Позитивный фоторезистор

й АВТОРСКОМ СВИДИТЫЬСХВУ 61) ополнительное вт. свид 4 Р 1) 2090057/ нс пр ннениеь-. "За 1 Ощд 80 янии ымОит 3 латв Мепсв ИУ к дблпи м 30 ОР 61 имй и бтхры 7 мй(23) П 43) ублнковано 2 04.76,Бюллетень тз опубликования описании 02.(5 полиметил одержании са тилцеллозоль фенилсилокса иклог и сл ующем с понентов, ве Фенолформа ая ьдег 12 14 смолаЗфир 1,2 наФтохи-оксифенил) -проДиметилформамидМонометиловый эф нондиазидлоты и2 диф-( В е.фпана,а этиленг Толуол Метилц Циклоге Полиме лико ля,1 О,4 ллозольсановлфенил ок тав фотоуол ме,ьЬ ер,Ч аиста д тигается тек ре состава в таблиц предлагае Приго фото ополнительно едены т 3 ИТИВНЫИ ФОТОРЕИГТ 3Изобретение касается фоторезистов, при. меняемых для получения защитных масок в . , микроэлектронике, радиотехнике и полиграфии,Известен позитивный фоторезист на основе фенолформальдегидных новолачной и резольной смол, эфира 1,2-нафтохинондиазид= -( 2)-5 -сульфокислоты и Йодированного 2,2- :ди-( В -оксифенил)-пропана при соотношении 1; 1 и органических растворителейдиметилформамида и монометилового эфира 1 О ацетатэтиленгликоля.Однако сформированные из такого фото резиста защитные маски имеют локальные дефекты ( проколы, разрывы, радиальные лучи),Цель изобретения - улучшение качества д сформированных из фотарезиста зашитных масок.Зто досчто в сос15 Щ УДК 621.382.0028 Г,6,5 3,5 Монометиловый эфир ацетатэтиленгликоля (МРТУ-2893-18) 12 Метилцеллозольв (МРТУ 6-09-6347 65) 10ФЦиклогексанон (МРТУ 6-09-2331 65) 40 37,8 Полиметилфенилсилоксан(ТУ 6-О 2 658-71) 0 3,0,1ложки различных размеров и конфигураций (кольца, прямоугольники, выпуклые и вогну.- тые поверхности и т. д;) с равномерной регулируемой в широких пределах (0,5- 2 О мкм) толщиной по всей поверхности, Процесс нанесении при простоте и надежно= сти оборудования легко автоматизируется,Испытания лабораторных образцов, Порядок проведения испытаний. 1, Фотореэист наносят Бя Окисленную кремниевую пластину лс следующим техно:. логическим режимам;а) СКОРОСТЬ ПЕОЕ,;ШЕПЯ .1 ЕР,.Ет;,-ОГО стола 12 дел, шкалыб) скорость перемещения краскораспыпителя 20 дел. шкалы;в) давление воздуа на оау и-,:ление 1,8 кг/см 2;г) давление в красконалив.:л 1 бачке 1,4 хг/см-;Од) расстояние От распылите до подг.ж ки 200 мм,2 Измеряется тоГшкиГ лечь:,с,номе рность,3. Проверяется ра:,репГаю: у с.:ОООС,ас 1., пленки,4. Измеряется кон; расность,.5. Замеряется эреи =ко. Опц, Оьа,а 1 я д,ця интегра;ь.яй чувств,тельно,:"ги в области Наименование компонента входящего в состав фотореэиста, М 18 (ТУ 6-05-231 32-72) Фенолформальдегидная смолаМ 236 (МРТУ 6-05 1131-68) Светочувствительный продукт (смесь моно и диэфира 1,2-нафтохинондиаэида-( 2)-.5 фсульфокислоты и йодированного 2,2-ди-( Ъ -оксифенил)- пропана (содержание диэфира 30 35%) Диметилфбрмамид ( ГОСТ 5703-70) Толуол (ГОСТ 5789 69)ЗОТехнология изготовления фоторезиста за ключается в следующем, В емкости с мешал кой перемешивают укаэанное в таблице количество смол и растворителей (кроме циклогексанона и толуола),до полного раство рения смол, При красном освещении аналогично приготавливают раствор светочувствительного неполного эфира 1,2-нафтахинониаэида ( 2) 5-сульфокислоты и йодирован ного 2,2-ди-( В -оксифенил)-пропана в цик О логексаноне. Смешивают два раствора и добавляют к смеси раствор полиметилфенилсилоксана в толуоле, Раствор фоторезиста, фильтруют при 1 красном освещении через бумажный фильтр389, а затем через 45Обезэоленный фильтр "синяя лента" (МРТУЛ2411-65).Пленка фотореэиста, сформированная ме . тодом пневматического распыления илицентрифугированием, равномерная, без раз. ЬОрывов, мелких пузырей и механических включений.По сравнению с методом центрифугиро эания метод пневматического распыления позволяет получать пленки без внутренних 55 напряжений и загрязнений в результате засасывания пыли из окружающей среды в центр вращающегося диска.Метод пневматического распыления дает, ," воэможность наносить фотореэкст на под. 6 О Состав фотореэиста, вес, ,:ЭООю 500 нм при облучении (40 59)10-4 втсм,Результаты испытаний,1, Фоторезист ФПп,. Плотность 1,031,03 г/см 3; вязкость 5,2 сст, поверхностное натяжение 26,6 дин, скт.Пленка фогорезиста имеет незначительный микрорельеф и краевое утолщение; рас"текаемость удовлетворительная; толщинапленки 1,2 мкм; разрешающая способность 110500 линийКмм; время экспонирования 10 секконтрастное(ти 32; время проявления15 сек; изменение уход) размеров 0,63 мкм.2, Фоторезист ФПп с добавкой 0,011-10%-ного раствора ПАВ М 3, Плотность Ы1,03 1 см 3; вязкость 5,2 сст, повышенное натяжение 2 З дин/см,- ьЬ,-Пленка фоторезиста равномерная; растекаемость коронная;, наблюдаются явления краевого утолщения пленкитолшина пленки 1.км;разрешаюпюя способность 500 линий/ммвремя проявления 12 сек контрастность32; время экспонирования Т 0" сек", изменение ,усод) размеров 0,63 мкм.Фоторезист ФП 5 п с добавкой ПАВ тех- фнологичен при нанесепии его методом пневматического распыления, а свойства,. опреденюшке его смачиваюифю способность, позволяют получать, нленку необходимого качества,30Фенолфор мальдегидная смолаЗфир 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфокислоты и йодированного 2,2-ди( П -оксифенил)-пропанаДиметилформамидМонометиловый эфир ацетатэтиленгликоляТолуолМетилцеллозольвЦиклогексанонПолиметилфенилсилоксан 67810 12-14 7 Э 10-1335-40 0,19,4Позитивный фоторезист на основе фенол-., фоомальдегидных смол, эфира 1,2 нафтохи нондиазид-( 2) -5-сульфокислоты и йодировац ного 2,2 аи-( й, оксифенил)-пропана при соотношении 1: 1 и органических раствори, телейдиметилформамида и монометилового эфира ацетатэтиленгликоля, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения ка- чества сформированных из него защитных масок, он содержит дополнительно толуол, метилцеллозольв, циклогексанон и полиметил" , фенилсилоксан при следующем содержании ." компонентов, вес, %.:1 акчз.) Изд. Ираис 57 5ЦНЯИПИ. Государственного комитета Совета Министоов СССРпо делам изобретенй и открытийМосква, 13035, Раушскаа наб., 4Фиш.ал ППИ "Патент, г. Ужгород, ул 1 Проектния, 1 Подписное редактор Техред И.Кврандашова Корр"ктор Л.Брахпина 1, загребельная