Раствор для избирательного травления

О П И С А Н И Е 1111 60885 ОИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл.С 23 присоединением заявкиГосударственный комитеСовета 1 йинистроо СССР риорите УДК 621,794.422.(45) Дата опубликования описания 05.05.78 тенин о делам и ткрыт, А. Сучкова и Т, В. Руденко 1) Заявител СТВОР ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯтравления трескиванию к нарушению ние температу нь быстрому р следовательноемы,риво- фото- целоУвел ичит к очез иста,тности с тельно 1 в сле ьное Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для получения микросхем методом фотолитографии.Известен раствор для избира го трав ления, содержащий компоценть дующих количествах, л:Плавиковая кислота 0,1 - 0,2 Лзотная кислота 0,05 - 0,1 Фтористый натрий 10(насыщенный раствор) 0,01 - 0,02.Селективное травление тонких пленок, имеющих в качестве защитного слоя позитивныефоторезисты на основе нафтохинондиазидов следует проводить в кислотных травителях 15 при температурах, не превышающих 40 - 50 С Ц.Однако применение вышеуказанного травителя сникает качество получаемых микросхем, так как входящий в состав травильного 20 раствора фтористый натрий при гидролизе образует гцдроокись натрия, что приводит к растворению фоторезистов ца основе нафтохинондиазидов,Входящая в состав травителя азотная ки слота пассивирует хром, в результате этого резистивцый слой трудно поддается травлению при температуре 20 - 40 С. Известен раствор для избирательного травления, преимущественно резцстцвных пленок, с использование фоторезцста на основе нафтохинондиазцдов, содержащий плавиковую и соляную кислоты ц воду 12.Однако известный раствор достаточно агрессивен по отношению к фоторезисту и имеет недостаточно высокую равномерность травления.Цель изобретения - снижение агрессивности раствора по отношению к фоторезисту и повышение равномерности травления достигается тем, что раствор, содержащий плавиковую ц соляную кислоты, дополнительно содержит двууглекислый аммоций и поверхностно-активное вещество ОПпрц следующем количественном соотношении компонентов, вес. %:Плавиковая кислота 5 - 15 Двууглекислый аммоццй 2 - 10 Соляная кислота 10 - 30 ОП1 - 5 Вода Остал608850 15 Составитель М. КузнецоваТехред Л. Гладкова Корректор Т. Добровольская Редактор Н. Коляда Подписное Изд, Юо 429 Тираж 1198 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 685/3 Типография, пр. Сапунова, 2 П р и м е р. Для получения схемного рисунка проводят химическое травление тонкой пленки резистивного сплава, содержащего хром, никель, кремний, толщиной около 1000 А. В качестве защитного слоя применяется фоторезист ФП - ПРи травильный раствор, содержащий ингредиенты в следующих соотношениях, в вес. /о.Плавиковая кислота 12 Двууглекислый аммоний 8 Соляная кислота 25 ОП2 Вода Остальное.Травление пленок резистивного сплава в данном растворе производят следующим образом: подложку помещают в травильный раствор, нагретый до 25 30 С; время травления - 15 - 30 с. После травления подложки тщательно отмывают.При использовании предлагаемого раствора осуществляется полное стравливание металлической пленки и повышается равномерность травления, что приводит к увеличению выхода годных схем. Формула изобретенияРаствор для избирательного травления,преимущественно резистивных пленок, с использованием фоторезиста на основе нафтохинондиазидов, содержащий плавиковую и соляную кислоты и воду, отличающийсятем, что, с целью снижения агрессивности раствора, по отношению к фоторезисту и повышения равномерности травления, он дополнительно содержит двууглекислый аммоний иповерхностно-активное вещество ОПприследующем количественном соотношении компонентов, вес. %:Плавиковая кислота 5 - 15Двууглекислый аммоний 2 - 10Соляная кислота 10 - 30ОП1 - 5Вода Остальное20 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. ОСТ ЧГО 054028, ред. 2 - 74 Микросхемы интегральные гибридные тонкопленочныеспециализированные 1 и 11 степеней интегра 25 ции ТТП.2. Авторское свидетельство СССР Юв 272635,кл. С 23 г 1/08, 1968,