировку поверхности слоя пучком ионов после нанесения слоя "й йосл е" формирования штрихов под углом 70 - 90 относительно нормали к поверхнбсти слоя ионами элементов с массой не менее массы атомов слоя и энергией не ниже 1 кэВ, при этом ионную бомбардировку после формирования штрихов производят в продольном по отношению к штрйхам направлении.Недостатком известных способов является низкое качество оптической поверхности изготовляемых решеток,Целью изобретения является повышение качества оптической поверхности изготовляемых решеток.Поставленная цель достигается тем. что в способе изготовления дифракционных решеток, включающем нанесение на полированную подложку слоя металла, формирование в нем штрихов и бомбардировку поверхности слоя пучком ионов инертного газа, которую осуществляют после формирования штрихов под углом 0-10 к ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР. Сущность изобретений: способ т нанесение наполйрованную ку слоя металла, формирование в ихов и бомбардировку поверхноя пучком ионов ийертного газа,осуществляют после формиротрихов под углом 0 - 10 к поверслоя, в процессе ионной ировки подложке сообщают враое движение со скоростью, не об/мин, к слою металла приклаотрицательный относительно пучка потенциал, а энергию понов инертного газа выбирают в на 0,8-1 кэВ. 1 ил,1781658 Составитель Л.Жен Техред М,Моргентал едактор С,Купрякова орректорЛ,Лукач Тираж :ПодписноеИ Государственного комитета по изобретениям и открыти113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 каз 4273 ВНИИП при ГКНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Га,10 поверхности слоя, в процессе ионной бомбардировки подложке сообщают вращательное движение со скоростью, по крайней мере 2 - 3 об/мин, к слою металла прикладывают отрицательный относительно ионного пучка потенциал, а энергию потока ионов инертного газа выбирают в диапазоне 0,8 - 1 кэВ.Сущность заявленного,способа поясняется чертежом, где 1 - подложка из стекла, керамики либо ситалла, 2 - слой металла, на который нанесейы штрихи, 3 - основание, на котором укреплена подложка, 4 - скользящий контакт, 5 - токопроводящая перемычка, 6 - ионный пучок, состоящий из параллельных потоков ионов инертного газа, 7 - источник ионов.Подложке 1 сообщают вращательное движение со скоростью и, по крайней мере, 2 - 3 об/мин в горизонтальной плоскости вокруг своей оси. Основание 3, на котором установлена подложка 1, выполнено либо цельнометаллическим, либо с металлическим токопроводящим ободком, чтобы во время вращения через посредство скользящего контакта 4 передавать отрицательный потенциал, поступающий от клеммы "-".Через токопроводящую перемычку 5 отрицательный заряд сообщается слою металла 2, От источника ионов 7 параллельный поток ионов инертного газа в виде пучка 6 поступает к металлическому слою 2 под углом 0 - 10 к поверхности подложки 1. Ионы инертного газа, например, аргона, сбивают в процессе бомбардировки "гребешки" высотой до 0,1 мкм, заусенцы высотой0,1 мкм, образовавшиеся в результате пластической деформации металла на твердой, например, ситалловой, подложке во время нарезания штрихов, Наличие же силовых линий электрического поля, более густо расположенных в районе "гребешков" позволяет сделать их более заманчивой мишенью 5 для потока положительно заряженныхионов. Благодаря тому, что слою металла сообщен отрицательный потенциал, ионную бомбардировку производят с уровнем энергии (0,8-1 кэВ), меньшим, чем в извест ном техническом решении (1 - 40 кэВ), Приэтом положительно сказывается искусственно создаваемый эффект неравномерности ионной бомбардировки: в области расположения заусенцев и гребешков сило вые линии электрического поля сгущены, азначит более привлекают к себе положительно заряженные ионы, Причем, чем ярче выражена неровность, чем острее заусенец, тем более густы на его "вершине" линии 20 электричеекого поля, тем охотнее к ним направляются ионы.Формула изобретения Способ изготовления дифракционныхрешеток. включающий нанесение на пол ированную подложку слоя металла, формирование в нем штрихов и бомбардировку поверхности слоя пучком ионов инертного газа, которую осуществляют после формирования штрихов под углом 0 - 10 к поверх ностислоя, отличающийся тем,что,сцелью повышения качества оптической поверхности изготавливаемых решеток, в процессе ионной бомбардировки подложке сообщают вращательное движение со ско ростью не менее 2 об/мин, к слою металлаприкладывают отрицательный относительно ионного пучка потенциал, а энергию потока ионов инертного газа выбирают в диапазоне 0.8-1 кэВ.