Маска для напыления пленочных элементов на подложку

знакам ИСАЯ 2 ление микросхем Суцноличения воспроизводимэлементов отверстия наплоскости маски, накладполнены размером, на 5щим заданный размер онительного увеличения вории пленочных злементоввены с наклоном 15 зпф-лы,З е. заодственно тов 4 Ф Комитет Российской Фпо патентам и товарным(64) МАСКА ДЛЯ. НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕЙОЧЭЛЕМЕНТОВ НА ПОДЛОЖКУ(ЗУ) Использование: электронная техника,р) 3 Щ и Я) С 23 14 сть изобретения: для увести геометрии пленочных высоте 5 - 100 мкм от ываемой на подложку, вы - 2000 мкм превышаюверстий. С целью дополспроизводимости геометстенки отверстий выпол к плоскости маски. 1Изобретение относится к электроннойтехнике, в частности к инструментам дляизготовления микроэлектронных схем, содержащих пленочные элементы.Известна свободная бислойная метал,лическая маска, содержащая металлическую основу, например бериллиевуюбронзу БРБтолщиной 100 ь.км, и слой,определяющий геометрию напыляемыхпленочных элентов, например, состоящий из гальванически осажденного никеля толщиной 10 мкм 11.Недостатком при использовании данной маски является набегающее подиагонали подложек рассовмещение пленочныхэлементов относительно фотошаблона, вызванное несоответствием термических коэффициентов линейного расширения, Прииспользовании бислойных масок на основе:бериллиевой бронзы с никелевым слоем и поликоровых подложек размером48 х 60 х 0,5 мм величине такого рассовмещения может достигать примерно 70-90мкм.Наиболее близкой к изобретению является маска, представляющая собой подложку из диэлектрического материала,идентичного материалу подложки, на которой изготавливаются пленочные элементысо сквозными отверстиями, повторяющимиконфигурацию напыляемых элементов 2,Недостатком данной маски для напыления является большая толщина края отверстий в маске, вызывающая экранирование,что снижает воспроизводимость геометриипленочных элементов, напыляемых черезмаску уменьшение толщинц напыляемыхэлементов у краев и в .углах отверстий вмаске).Цель изобретения - повышение качества маскийель Достигается тем, что в маске длянапыления пленочных элементов на подложку, содержащей пластину из материала,.идентичного материалу подложки, и имеющей отверстия заданного размера, выполненные в соответствии с конфигурациейпленочнцх элементов, на расстоянии 5-100мкм от плоскости пластины, прилегающей кповерхности подложки, отверстия имеютразмер, превцшающий заданный размеротверстий на 50-2000 мкм, а стенки отверстий заданного размера могут быть выполпод угло 15-85 к плос остипластин ц,Изготовление масок с уменьшеннымразмером элементообразующих кромокснижает экранирование стенками отверстий в маске и дает возможность увеличить воспроизводимость геометрии пленочныхэлементов путем повышения равномерности толщины напцляемцх пленочных элементов.5 Ограничение высоты расположениярасширения отверстий от плоскости маскименее 5 мкм определяется соображениямипрочности, а более 100 мкм - увеличениемэкранирования. Ограничение расширения10 отверстий маски менее 50 мкм объясняетсяувеличением явления экранирования края.ми отверстий, а более 2000 мкм - прочностью стенок отверстий маски,На фиг. 1 изображена маска-прототип в15 разрезе, где 1-маска,2-отверстие вмаске,3- кромка отверстия, определяющая конфигурацию напцляемых пленочных элементов; на фиг. 2 - маска, выполненная попредлагаемому способу, по Фиг, 1, в разре 20 зе; на фиг. 3 - маска, выполненная по предлагаемому способу по пп. 1 и 2, гденумерация соответствует нумерации на фиг,1 и 2, а 4 - наклонная стенка отверстия.П р и м е р. Маска 1 для напыления 25 пленочных элементов микрополосковойплаты гибридной интегральной схемц СВЧ на подложки, например поликоровце, размером 48 х 60 х 0,5 мм выполнена из поликора размером 48 х 60 х 0,5 мм и имеет 30 отверстия 2, кромки 3 которых определяюткснфигурацию напыляемых элементов, например танталовых пленочных резисторов.На высоте 50 мкм от плоскости маски,накладываемой при напылении на подлож 35 ку, отверстия в маске расширяются на 300мкм по 150 мкм на каждую сторону)., Этообеспечивает достаточную прочность краямаски у отверстий и исключает экранировкупри напылении,40 Стенки отверстий могут быть выполнены наклонными, например, под углом 60 кгоризонтальной плоскости маски, прижимаемой к подложке, что дополнительно снижает эффект экранирования краями отверстия45 маски,Предлагаемая маска для напыленияпленочных элементов позволяет по сравнению с прототипом увеличить воспроизводимость геометрии пленочных элементов за 50 счет повышения равномерности толщинынапыляемых пленочных элементов. Кроме.того, в ряде случаев селективно удаляютсянапыляемые слои с маски.455 (56) 1, Технология тонких пленок. Т,1/Под.ред. Л; Майссела, Р. Глэква. - М.: Сов. радио, 1977, с, 561-564.2. Научно-технический отчет М 1798215, НПО "Исток" по НИР "Припой", 1988.формула изобретения1, МАСКА ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ПОДЛОЖКУ, содержащая пластину из материала, идентичного материалу подложки, и имеющая отверстия заданного размера, выполненные в соответствии с конфигурацией пленочных элементов, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества маски; на расстоянии 5 - 100 мкм от плоскости пластины, прилегающей к поверхности псдложки, отверстия имеют размер, превышающий заданный размер отверстий на 50 - 2000 мкм.2. Маска по п,1, отличающаяся тем, чтостенки отверстий заданного размера выполнены под углом 15 - 85 к плоскости 0 пластины.