Патенты опубликованные 23.09.1992

Номер патента: 1144549

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Голубев, Козловский, Кречет, Латышев, Шарков, Шумшуров

МПК: H01J 27/24

Метки: высокозарядных, ионов, источник, лазерный

...по заряд 9 вому со- д ставу.пюеьЦель достигается тем, что в предлагае- р мый лазерный источник высокозарядныхионов, содержащий лазер, фокусирующую линзу и цилиндрический выводной канал, введены сверхзвуковое сопла, установлен- Дь ное в выводном канале перпендикулярно О его оси, и приемник сверхзвукового газовоГо потока. На чертеже схематично изображенюй предлагаемый лазерный источник,Источник содержит лазер 1, систему фокусировки излучения (линзу) 2, выводной цилиндрический канал 3, В канале 3 установлены система формирования газовой мишени 4, содержащая сверхзвуковое сопла Лаваля 5; и приемник газового потока 6.Составитель К,КузьминТехред М.Моргентал Корректор Н,Гун е,цактор Е,Гиринская Подписноебретениям и открытиаушская наб 4/5...

Номер патента: 1671047

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Бехтеров, Десятков, Путырина

МПК: G11C 19/28

Метки: динамический, регистр, сдвига

...в этом слу чае не отражается на разбросе амплитуд выходных цмпульсов, По окончании действия тактового напряжения (4) на входах 17 второго ЭП и соссдних с иим ЭП остаются записанными напряжения логической"1", транзистор предустановки через открйтый транзистор уп" равления предустановкой 16 (затвор ко торого соединен с входом 17) закрывается с окончанием импульса на тактовом входе, но транзистор сброса разряда 14 остается закрытым, так как на его затворе записан логическийЦл 1,Если в момент й -й тактовое напУ 6ряжение поступает на вход, соединенный с третьим ЭМ (сдвиг в прямом направлении), то аналогично описаннойвыше работе ЭП на выходе третьего ЭПвырабатывается импульс по форме, сов-,падающий с тактовым напряжением иэтот импульс через...

Номер патента: 1505364

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Елагин, Наймарк, Шевнин, Юликов

МПК: H01L 27/14

Метки: фотосчитывающее

...шшу.Д и НЫХОДДХ СДНИмируют последовав цапря)ксшя 18,ФО 128 импульсовго устройства иэльцом открывациивдшя через выходсуммарный токЩП-транзисторовссходит суммировацие идколлеццой и)1)орьсации за три интертталд цссотлениг Т,. Если один шгте рвал Накопления, оцтЖделгемыг 170)гово) освещсццостью и зарядовой емкостью 1 оточувствительтсо го элемента, рдвеи Т в известном устройстве, то в даццом устройстве при сохранении Одного титервала Накопления рав)17 Ти, оГщее время с)акоглетя увеличиндется в 3 рдэа в приводимом примере и в К раз в общем случае.11 осколысу пороговая чувствительцость пропорциоцдльид 1/71 Т)с то в ддццом устройстве Оцд улучшится в )7 рдз длц приводимого примера и 4 раэ в ОГщем случае. С)ОТОСЧССТЫВаг)Цг)Е УСтРойСТВО ИМЕЕТ...

Номер патента: 1505368

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Елагин, Наймарк, Шевнин, Юликов

МПК: H01L 31/14

Метки: фотосчитывающее

...от устройства считывацил, 2 ил,Преобразователь кодов может бытьвыполнен ца осцове ППЗУ,Устройство работает следуюшлмобразом,В результате пересчета импульсовтактового генератора 4 ца выходесчетчика 5 формируется адрес преобразователя 3 кодов, ца первом выходеимпульсы сдвига для смещеция цц 4 ормаццц в сдвцгающем регистре 2, а ца выходе дешифратора 6 - импульсы начальной установки регистра 2,результате иа выходах регистрапоочередно во вр емеци поя вля ются импульсыы, управляющие считываццем ицформации поочередно с одцого из Фоэ опрцемциков 1 матрицы,Начальцая устацовка фотопрцсмци-.ков 1 матрицы производится выкодцьц,цимпульсами преобразователя 3 нодоя,Благодаря воэможцости программигЮаа 1 Фиг, 2. оставитель Н,Ииляеехред Л.Олиинык ор...

Номер патента: 1145496

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Пеленков, Прокопьев, Юдин

МПК: H01S 3/227

Метки: веществ, импульсный, лазер, парах

...спеременной угловой скоростью враще,ния у (1/с) электрола, причем скоФрость изменяют обратно пропорциональ.но величине площади обрабатываемойповерхности подложки на участкеконтактирования с электродом поФормуле где- коэффициент выхода по току;- электрохимический эквивалентматериала фольги, г/А снапряжение на электродах, В,- плотность материала Фольги,г/см,Б - площадь обрабатываемой поверхности, см,Г - радиус электрода, см.- сопротивление межэлектродного промежутка, ОмГр - длина рабочей части электрода на участке обработки, см,2 - толщина фольги, см,В начальный и конечный период обработки, когда площадь обрабатываемойповерхности изменяется от нуля до номинального значения и от номинального значения до нуля, напряжение наэлектродах...

Номер патента: 1445160

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Базильская, Болотовский, Бурцева, Касаткин, Крайнова, Левит, Медников, Можаев, Шумакова, Яковлева

МПК: C08K 13/02, C08L 9/02

Метки: композиция, назначения, полимерная, фрикционного

...эксплуатации произ"водят в клегггевом тормозе дорожноговелосипеда 111-531 "Бриз".Условия испытаний на приборе типа МИпо ГОСТ 426-77 расчетнаяскорость скольжения 0,30+0,05 м/с,нормальная сила (на 2 образца) 26 Н(2,6 кгс).Услогзия испытаний в клещевом тормозе дорожного велосипеда 111 - 531Бриз". скорость движения велосипедаперед началом торможения 15 км/ч;усилие па ручном тормозе 18,3 кгс;масса испытателя 70 кг. 40Изобретение иллюстрируют примеры,приведенные в табл, 1.И габл. 2 и 3 приведены данные освойствах резины по предложенному иизвестному способам,45Формула изобретенияПолимерная композиция фрикционного назначения для велосглпедных колодок, 5002-0,5 0 2-0,5 2-4 4,2-5,4 калием 20-28 включающая каучук, серу, меркаптобенэтиазол,...

Номер патента: 1445496

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Пеленков, Прокопьев, Юдин

МПК: H01S 3/227

Метки: веществ, импульсный, лазер, парах

...- Дом что обеспечевает его э 1)г 5 ктБ - еьЙ Нагрев и рдвцомерцое распре;Еенеи и Г 11:Б 013 1 О,глп ц е Г д 53 0 р я 3 Р тт д тг) т Т 1)с)бКИ,т)ЕЕ Т 1 3 с) 5 1 э ОЛЯЦт Я К Б То ДдОТ ДОПОЛЦИТЕПЬЦОГО;ДГРЕЕаТЕЛЯ Ц БЫ - СОКаЯ Ес)ДЕ)Е;ОСТЕ ЛДЗЕРа ДОСтигас.тСЯ ПРИ 13 ЫПО 1 ЦЕЦИИ КД ТОЛЧ ИЗ ПГ)РИСТ 01 ОТУГОПЛД ВКОГО тчс)ТЕ РИДЛД СМЯЧ)(ВД ЕБ 0 Г) РаботЕЫ ВЕЩЕСт 3)г,КОЕСТРУКИ)1 ИМПУЛЬСЦОГО ЛДЗЕРДна 11)рак Бществ с;)здидльцо пОпе -резцы разрядом обеспечивает высокуоТЕРМОЗМ)ССК) ЭЛРКТРОНОВ С КЯТОДД с.предотнрацаесгз Б 3101 ллизаЕ 313 разряда 5 и ПОЗВОЛяЕт За СтЕт 1)Ормит)ОВЯЕИН Одцород 10 ГО )дзргтдд вдоль катода Гязо раз)(ЕДЕОЙ Труб)КИ ПОВЫСИТЬ тастоз, следоваця имп-.пьсов возбу)кдецзя До 10 Гдс при этом температура кодк сиальцого катода достигает...

Номер патента: 1148507

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Калинников

МПК: H01F 29/14

Метки: регулируемый, трансформатор

...средним 3 и нижним 4, а к другой, например части 8 обмотки, присоединены биполярно соединенные тиристоры б, причем вторая часть 8 первичной обмотки размещена на стержнях мекду средним 3 и верхним 2 ярмами,Варианты трансформаторов по фиг. 4, 5 выполнены с немагнитными зазорами в ярме, а к первичной обмотке трансформатора по фиг. 4 может быть подключен конденсатор,Внешние характеристики фиг. б и 7) трансформаторов по фиг, 1, 2, 4 и фиг. 5 соответственно содержат. характеристики при максимальном 9 и минимальном 10 напряжениях холостого хода. Предлагаемое устройство работает следующим образом.Регулирование трансформатора осуществляется путем изменения угла включения тиристоров 6, Н ижний предел диапазона регулировайия вторичного...

Номер патента: 1628735

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко, Штыров

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...на управляющие затворы и стоки выбранных запоминающихтранзисторов (нцзкое " на истоки адресных ИДП-транзисторов) через нихпротекают токи, инжектируя "горячие"электроны в запоминающих транзисторах, которые захватьеваются поликремниевыми электродами, увеличивая величину порогового напряжения запоминающих транзисторов до величины б9 В и более.Состояния остальных запоминающихтранзисторов сохраняются неизменными из-эа нулевого напряжения или наадресных поликреиниевых шинах 10 илиразрядных металлических шинах 14,В режиме считывания информации навыбранные ц цевыбраццые запоминающие транзисторы подается положительное импульсное напряжение аналогично, как при программировании, но малой величины и длительности (+5 В,300 нс),Если напряжение ца...

Номер патента: 1334896

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Падерин

МПК: G01J 5/06

Метки: излучательной, направленной, покрытий, способности

...3 иццлицдг)о)1 1 ид расстоянии не более0)1 цд)ужцого радиуса цилиндряинагревают образец 4 до задайцой температуры,Далее для определения излучдтельцой способности в направленииотц )сительно перпецдикупяра кповерхности цследуемого образцаизмеряют температуру исследуемогообразгга сг иотоки излучеция приемником излучения 2, рдсположеццымд 1)дсстояеи)х О 1 Обрдзце 1 Р( - ф ), (Э 2 Э направленная излучательная способеОстеьисследуемого образца в направлении(Р ф2Эс й) ЦЬ = 3 + Г,СЕ;Р (- ,-),потоки излучения отисследуемого и эталонного образцов,измереннье приемником излучения прирасстояниях Ь Ьот образца;излучательная способность эталонного образца.Способ позволяет определять излучдтельцую способность в любом направлении и, следовательно,...

Номер патента: 1220532

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Дергачев, Кодылев, Перебякин, Хлыстов

МПК: H01S 3/034

Метки: газового, зеркала, лазера, резонатора, узел, юстировочный

...переещентю 1 и БеличцеР у"ла конуа летн ТЯ 6ИОУЧЕЕтЕ МЯКСЦМЯЬНОЙ БЫХОнай моттттостт цзеучени 5 т в лазере Опреде ляется точтостью тостцровкц Берт(ал резонатора, связанной с углом р) кото)ый зависит от диаметра 0 втулки и обеспечивается оборудованием при с)арке. При этом чем больюе диаметр втулки, тем яеньтте угол о. а следовательно, тем больгте точность юстцровки зеркала при сборке лазера. В то же Бремя размеры втулки ограццчецы с точки зрения массогабарцткьтх показателей и механической п)очтостц лазера Б целом, Ка ", видно изРиг.2 в предложеццом узле тостировки диаметр 0 втуеп(и определяется соотноцетее)у ЧК гр(Р 1 2тИР 1 - БРлцчцц т 1)Рмеяетия Битта(. - Угол конуса Бинта, равныйуглу Г.амостоцорецця М=515 );угол поворота зеркала,...

Номер патента: 1522580

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Клочков, Разумов, Салтыков

МПК: B22F 7/02, B23B 27/14, B32B 7/02 ...

Метки: комбинированный, композиционный, материал, сверхтвердый

...Создают давление, равное25 кбар, и через 35 с включаютэлектрический ток силой 1400-1600 А,Величина электрической мощности должна быть такой, чтобы плавлеиие металлического связующего Началось за2,5 с с момента включения электричесфхого тока, Выдерживают при этой мощности 520 с, после чего отключаютток и выдерживают при тои же давлениине менее 30 с, Снимают давление и вынимают готовый продукт,П р н и е р Э. В реакционную ячейку помещают послойно прессованную.шайбу из стружки 1 металлического свяФэующего из сплава тантал-иедь массой2 г с температурой плавления 1030 С,затеи 1 г микролорошка кубическогоиитрида бора марки ЛПИ 5/3 (эльбор),порошок карбида кремния (инертныйнаполнитель) в количестве 12 г, микропорошок кубического иитрида...

Номер патента: 1163755

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Журавлев, Ивлюшкин, Карпухин, Пожарский

МПК: H01B 1/08, H01J 17/49

Метки: газоразрядных, катодов, паста, приборов, токопроводящая

...16 Затем проводили сборку диодной конструкции прибора, герметизировки, откачивали, наполняли смесью Ме + 1% Аг до давления 100 мм рт,ст. и тренировали при 5 ор. После этого замеряли напряжение зажигания газового разряда - 180 В. Долговечность при плотности тока 50 мА/;м в статическом режиме составляла 620 ч. П р и м е р 2, На стеклянной подложке .методом трафаретной печати формировали электроды из токопроводящей пасты, содержащей, мас.%:Порошок полуборидакобальта 70 Порошок легкоплавкогостекла С 551 7 Мелкодисперсный порошококисла легкого металла А 20 з сразмером частиц 0,5-10 мкм 1 Органическое связующее(8%-ный раствор зтилцеллюлозы в терпинеоле) 22Затем были проведены все технологиче ские операции соответственно примеру...

Номер патента: 1635827

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Асеев, Бельц, Горохов, Денисов, Тепман, Трищункин, Федина, Чулинина

МПК: H01L 21/322

Метки: внутреннего, геттера, кремния, пластинах, формирования

...м е р 1. Пластины кремния диаметром ,00 мм, легированные бором с концентрацией кислорода (б) 10 см.17 -3 подвертались окислению в хлорсодержащей среде при 1000 С до толщины окисла40 ф 10 нм, а затем температура в печи поднималась до 1200" С в газовой смеси азо1635827 Формула изобретения Составитель Т.СкомороховаТехред М,Моргентал Корректор Н Ревгкая Редактор Т,Кпюкинэ 3 аназ 4059 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета поизобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская нэб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.1 эг:рнл 101 та с кислородом с содержанием кислорода 2,5 -0,5 и сохраняпэсь в течение 4 ч. Затем температура в печи снижалась до 750 С и сохранялась на этом уровне в течение...

Номер патента: 1582890

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Багинский, Егоров, Ерков, Косцов, Лихачев

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...5 и на границах второго ди- весьма желательно, так как он позвозлектрического слоя 5 с третьим б и ляет в этом случае повысить злектритретьего 6 с сегнетозлектрическим ческую прочность диэлектрической сисслоем 7. содержащих высокую плотность темы и создать дополнительную концепт" глубоких ловушечных центров, происхо- Зр рацию глубоких ловушечных центрон и, дит накопление заряда электронов что таким образом, способстнует улучшепереводит транзистор памяти в непро- нию эффективности записи информацион" водящее состояние с высоким пороговым ных зарядов и их хранению. Однако напряжением. т 1)етий диэлектрический слой б не долСтирание заряда осуществляется при.з 5 жен быть сколь угодно толстым, так ложением к затвору относительно под- как...

Номер патента: 1641145

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гольд, Девятова, Ерков, Лихачев

МПК: H01L 21/318

Метки: затвора, мноп-элементов, памяти

...0,001 1-2 2-4 4-6 10"12 Разбростолщины попластиеее,7. л 5 2 8 12 +15 л 200 Время форииронакилоксинитридного слоя, иинСкорость растекания инфориационного зарода, ВЫек 150 120 бО увеличениевреиенн проО, 15-0,25 О, 15-0,25 О, 15-0,2 О,15-0,2 граииированняДо 1 с 0,3-0,4 1+100:1 1; 50: 1 1; 2: 20 1:150:0 01 Образование81 О Температурньпе интервал синтезаЬ 55 слоя оксинитрида определяется способностью к записи информационного зарядае при температуре, превышающей Соотношениескоростейпотоков 8 С 1:80:ИН Скорость растекания инФорелациоееееого заряда, В/дек 4толщиной 300 А. Затем в случае необходимом Формируют слой блокирующего окисла из смеси моносилана и эакиси азота. Электроды Формируют с помощью Фотолитографии из легированного фосФором...

Номер патента: 1584653

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Голод, Девятова, Ерков

МПК: H01L 21/285

Метки: полицидных, структур, формирования

...ОсаЗЩЯть толикрсмний не имеет смысля, т.к, в этои случае полкремний начиняет расти па зоне неравномерно, Из черте- жа виде 0, что с павьддеев 1 ем темпера туры гряеичцые дявлееге 1 е ОсязКце 1 еил слоев умецьшаютсл. Боэможе 1 ы трц ва. - рианта выряще 1 ваЕЛЕл полцце 1 дцой структуры в еденам технологическом процессе иэ газовой смеси, составленной 50 нз источников кремния и силицндообра" эуощего металла одцовремееИо измене" нием одного иэ параметров давления в реакторе Р, соотношения реагентов К, температуры в реакторе Т).Бсетри варианта в реаепезяциирав 11 оцее 11 еы и лвллютсл техЕИЕческиии эквивалентами. Силицидцые слои осаждаотся поцепному ряэветвлене 1 ому мехянЕЕэиу р я слои паликремЕв 1 язя счет пиролизякремнийсодержащего...

Номер патента: 1642886

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...и второй группподают высокое положительное импульс-,ное напряжение (12 В, 1 с), Под действием этих напряжений иэбыточный эа"ряд электроиов удаляется с плавающихзатворов транзисторов 1 череэ конденсаторы 3, в, результате чего их пороговые напряжения становятся отрицательными, что эквивалентно единично 50му состоянию в режиме считывания информациици.Следует. отметить, что.для обеспечения блочного стирания информациив первом режиме через выбранные55транзисторы 5 второй группы на выбранные шины 8 подают высокое положительное импульсное напряжение, при этом остальные транзисторы 5 невЪбранных строк находятся в закрытом состоянии. Через конденсаторы 3 выбранных строк происходит удаление избыточного заряда транзисторов 1 выбранных строк,...

Номер патента: 1642888

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Овчаренко, Сущева

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...полупроводниковой подложки 1. Под дейст-вием высокой напряженности электричес-. кого поля во втором диэлектрическомслое 8 электроны инжектируются с ниж- ней поверхности по 3 икремнневых областей 9, туннелируют через Второй диэлектрический слой 8 и удаляются через области 5, 12 В результате .этого пороговые напряжения запоминающихтранзисторов становятся отрицательными, что эквивалентно единичному про водящему состоянию в режиме считыва" ния информации.3 режиме программирования информа" ции на Выбранную адресную поликремпиевую шину и выбранные разрядные диффузионные шины подают высокое положительное импульсное напряжение(12 В, 1 мс), На соседние разрядныедиффузионные шины и остальные адресные шниы подают нулевое напряжение,на...

Номер патента: 1586435

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...хэзьк 6 и ииЕвкбофки зиненЕЧеь-еэинзжкбцен эонзк бМ К 11 ОкеОН хечйод,ом хебоееье 6 ен 5 1 чб Озе 1611 еб.е. ЕчеЕчйме 6 мвм еЕВ фд,эвхз.Обц эн мо 7 ЕчеЕЕеш зечеЕгкйбвй ау Ечбози 6-об,е.з еЕО 1111 еб 91 чее с-, йое,зибегебд, есеч.цчбмсо с одзи 6 эбзе Од, (зниш Цоегзэбге еое 111 еб 9 ы) збосед.е 6 есэпоккаеебцЛ Одз Вк зикзжнйцен (.ьэешЕчсеэбц) сэвшЕчееэйи зн е 1 вбо,е,зе 1611 всЕ,е. Одэщаекиееоцвб О.ЕОН-еВб 9 ЕЧН зикзжкбцен эааодойоц игод эинэжыбцен эоееэггЛ 11 д.а О егоц с вцеиееЭон одоеэЫе К 11 ищ фЧЕеепп ЭЕчеЕекббвб .эЕчеззйее злкней 91 чаэе 1 ЭЕчеЧЕгед,зо вн фэинэжыйцве 1 эон чизд,есжоггоц эомбин оЕВМоц с Чнеше элц Ьыйбеб элеЕЕеесЕ 91 чн и Е Лесееш алнзэйГЕ Я аЕнней 91 чсе вн ыЕгэд.ицоеЕВН Одоеьиб.е,ееч иее 1 еибофее ыешВсцчиьз...

Номер патента: 1414259

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Виролайнен, Грачев, Кодылев, Хлыстов, Юнин

МПК: H01S 3/03

Метки: активного, газового, лазера, элемента

...активного элемента применительно к этому варианту конструкции отличается изменением отдельныхопераций и введением новых,На капилляре, собранном иа калиброванном стержне с герметичной и негерметицной перегородками и введен-.ном в оболочку, устанавливают наконечники.оптических узлов, выполненные заодно с ножками 19, и осуществляют сборку.Для выставления наконечников оптических узлов без разворота брюстеровских плоскс;стей и исключения отклонений от угля Брюстера юстнруютнаконечники оптических узлов по фиксаторам 20брюстеровскими углами, 5 4 Ыцгсяторьг 20 цггстяв 515 еют цо призма 5 21 станка, ггрящагот трубку, увеличивал скорость врящецня за 0-30 с от 0 до 50-00 об/мцц и сваривают при этой скорости оболочку по режимам,...

Номер патента: 1471928

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Кириллов, Сериков, Тарченко

МПК: H04N 7/10

Метки: волоконно-оптическая, кабельного, телевидения

...ДОРС,преобразуется в электрический в ояи"ческом приемнике 33, затем этот сигнал корректируется по ферме, амплитуде и длительности с помощью ЛЧ корректора 34, порогоного устройства 35и формирователя 36 имссульсов. В результате получаем групповой ФИМ сигнал, форма которого примерно совпадает с исходным ( .с;г.д),Для выделения средней части груп"пового Фазоимпульсного сигнала используется блок ФЛПс 38, состоящий из фазового детектора 39 и усилителя 40 постоянного тока, с помощью которого осуществляется синхронизация генератора 37 имиульсон, Н результате на выходе генератора 37 импульсов Формируется импульсная последовательность той же частоты, что и генератора 19 импульсов (Фиг.н). Групповой ФИМ сигнал поступает на первые входы...

Номер патента: 1535282

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Бехтерев, Десятков, Наймарк, Путырина

МПК: G06K 7/10, H01L 31/14

Метки: фотосчитывающее

...импульсов от задающего генератора 4 "единицы" цикличес", ОС ки перемещаются по регистрам.ЯПоявившаяся в любом иэ зарядов "единица" обеспечивает открытие транзистора 1 О и заряд паразитной емкости фотодиода 9 и прилежащих к нему цепей, в следующий такт с выхода следующего разряда регистра 3 откры- ф вается соответствующий управляемый вентиль 6, и уровень заряда паразитной емкости передается на инфорчан 1 и иный вход элемента 7 задержки, в кс те - ром он перемещается под действием1535282 оставцтель И.Ииляевехрел М,Ходацнч орректор Л.Бес аслот Рел.кто Подписное по изобретениям ц отк Ж - 35, Рауиская цаб., л; " згсл,тоецнэ-излательскцц комбинат 1 атецт , г,)жгорол, нч. рцца, 101 тактовых Импульсов от задающего генератора 4, Через...

Номер патента: 1473633

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Кузнецов, Латышев, Титов

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-транзисторов

...парах водь 1 на 1000 С, На области полевого оксида кремния и маску из литвинкремния осажджОт слой 5 диэлек танка иэ оксида кремния толщиной 300 нм, полученного реакцией моносилана созакисью хэота при 800 С в реакторе пониженного давления, Затем с помощью5 операций Фотолитографии и диффузии бара Формируют области 6 стока и истока. Диффузию бора проводят при 1010"С в течение ч 0 мин до его концентрации в областях б на уровне 10- 10"см з Далее на облаСтях стоков, истоков Формируют второй ,слой 7 оксид:х кремния при 900 С толщи"б ной О,б мкм, После чего слой 5 ди электрика, ма"ку 3 из нитрнда кремния н первый слой 2 оксида кремния удаляют и проводят стандартные операцииФормирования МДП-транзисторов.В качестве слоя 5 дижлектрика . 2 О можно...

Номер патента: 1358138

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Баянов, Бибик, Гусаков, Ларин, Махортова, Милехин, Нестеров, Пристанский

МПК: B01D 47/00

Метки: газов, пыли, флюоритовой

...изобретения повышение степени очистки.Сущность изобретения поясняется примером,Пример, Навески флюоритового концентрата помещают в генерзтор пыли, Запыленный газ подают в нижний патрубок реактора с турбинной мешалкой, заполненного водой и элюатами с различной жестко-. стью. Полученные результаты приведены в табл, 1, Они показывают, что наибольшая степень улавливания фл юоритовой пыли достигается при использовании эпюатов с жесткостью, равнои 30.60 м экв/л.., 5 Ц 1358138 А 1 очистки газов от флюоритпвои пыли. Запыпенный газ подают в нижнюю часть реактора с турбинной мешалкой, заполненного элюатами, полученными при регенерации катионообменных фильтров для умягчения воды раствором хлорида натрия и представляющими собой водные растворы...

Номер патента: 1540563

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Голод, Девятова, Ерков, Лихачев, Талдонов

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...заряда. 11 аличие же второгопроводящего слоя 9 из тугоплавкогометалла или его силицида снижаетинжекцию носителей заряда из электрода затвора, что уменьшает компен 50сапию зарядов противоположного знака;иисктированных иэ подложки 1 и электрода затвора. Таким образом, в треть.ем диэлектрическом слое б. и вблизиего границ происходит накопление55преимущественно электронов, что переводит элемент памяти в непроводящее состояние с высоким пороговым напряженим, величина которого существенно превышает величину порогового напряжения в случае высокой цнжекцйон ной способности электрода затвора Энергетическое положение ловушек обеспечивает длительное хранение захваченного заряда, в том числе и при повышенных температурах.Стирание заряда...

Номер патента: 1074112

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Базильская, Болотовский, Воробьева, Голкин, Пономарева

МПК: C08J 5/14, C08L 9/00

Метки: композиция, полимерная, фрикционных

...соотношении компонентов, мас,0:Сопопимер бутадиена идивинилбензола в соотношении 99,76-99,94;0,06 - 0,24 17-18Сера 3,30 - 3,49Каптакс 0,30 - 0,32Тиурам 0,10-0,11Кремнийорганическаяжидкость 0,05 - 0,10Асбест 32,0-42;0Пластификатор 1,0 - 1,5О.лифовальная пыль 3-20Напопнитель Остальное1 пифовальная пыль-отход производства асбофрикционных изделийЭто сыпучий порошок, не требующийизмельчения, сушки, просеивания,В состав шлифовальной пыли входятследующие компоненты, мас,/О:Отвержденные полимеры2,163,4 Окислы алюминия, железа,магния, цинка 530Сажа, графит 1-10Метзллы (медь, бронза,5 латунь) 1-15Шлифовальная пыль имеет следующийгранулометрический состав и физико-механические свойства:Остаток на сите 0,4 К, 010 Просев через сито 0,09 К,...