Патенты опубликованные 15.05.1992

Страница 45

“электромузыкальный инструмент “голос марии”

Загрузка...

Номер патента: 1734121

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Гурьев

МПК: G10H 5/08

Метки: голос, инструмент, марии, электромузыкальный

...ползунка, можно слой полупроводника прикрыть тонкой упругойфольгой, по которой и будет скользить ползунок, прижимая фольгу к слоюполупроводника, создавая контакт сним,Возможны также конструкции на основе фотосопротивлений. Нажим на клавишу (в случае клавишного регуляторапотенциометра) увеличивает Р 2 иуменьшает Г, вводя сигнал, Регулятор"потенциометр (см. Фиг. 11) соединяет два переменных сопротивленияв варианте, показанном на Фиг 8.Устройство таково, что нажим на клавишу сжимает "рессору" одного переменного сопротивления (уменьшая егосопротивление) и разжимает "рессору"второго переменного сопротивления(увеличивая его сопротивление), уве. личивая коэффициент передачи регулятора-потенциометра. Корпус 70...

Адресный формирователь

Загрузка...

Номер патента: 1734122

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Алисейко, Львович, Приходько

МПК: G11C 7/00

Метки: адресный, формирователь

...первого транзистора 3, база которого соединена с первым выводом первого резистора 10 и коллектором второго транзистора 4, а коллектор соединен с вторым выводом первого резистора 10 и подключен к шине питания первого инвертора, к шине нулевого потенциала которого подключен эмиттер третьего транзистора 5, коллектор которого соединен с катодом первого диода 7 и является инверсным выходом формирователя, а база соединена с эмиттерами второго 4 и четвертого 6 транзисторов и с первым выводом второго резистора 11, второй вывод которого соединен с эмиттером третьего транзистора 5, база второго транзистора 4 является входом формирователя и соединена с базой четвертого транзистора 6, выход второго инвертора 2 является прямым выходом...

Способ масс-спектрометрического анализа твердых веществ

Загрузка...

Номер патента: 1108876

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Васюта, Гречишников, Держиев, Ремендик

МПК: B01D 59/44, G01N 27/62

Метки: анализа, веществ, масс-спектрометрического, твердых

...влияющими на атомизацию иионизацню вещества и тем самым на Ео 22 2 10 Дж,правильность и точность результатованализа, являются плотность выделе- а плотность мощности в анодном пятния мощности в приповерхностных слоях з 5 2 10-Фтвердого тела, длительность разряда, не И = = 2 -10 вт/и, в пе "величина напряжения пробоя и ппощадь, 10 10выделения энергии в одном пробое, ресчете на объемную плотность Ю/ зпричем указанные параметры должны - 2 10 вт/ибыть постоянными в процессе проведе- При изменении плотности мощностиния анализа.30состав . масс-спектра меняется. ПриС этой точки зрения известный спо- обычно используемых параметрах разсоб атомизации и ионизации вещества ряда отношение двухразрядных ионовне является оптимальным Полная...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 1734123

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Паламарчук, Тараканов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...элемента, а инвертирующий вход объединен с его выходом, подключен к второму входу сумматора и является первым выводом переменного резистора четвертого пассивного элемента, второй вывод которого подключен к первому выводу резистора третьего пассивного элемента, информационный вход второго ключевого элемента и второй вывод резистора третьего пассивного элемента подключены к шине нулевого потенциала устройства,Предлагаемое включение элементов аналогового запоминающего устройства приводит к снятию жестких требований к величине соотношения накопительных конденсаторов по отношению к прототипу, повышает технологичность, так как величина "пролезания" управляющего сигнала легко устраняется изменением соотношения резистивного делителя на входе...

Состав для пьезорезистивного материала

Загрузка...

Номер патента: 1734124

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Жеребов, Золотухин, Лачинов, Чувыров

МПК: H01B 1/06

Метки: пьезорезистивного, состав

...и достигается она при относительно высоком давлении 450 ПМа, что затрудняет применение этого материала. Кроме того, этот состав предполагает изготовление пьезорезистивного материала методом прессования, что резко ухудшает воспроизводимость параметров от образца к образцу.Целью изобретения является повышение чувствительности при малых давлениях,Поставленная цель достигается тем, что состав, включающий полимер и мелкодисперсную добавку, в качестве последней содержит пьезоэлектрик и органический растворитель при следующем соотношении компонентов, мас. )ь:Полимер 13-23 Пьезоэлектрик 11 - 20 Растворитель Остальное Кроме того, цель достигается тем, что в фталид, кроме того, изопреновый каучук, В качестве пьезоэлектриков были использованы...

Маркировочная лента

Загрузка...

Номер патента: 1734125

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Дементьева, Николаев

МПК: H01B 7/26

Метки: лента, маркировочная

...пластиката д= 0,5 - 0,8 мм, а элементы крепления- из капрона и полиамида; Элементы крепления могут быть изготовлены по аналогиис застежкой "контакт" ворсовой. 5В зависимости от назначения кабельных сетей бирки на кабелях должны устанавливаться разных типоразмеров.Предлагаемая лента также может иметь несколько типоразмеров, но для маркировки 10кабельных сетей целесообразно изготавливать ленту (по крайней мере информационное поле) разной цветовой окраски, аконкретно оранжевого, красного, голубого исветлых тонов,На фиг. 1 изображена предлагаемая 15маркировочная лента; на фиг. 2 - то же,поперечный разрез.Применение маркировочной ленты длямаркировки кабелей, проводов, трубопроводов и других изделий позволяет повыситьпроизводительность...

Устройство для размагничивания ферромагнитных тел

Загрузка...

Номер патента: 1734126

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Мороз

МПК: H01F 13/00

Метки: размагничивания, тел, ферромагнитных

...тело путем воздействия на него знакопеременным затухающим полем, при этом амплитуды импульсов поля затухают так, что амплитуды импульсов индукции в размагничиваемом теле убывают по линейному закону.На фиг. 2 представлена блок-схема устройства. Устройство содержит источник питания (сеть 1), посл едовател ьно соединенные выпрямитель 2, переключатель 3 полярности, размагничивающую обмотку 4, измерительную обмотку. 5 потока размагничиваемого тела, задатчик 6 амплитуды импульсов индукции в размагничиваемом теле, устройство 7 сравнения напряжения, пропорционального индукции в размагничиваемом теле, с напряжением задатчика амплитуды импульсов индукции в размагничиваемом теле, измерительный шунт 8 тока размагничивающей обмотки, задатчик...

Керамический материал

Загрузка...

Номер патента: 1734127

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Нестеренко, Сыч, Титов

МПК: H01G 7/02

Метки: керамический, материал

...материал на основе ниобатов и титанатов металлов дополнительно содержит скандат лантана и титанат лантана при следующих соотношениях компонентов, мас,%; 1 агТг 07 47,5 - 48,31 аИЬ 04 27,5 - 31,61 аЯсОз 20,7 - 24,5Составы предлагаемого и известного материала приведены в таблице.Предлагаемый керамический материал получают методом твердофазных реакций между 1 агТг 07, 1 аМЬ 04 и 1 аЗсОз, Синтез образцов осуществляется нагреванием (950 С, 5 ч) предварительно запрессованных (150 кг/см ) в диски поликристалличегских порошков .агТг 07,аМЬ 04,аЗсОз. После перетирания из синтезированных образцов повторно прессуют диски при давлении 10 Т/см и обжигают их при 1400 С в течение 5 ч, Плотность полученной таким образом керамики лежит в...

Способ изготовления контакт-детелей геркона

Загрузка...

Номер патента: 1734128

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Райкин, Шрайнер, Эрлихсон

МПК: H01H 11/04

Метки: геркона, контакт-детелей

...покрытия и спрямление межзеренных границ, вследствие чего площадь межзеренных границ уменьшается. Эта стадия вторичной рекристаллизации происходит при температуре около Т = 0,4 Тпл. Снижение концентрации структурных дефектов и уменьшение площади границ ведет к росту теплопроводности материала, вследствие чего, как видно из формулы (1), радиус зоны расплава и, соответственно, радиус эрозионной лунки уменьшается, а следовательно, меньше становится эрозия покрытия, Одновременно имеет место процесс диффузии железа и никеля в покрытие, снижающий его теплопроводность. С ростом температуры отжига процесс диффузии интенсифицируется и при температуре более 0,4 Т)л теплопроводность покрытия начинает снижаться,Нижний предел времени отжига...

Пакетный переключатель

Загрузка...

Номер патента: 1734129

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Банов, Лосев, Моторин, Седыкин

МПК: H01H 19/40

Метки: пакетный, переключатель

...на обмотках трансформатора, и конструкция полуколец и сегментов, из которых собраны ламели; на фиг. 2 - вид переключателя сверху; на фиг,Пакетный переключатель содержит подвижные ламели, состоящие из двух медных полуколец 1 и 2, и неподвижные контакты, представляющие собой коммутирующие выводы 3 и 4 каждой обмотки трансформатора 5. Полукольца соединены с зазором 6 в единое целое диэлектрическими сегментами 7 и 8, прикрепленными к полукольцам заподлицо с ними с одной их стороны. Ламели установлены свободно на изолирующую четырехгранную втулку 9, жестко посаженную на стержень.10, имеющий возможность вращения в отверстиях диэлектрического основания 11, прикрепленного к трансформатору 5, На стержень 10 установлены два упора 12 и 13 с...

Электрический переключатель

Загрузка...

Номер патента: 1734130

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Никуленков, Ромащенко

МПК: H01H 25/06

Метки: переключатель, электрический

...его в вертикальной плоскости, регулируя степень нажатия его на дополнительные неподвижные пружинящие контакты 7.Переключатель работает следующим образом.При повороте рукоятки 8 вправо или влево основные подвижные контакты 4 входят в зацепление с основными неподвижными контактами 6. При отпускании рукоятки 8 под действием возвратной пружины 10 основные подвижные контакты 4 вновь возвращаются в исходное (нейтральное) состояние. При этом штифт 12 перемещается в Т-образной прорези корпуса 1 только по горизонтальной ее части. При нажатии на рукоятку 8 штифт 12 перемещается в вертикальной части Т-образной прорези вниз,Дополнительный подвижный конусный контакт 5 вместе с рукояткой 8 перемещается вниз и входит в зацепление (контакт) с...

Контактная система электрического аппарата

Загрузка...

Номер патента: 1734131

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Згурский

МПК: H01H 31/00

Метки: аппарата, контактная, электрического

...- третий линейно-точечный контакт.Все это позволяет повысить надежность системы, упрощает ее конструкцию, снижает потребление цветных металлов, так как данной системе цветной металл требуется лишь для изготовления крючка, швеллерного профиля и гибкой связи,На фиг, 1 изображена контактная система, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид спередиДанная контактная система содержит токопроводы 1 и 2 контактных выводов, подвижный контакт 3 крючкового профиля из цветного металла, закрепленной в плоском швеллере 4. Вторая часть контактного разьема на неподвижном изоляторе 5 из цветного металла жесткого швеллерного профиля крепится с углом поворота до 25 на жесткой П-образной скобе 6 с двумя овальными отверстиями 7 для плавающей оси 8. Для...

Газоразрядная электронная пушка

Загрузка...

Номер патента: 1734132

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Мохнатюк, Новиков

МПК: H01J 37/06

Метки: газоразрядная, пушка, электронная

...соответственно в корпусе и на аноде,механизм перемещения которого размещенвне корпуса и выполнен в виде двух одинаковых червячных реду;, горов. Ведущие вал ыредукторов жестко соединены с валом электропривода, а на ведомых валах, расположенных перпендикулярно плоскости анода,с одинаковым по величине и направлениюэксцентриситетом закреплены полуоси. Наних шарнирно установлены стержневые тяги, жестко соединенные с торцовой частьюанода, Между тягами и корпусом установлены уплотняющие элементы, выполненные ввиде сильфонов.На фиг. 1 изображена газоразряднаяэлектронная пушка; на фиг,2 - конструктивная пространственная схема узла подвижного анода с приводом,Газоразрядная электронная пушка содержит холодный катод 1, укрепленный...

Электрод газоразрядной лампы высокого давления

Загрузка...

Номер патента: 1734133

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Беляков, Бессонова, Егорова, Зазыгин, Колобкова, Кудаев, Мельников, Салкин, Смирнов

МПК: H01J 61/073

Метки: высокого, газоразрядной, давления, лампы, электрод

...электрода (по всей длине спиральной части электрода), и содержит активатор с высокой работой выхода электродов, а второе эмиссионное покрытие сформировано на поверхности первого покрытия (по всей длине спиральной части электрода) и содержит смесь активаторов, состоящую из 50 - 60 активатора с высокой работой выхода электронов и 40 - 50 активатора с низкой работой выхода электронов.На чертеже изображен электрод газо- разрядной лампы высокого давления,Электрод содержит металлический стержень 1 и закрепленную на нем спираль 2, на которых сформированы два эмиссионных покрытия 3 и 4, содержащие активаторы с различной работой выхода электронов. Первое эмиссионное покрытие 3 сформировано на поверхности электрода и содержитактиватор с...

Полупроводниковое охлаждающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 1734134

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Ярыш

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждающее, полупроводниковое

...стойки 10 по диагонали между противолежащими окнами 9 панелей 7 и 8, причем теплоотводящие перегородки 11 смежных стоек 10 расположены зеркально одна относительно другой. Кроме того, устройство имеет трансформаторы 12, высоковольтные вводы 13, шины 14, соединяющие вводы, например, по встречно-параллельной схеме соединения полюсов блоков 5 и 6, управляющие связи 15, блоки управления 16 и радиаторы 17, которые осуществляют охлаждение устройства и способствуют конвекционному перемещению потоков 18 масла 2 в баке 19 со всех четырех сторон стенок его корпуса 1 устройства.Устройство работает следующим образом.Из блока управления 16 через световоды по управляющим связям 15 управляющие импульсы подаются на трансформаторы 12, откуда...

Способ изготовления вакуумного столика

Загрузка...

Номер патента: 1734135

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Гуринович, Жукович, Самаль

МПК: H01L 21/31

Метки: вакуумного, столика

...нанесением на рабочую поверхность износостойкого покрытия,На фиг. 1 приведено основание с маской; на фиг.2 - устройство, выполненное предлагаемым способом, сечение; на фиг, 3 - опорный элемент с маскирующим покрытием; на фиг. 4 - устройство, общий вид,Суть способа заключается в следующем.Поверхность основания 1 (фиг. 1) из ситалла методами механической шлифовки и полировки доводят до требуемой неплоскостности, далее через маску в виде замкнутого контура 2 и круглых площадок 3 (фиг. 1) удаляют материал основания, причем на не- подвергающихся удалению участках формируют опорные элементы 4 в виде усеченных конусов и замкнутый ободок 5 (фиг. 2),В процессе удаления материала основания одновременно формируют замкнутый ободок, вакуумную камеру...

Способ соединения полупроводникового чувствительного элемента датчика со стеклянным держателем

Загрузка...

Номер патента: 1734136

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Лизин, Нардышев, Соколовский, Стучебников

МПК: H01L 21/98

Метки: датчика, держателем, полупроводникового, соединения, стеклянным, чувствительного, элемента

...осуществления процесса спекания (вместо процесса оплавления) и снижение на 50 - 120 С за счет уменьшения размера стеклочастиц, последнее определяют по отношению 4 Ь" М 1+273 - лг - где о- поверхностная энергия, эрг см;г, М - мол, масса, г; т - температура плавления вещества в макрообьеме, ОС; 0 - диаметр частиц, см; с 1 - плотность, г см з;- скрытая теплота плавления, кал мольПринимая, что все параметры, кроме О, сохраняют свои значения, запишем это соотношение для снижения на 50 - 120 ОС и для снижения на 10 С, а затем, разделив второе соотношение на первое, получаем 050-120 = (0-08 0,2) 010. Снижение на 10 С можно получить при дисперсности около 200 нм, Следовательно, дисперсность (16 40) нм обеспечит снижение на 50 - 120 С.Нижняя...

Основание полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 1734137

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Горохов, Русакович, Якунин

МПК: H01L 23/14

Метки: основание, полупроводникового, прибора

...2 в форме катушки, кото рый имеет одно основание 3 для размещения полупроводникового кристалла, и другое основание 4, которое размещено в кольцевой проточке 5. Кольцевая проточка 5 выполнена в отверстии фланца 30 1.При работе прибора выделяющееся тепло с использованием "катушки" отводится через большую площадь соприкосновения с фланцем, так как увеличен диаметр 35 рабочей части кристаллодержателя.Основание полупроводникового прибора выполнено из стального фланца 1 с ТКР 11,8 10 1/ОС (например, КПО 8), толщина которого Ьг =1,5 - 2 мм, а кристаллодержатель 40 2 изготовлен из меди с ТКР 19,7 10 1/ОС. Глубина кольцевой проточки Ь 1 = 0,25 - 0,3 мм. При этом получаем соотношение размеров 61/12 = 0,125 - 0,15, Диаметр кольцевой...

Полупроводниковый преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 1734138

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Чучукин

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...и верхним изолирующим упором, позволяет обеспечить восприятие динамических усилий в продольном, поперечном и. вертикальном направлениях; удобство транспортировки, перемещения и установки в ограниченном пространстве, Система крепления выпрямительных блоков в преобразователе включает нижние изолирующие упоры, изолирующие направляющие с выполненными внутренними продольными вырезами и верхний изолирующий упор и обеспечивает изоляцию выпрямительных блоков друг от друга и от несущих конструкций.Выпрямительные блоки позволяют собирать однофазную мостовую, трехфазную мостовую и трехфазную с однофазными мостами на фазу схемы преобразования.Йа.фиг, 1 показан преобразователь, вид спереди; на фиг, 2 - то же, со снятой крышкой, вид сверху; на фиг. 3...

Волноводный соединитель

Загрузка...

Номер патента: 1734139

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Безлюдова, Зотов, Кирпиль, Обухов

МПК: H01P 1/04

Метки: волноводный, соединитель

...втулки 4 закреплена цанговая втулка 5, имеющая форму усеченного конуса. контактными лепестками б ориентированная к дну 7 стакана 3 и контактирующая ими с его цилиндрической поверхностью, В теле цанговой втулки 5 со стороны контактных лепестков б выполнены два кольцевых паза 8, поперечное сечение которых имеет запредельные размеры. Расстояние от торца 9 цилиндрической втулки 4 до концов лепестков б лежит в пределах 0,010,063 длины волны в отрезках 1 и 2 волновода, а дно 7 стакана 3 и торец 9 цилиндрической втулки 4 образуют четвертьвол новый отрезок радиальной линии,Волноводный соединитель работает следующим образом,При стыковке отрезков 1 и.2 волновода контактные лепестки б цанговой втулки 5 входят в полость стакана 3 и препятствуют...

Устройство для соединения несоосных волноводов

Загрузка...

Номер патента: 1734140

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Пазин

МПК: H01P 1/04

Метки: волноводов, несоосных, соединения

...например, жесткие соединительные волноводы с использованием уголков, изгибов и скруток, применяющиеся только для неподвижных соединений и имеющие значительную длину, что является их недостатком. Гибкие же элементы, такие, как гофрированные и панцирные волноводы, могут при леняться и в подвижных соединениях, однако также имеют значительную длину и, кроме того, сложны в изготовлении. что язляется их недостатком,я к технике ным соединекращение гася за счет соединитель- установленнесоосными ной диафрагечить посто- сования при диафрагмы 1 ла в Е и Н1734140 гг Составитель Л,Пазин Техред М,Моргентал Васил рректор О.Кундрик дак Заказ 1673 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035,...

Двухканальный переключатель

Загрузка...

Номер патента: 1734141

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Семенов

МПК: H01P 1/15

Метки: двухканальный, переключатель

...дросселя 12 является входом 28 управляющего напряжения, Второй вывод второго дросселя 8 подсоединен к аноду третьего диода 3 и потенциальному выводу третьего блокировочногоо конденсатора 22, Второй вывод третьего дросселя 9 подсоединен к катоду четвертого диода 4 и потенциальному выводу четвертого блокировочного конденсатора 23, Второй вывод первого дросселя 7 подключен к точке соединения диодов 1 и 2 и третьего разделительного конденсатора 15, К точке соединения первого разделительного конденсатора 13 и анода первого диода 1 подключены первыми выводами четвертый дроссель 5 и четвертый разделительный конденсатор 16, а к точке соединения второго разделительного конденсатора 14 и катода второго диода 2 подключены первыми выводами...

Свч-фазовращатель

Загрузка...

Номер патента: 1734142

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Калюта, Потемкин

МПК: H01P 1/18

Метки: свч-фазовращатель

...коаксиальной линии передачи 3 с дополнительнымвнутренним проводником 4, между которымс одной стороны и закорачивающий стенкой5 внешнего проводника с другой стороны20 установлена сегнетоэлектрическая шайба б,Внешний проводник СВЧ-фазовращателя выполнен в виде прямого цилиндрадиаметром О. Внутренний проводник СВЧфазовращателя на регулярном участке име 25 ет диаметр с, у полуволнового конусногоперехода плавно увеличивается от диаметра о до максимальной величины б с резкимпереходом к дополнительному проводнику4 диаметром бг. Втулка 7 служи; опорой30 внутреннего проводника, по которому черезввод 8 на сегнетоэлектоическую шайбу подается постоянное управляющее напряжение, и одновременно о".еспечивает егоизоляцию от корпуса,35 На входе...

Сверхвысокочастотный фильтр

Загрузка...

Номер патента: 1734143

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Орлов

МПК: H01P 1/213

Метки: сверхвысокочастотный, фильтр

...8,9, которые, в свою очередь, выбраны полуволновыми. В п Олосковом резонаторе 7 могут возбуждаться одновременно два ортогональных, с высоким уровнем развязки между собой, резонансных колебания, Связь отрезка 1 полосковой линии передачи с полосковым резонатором 7 может быть как через зазор, так и непосредственная гальванически. В обоих вариантах связь с полосковым резонатором 7 осушествляется через один его ,гол 5 ,-схоной с:,;гнал через отрезок 1 полосковой линии передачи поступает на полосковый резонатор 7 на двух резонансных : астотах, во буждает в нем два ортогональньх, развязанных между собой колебания первого низшего типа Е 10 и Е 01, Полосковые шлейфы 5,4 выполнены четвертьволновыми и разомкнутыми на одном конце и соедине"ы с...

Управляемый аттенюатор

Загрузка...

Номер патента: 1734144

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Илюшенко, Стукач

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатор, управляемый

...элементов 1 и 2 и уменьшения сопротивлений элементов 3 и 4 ослабление, вносимое аттенюатором, увеличивается. Сопротивления резисторов 5 и 6 выбираются равными соответственно сопротивлениям источника сигнала и нагрузки, что обеспечивает согласован е аттенюатора по входу и выходу в процессе регулирования при соответствующем соотношении сопротивления элементов в последовательном и параллельном плечах,Покажем, что предложенная схема управляемого аттенюатора отличается от известных малой зависимостью фазового сдвига от вносивого ослабления,Фазовый сдвиг выходного сигнала аттенюатора относительно входного в диапазоне ослаблений определяется следующим соотношением Р(Ъ р ) =Р(зппп 2 ргпах ) . ф ( Я гпах, Ер гпи, ),б 1734144 случае по мере...

Переменная коаксиальная нагрузка

Загрузка...

Номер патента: 1734145

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Гедрайтис

МПК: H01P 1/26

Метки: коаксиальная, нагрузка, переменная

...к объем- прорезями, ширина которых увеличивается ному поглотителю, на его внешней и внут-по мере приближения к основанию лепестренней поверхностях выполнены проточки, 35 ков, При этом каждый из лепестков имеет в которых размещенывведенные контакт- радиус кривизны в поперечном сечении, ные коронки, Каждая из этих коронок вы- увеличивающийся по мере приближения к полнена в виде разрезной тонкостенной его концу, и снабжен отверстием треугольтрубки и имеет упругие контактные лепест- ной формы, один из углов которого обращен ки, ширина которых увеличивается от их ос к основанию лепестка. Во-вторых, соединенования к концу. При этом каждый из них ниетягис ручкой осуществлено при помощи имеет радиус кривизны в поперечном сече- Н-образного...

Опорно-поворотное устройство антенны с ограниченными углами поворота по оси угла места и перпендикулярной ей оси цапф рефлектора

Загрузка...

Номер патента: 1734146

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Кисин, Климова, Петровский

МПК: H01Q 3/08

Метки: антенны, места, ограниченными, опорно-поворотное, оси, перпендикулярной, поворота, рефлектора, угла, углами, цапф

...на го треугольника, параллельно катетам котоплатформе рамы для крепления и поворота рого оси угла мест и цапф, в опору оси углаантенны по азимуту, Привод управляют по места введена дополнительная пара подковоротом плат ормы и рамы, сов, причем точки соединения пар подкосовОднако использование этой конструк- с основанием расположены по разные стоции нерационально из-за трудоемкости ее роны плоскости стоек, Все элементы опорыизготовления и монтажа,атакжеиз-заогра- оси угла места и трехгранной пирамиды,ниченногоповорота антенны(менее 90)по 50 кроме стоек и гипотенузы прямоугольногоазимуту, треугольника, выполнены одинаковой длиНаиболее близким к изобретению явля- ны, Привод угла места соединен с основаниется опорно-поворотное устройство...

Рамочная антенна

Загрузка...

Номер патента: 1734147

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Кирицев

МПК: H01Q 7/08

Метки: антенна, рамочная

...сохранение вида диаграммы направленности, которая, кроме того, может быть изменена в некоторых пределах изменением размеров экрана.На фиг, 1 приведены принципиальная схема рамочной антенны; на фиг. 2,3,4 - диаграммы, поясняющие работу антенны,Предлагаемая рамочная антенна состоит из датчика электромагнитного сигнала в виде вертикальной проволочной рамки, полувитки 1 и 2 которой расположены симметрично относительно заземленной проводящей поверхности 3, также расположенной вертикально,Размеры проводящей поверхности 3 (ширина а и высота б) должны быть не менее соответствующих размеров а и б проволочной рамки, т,е. а 1а, б 1б, Проводящая поверхность 3 расположена симметрично между полувитками 1 и 2 и нормально плоскости...

Способ развязки антенн

Загрузка...

Номер патента: 1734148

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Иванов, Мокров

МПК: H01Q 9/00

Метки: антенн, развязки

...в себя 50установку проводящей пластины между антеннами вдоль их общей оси симметрии параллельно плоскости поляризации, причемгроводящая пластина вьгполняется с криволинейной кромкой с высотой, определяемой 55из соотношения: где Жр - средняя длина волны,В - расстояние между антеннами;г - текущее расстояние от одной из антенн вдоль оси симметрии,и длинойне менее 2 Яср.В предлагаемом способе выполняют проводящую пластину с криволинейной кромкой, где высота пластины зависит от положения ее относительно антенн. При такой взаимосвязи форма проводящей пластины представляет собой часть эллипса высотой, соответствующей границе 1-й зоны Френеля,Существенным отличием предлагаемого способа является зависимость Ь пластины от расстояния между...

Радиопоглощающий композиционный материал

Загрузка...

Номер патента: 1734149

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Газян

МПК: H01Q 17/00

Метки: композиционный, материал, радиопоглощающий

...микропровода и, кроме того, частично переизлучается и рассеивается в связующем радиопоглощающего компози ционного материала,С изменением длины волны А происходит изменение величины индуцированного в отрезках микропровода тока, носящего в общем случае резонансный характер. Наи большее значение ток достигает при примерном равенстве длины электропроводящего отрезка половине длины электромагнитной волны в материале. Благодаря резонансу погонного сопротивления ферро магнитного микропровода, имеющего место при некоторых сплавах проводящей жилы и определенных соотношениях геометрических параметров жилы и стеклянной изоляции, в случае соответствующего 20 выбора длины отрезка феррсмагнитного микропровода резонансному росту (спаду) тока будет...