Хоценко

Номер патента: 1506388

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Рыбка, Хоценко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости, твердых

...не достигает нуля, так как амплитуда отраженной, волны эа счет поглощения твердого материала становится меньше амплитуды падающей. Кроме того, все минимумы узлы 1 стоячей волны смещаются в сторону образца твердого материала, поскольку длина волны в нем меньше длины волны в полом волноводе. Укаэанные изменения картины стоячей волны зависят от свойств исследуемого образца твердого материала и могут быть связаны с его электрическими характеристиками определенным соотношением, получающимся в результате решения соответствующей электродинамической задачи. Рещение этой задачи, учитывающей условия на границах раздела, приводит к комплексному 40 45 Принцип измерений и расчетов основан на следующем.В волноводе, возбуждаемом с одной стороны...

Номер патента: 1408386

Опубликовано: 07.07.1988

Автор: Хоценко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, магнитной, проницаемости

...с(з и К. Следовательно, существуют такие три значения величины с 1 которые обеспечивают минимум погрешности измерения переменных К и 1, и следовательно, е и ьь.После вычисления указанных значений 4, про.водят дополнительное измерение трех значений К, по которым вычисляют уточненные значения е и р.Для пояснения способа измерения физических процессов, лежащих в его основе, рассмотрим электродинамическую систему, показанную на чертеже, где а, - падающие электромагнитные волны, Ь; - отраженные электромагнитные волны, 1 - волноведущая система, 2 - исследуемый образец, 3 - подвижный отражатель.Решив систему уравнений, связывающих электромагнитные поля в рассматриваемой электродинамической системе, получим сле.дующие выражения,...

Номер патента: 1149186

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Гажиенко, Кошевая, Хоценко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...то, что необходимо дополнительно с высокой точностью измерять расстояние 30 от образца до отражателя, что особенно затрудняется при увеличении частоты и при исследовании материалов на сверхнизких температурах, где образец с отражателем находится внут-З 5 ри вакуумного криостата."Цель изобретения - упрощение измерений и повышение их точности.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения 40 диэлектрической проницаемости, включающему измерение комплексного коэф; фициента отражения от исследуемого образца, полностью заполняющего поперечное сечение волновода, за 45 которым расположен отражатель, измерения комплексного коэффициента отражения осуществляется при. нескольких, не менее трех различных произвольных расстояниях...