Шелопут

Номер патента: 669704

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зубринов, Куценко, Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/12, C03C 3/32

Метки: светозвукопроводов, стекло

Стекло для светозвукопроводов, включающее Sb, O, отличающееся тем, что, с целью повышения оптической стойкости в области 480-515 нм, оно дополнительно содержит Cl при следующем соотношении компонентов, ат.%:Sb - 32-40О - 65-65Cl - 2-6

Номер патента: 1078811

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зубринов, Куценко, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/12, C03C 3/32

Метки: светозвукопровода, стекло

Стекло для светозвукопровода, включающее Ge, Pb, O, отличающееся тем, что, с целью снижения коэффициента поглощения ультразвука, оно дополнительно содержит Sb при следующем соотношении компонентов, ат.%:Ge - 2 - 30Pb - 2 - 40О - 52 - 66Sb - 2 - 36

Номер патента: 731696

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Куценко, Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/253, C03C 3/32

Метки: акустооптического, светозвукопровода, стекло

Стекло для акустооптического светозвукопровода, включающее германий, кислород, отличающееся тем, что, с целью увеличения акустооптической добротности и удешевления материала, оно дополнительно содержит свинец при следующем соотношении компонентов, ат.%:Германий - 20-22Кислород - 60-63Свинец - 15-20

Номер патента: 1187678

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Мезенцева, Семенов, Терещенко, Шелопут

МПК: H01S 3/10

Метки: акустооптических, лазеров, материал, мод, светозвукопровода, синхронизаторов

Применение стекла Si38Pb20K5O37 в качестве материала для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров.

Номер патента: 1187597

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зубринов, Семенов, Терещенко, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: акустооптических, добротности, лазеров, модуляторов, светозвукопроводов, стекло

Применение стекла 19SiO2oC4PbOoC4K2OoC3B2O3oC2BaOoCCaO в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров.

Номер патента: 1808455

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Ермолаев, Кононов, Шелопут

МПК: B21J 5/00

Метки: заготовок, центрирования

...поверхности будет отсутствовать.Толщина стенки втулки оказывает влияние на надежность центрирования заготрвок, Если толщина стенки больше 0,22 еевысоты, то увеличивается расход металла, если толщина втулки меньше 0,2, то затрудняется центрирование гтулки относительно коицеской поверхности нижней плиты, т.к. стенки втулки будут тонкими, Предварительные эксперименты по осадке цилиндрических заготовок различных типоразмеров показали, цто толщина стенки втулки, равная (0,2 - 0,22) ее высоты, оптималыа,На фиг.1 изображена втулка, продольный разрез, на фиг.2, 3 - схемы взаимного расположения заготовки, предлагаемого устройства и деформирующего инструмента в начале деформации (слева) и в процессе деформации (справа),Втулка состоит,...

Номер патента: 1563444

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Васильев, Гришмановский, Ольнев, Шелопут

МПК: G02F 1/33

Метки: акустооптическое, двухкоординатное, коммутационное

...вдоль горизонтлльноц координаты х(фиг, 1), Световые пучки, излучаемыеоптическии кацлллмиу,Ь д,ч коллцмируется стержневои грлдиентнои.линзой 2, засвечивают под углами Брэгга акустическу волцузвукопроводе 4, дифрлгнруют нл цей и отклоняяь элсвечивлт цоп углами Брэггавторую 8 стержневую градиентную линзу, которая осуществляет Фокусировку светл соответственно в оптические канали д 6уСветовые пучки, излучаемые оптическими каналами р, ", ;, д коллимируются второй 8 стержневой градиентной линзой, засвечивают под углами Брэгга акустическую волну, диффрагируя ца которой отклонянтся под углами Брэггл и засвечивают первук 2 стержневую градиентную линзу, которая фиксирует световье пучки каналов Ь у 6 и дсоответственно в...

Номер патента: 1078396

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Зубринов, Мастихин, Шелопут

МПК: G02F 1/33

Метки: излучения, когерентного, модуляции, оптического, расщепления

...модуляция дифрагированного пучка на величину, рав-ную частоте звукаНедостатком известного способаявляется то, что для увеличенияугла расщепления необходимо увеличивать чаетоту ультразвука, чтоприводит к увеличению разности частот между расщепленными пучками.Цель изобретения - увеличениеугла расщепления при сохранении тойже разности частот дифрагированныхпучков.Указанная цель достигается тем,что согласно способу расщепленияи модуляции когерентного оптичесого излучения, включающему операцию возбуждения в светоэвукопроводе бегущей ультразвуковой волны,распространяющейся под углом Брэгга к световому потоку, возбуждаютвторую бегущую ультразвуковую волну, направленную навстречу первойпод углом, равным сумме двух угловБрэгга, причем 014 62 ,...

Номер патента: 925887

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Зубринов, Куценко, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/30

Метки: звукопроводов, стекло

...Реакция вЭаимодействия между исходными комПонентами начинается уже при.температуре плавления ЯЬУз, что позволяет получать ис. ходную шихту путем длительного (около 340 ч) отжига механических смесей ингредиентов. Синтез проводят в платиновом тигле, в вакуумированном кварцевом реакторе. Для предотвращения воэгона исходных ингредиен" тов диссоциирующей в процессе плавки шихты применяют тепловой затвор - такой градиент температур, при котором температура пространства над расплавом на 100-120 С превьхаает температуру расплава. Это позволяет практически избежать потерь летучих компонентов в процессе получения стекла.П р и м е р. Стекло состава (5 Ьо0 р )1 (РЬвО о 5 ) в от ( ЯЬв в Хв Р 5 ) в в готОвят следующим образом. Тщательно перетертую...

Номер патента: 797379

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Морозов, Тищенко, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: монокристаллов, оптически, прозрачных, разориентировки

...устанавливают перед источником света 3. За кристаллом располагают систему из двух поло797379 2О ( Составитель В. Масленников Текред Л. Куклина оррект айн Коляд едак Изд104 Тираж 515 Подписное осударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, )К, Раушская наб д. 4/5 аказ 25/3 ПО По Тип, Харьк. фил. пред. Патент жительных линз 4 и 5, диафрагмы 6 н экрана 7,Кристалл,1 просвечивают параллельным пучком от источника света, диаметр которого больше поперечных размеров кристалла, Плоскости 8 и 9 кристалла, перпендикулярные направлению распространения света, предварительно должны быть отполированы.Через плоскость 10, разориентацию которой измеряют, возбуждают излучателем,З в кристалле ультразвуковой пучок, который...

Номер патента: 593349

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Авдиенко, Березина, Богданов, Мастихин, Сапожников, Шелопут

МПК: C30B 33/00

Метки: галогенидов, монокристаллов, растворов, таллия, твердых, термообработки

...при повышенной температуре. Отжиг кристаллов, содержащих 42 Т 0 Вг и 58 Те 1, проводится при 330 С на воздухе в течение 3-4 ч 11. Указанный способ преследует цель избавиться от термических напряжений, возникающих в кристаллах в процессе роста и обработки.Однако кристаллы твердых растворов галогенидов таллия, например кристаллы состава, ТССЕ ТЕ 1 (КРС-б) ТЕВг Т 11 (КРС) имеют еще и микронеоднородности, обусловленные Флуктуациями в процессе кристаллизации. Такие кристаллы нельзя использовать в качестве звукопроводов для акустооптических устройств, так как неоднородности приводят к,дополиительному механизму значительного затухания звука,(71) 3 Институт Физики полупроводников Сибирского отделенияЗаявительАН. СССРф 59 3349 Формула...

Номер патента: 625250

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Березина, Богданов, Мастихин, Рыбакова, Сапожников, Шелопут

МПК: H01B 1/02

Метки: акустического, материал, поглотителя

...материалу является материал для акустического поглотителя - медногвллиевые сплавы 21.Недостатком такого материала являются заранее обусловленные значения акустического импеданса, которые могут не совпадать с акустическим нмпедансом звукопровода, что приводит к отражению звуковой энергии, ухудшает рабочие .харакЦвпь изобретении - расширение интер вала значений акустического импвдансаи повышение акустического согласованиясо звукопроводом.Это достигается тем, что материалдля акустического поглотители, содержа щий галлий и медь, дополнительно содержит вольфрам при следующем соотношении компонентов, вес.%:Галл ий628280 10 К%5- 8 молибдат свинца фосфид галлия КЮ39 37 40: 38 24 26 65 32 16,8 16,8 Составитель А, Соловей Редактор Р. Пурнам...

Номер патента: 578272

Опубликовано: 30.10.1977

Авторы: Куценко, Сапожников, Туряница, Цитровский, Шелопут

МПК: C03C 3/12

Метки: звукопроводов, стекло

...с последующим отжигом полученных ооразцов.5 Например, стекло состава ЯОО,1, гото.вится следующим образом. Кварцевые ампулы травят азотной кислотой, промывают дистиллированной водой и прокаливают до1000 С. Навеску трехокиси сурьмы, сурьмы и1 О йода тщательно перетирают в агатовой ступке, помещают в ампулу и откачивают. Отжигшнхты проводят при 485 С в течение 30 и,после чего температура доводится до 700 С споследующей двухчасовой выдержкой. Для1;, получения гомогенных образцов используютвибрационный метод перемешиванпя расплава. Охлажденпе происходит в два этапа; первыл в потоке воздуха до 250 С, второй - пятичасовой отжиг при 100 С с целью снятия20 внутренних напряжений, и медленное остывацпс в режиме выключенной печи. В зависимости...

Номер патента: 565892

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Глушков, Коперлеус, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/12

Метки: стекло, халькогенидное

...2,4)х ЮО м/сек, козффициент поглощения ультразвука на частоте 100 Мгц 2,4 дбl мксек. Величина акустического затухания может быть существенно снижена за счет улучшения технологии получения стекла, однако и полученные материалы позволяют использовать пх в частотном диапазоне до 100 Мгц. качестве 3 опроводов акустоо ст ойств тических, содереспечениети спектракустоопти роз ого О то стекло допол 5 Ь лри слеаующевес.%: идног зобретени р мул 5 25 1 28,5 бе 19,5 5 Ь 27,0 нидного 2 45 3)13е 303 Ь 12 Халькогенид ЬЗ,отл что, с целью об видимой с обнас козфф 1 пента а оно дополнительстекло, аюш жащее ес я тем,зрачности вувеченияого качества,бе и 55 нри. еспече тн сле кустовно сод ия проктра игепеск(54) ХАЛЬКОГЕНИДН Изобретение относится к...

Номер патента: 486777

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Кидяров, Митницкий, Шелопут

МПК: B01J 17/04

Метки: выращиваниякристаллов, гексагональной, иодата, лития, модификации

...ных кристаллов гекса иодата лития диаметр рН раствора 2 - 2,5 ве скоростью 0,5 лл/сутк тся к способу выращита гексагональной моходят широкое примеонике, акустооптике и Через трп месяца получают 15 оптически однородных коисталлов со средним дпамет ром 25 лл и длиной 40 - 45 лл. Известен способ выращи иодата лития гексагональн из водных растворов путем и концентрационного переп этого способа является не цесса выращивания кристал вания кристаллов ой модификациитемпературного да, Недостатком табильность пролов. изобретенп 1 О Ф Способ лития гекса зованием м трационног тем, что, с статкчествлити едо ения этого о которому используют фикации, коющий теми рост криста 40 - 50 С. сталлизатор атравочных в к иодат процесса вьпрод кта инальной...

Номер патента: 546006

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Зубринов, Рыбакова, Шелопут

МПК: G10K 11/00

Метки: звукопоглотителей, материал

...применением меднэ-га ибирскогэ отделения АН СССР естве материала для зву пэглэтителеи.Медно-галлиевые сплавы готэвят прикомнатной температуре смешиванием расплавленного талли.-,Г,п- 29,9 С) или низкэплавкогэ гал; пс" эг;. сплава с порэшком меди, При этом медь образует с галлием бинарную диаграмму состэяния с широкой областью растворимости, Полученная 10 смесь пастообразного вида сохраняется некоторое время при комнатной температуре в твердо-жидком состоянии, а затем затвердевает, образуя сплав, температура плавления которого значительно выше темпера туры плавления галлия.Использование галлиевых сплавов длязвукопоглотителей основывается как на известных свойствах (хэрошая адгезия к различным материалам, возможность нанесе ния смеси...

Номер патента: 544475

Опубликовано: 30.01.1977

Автор: Шелопут

МПК: B06B 1/00

Метки: акустических, звукопровода, материал, устройств

...определяются с одной стороны частотной характеристикой ультразвукового преобразователя, а с другой - акустическим затуханием в материале звукопровода. Спектральное пропусказие материала звукопровода определяет рабочий диапазон длин волн.Однако известные материалы обладают большим акустическим затуханием и невысоде п - показатель преломления;Р - фотоупругая постоянная;р - плотность;о - скорость ультразвука. кой акустической добро высоких управляющих э лов.Целью изобретения я высокой эффективности а ройства прп невысоких у и расширение частотног боты,Поставленная цель до качестве материала для тооптпческих устройства когенидное стекло бе 45 Ь Спектр пропускания халькогенидного стекла 15 йе 4 ЯМе 14 Те 1 - 12,5 мкм, Акустическая...

Номер патента: 439044

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Богданов, Шелопут

МПК: H01V 7/00

Метки: отклонением, пучка, светового

...Его недостатком является малый угол отклонения.Цель изобретения состоит в увеличении угла отклонения.Эта цель достигается тем, что звукопровод помещен между двумя электродами, подключенными к источнику постоянного напряжения.Дополнительный ввод постоянного электрического поля позволяет получить двулучепреломление за счет использования аномальной Брэгговской дифр акци и.Изобретение поясняется чертежом.Устройство содержит ультразвуковой преобразователь 1, звукопровод 2 и поглотитель 3. Звукопровод помещен между двумя электродами 4 и 5, подключенными к источнику постоянного напряжения.При работе устройства преобразователь 1возбуждает в звукопроводе 2 ультразвуковые 5 колсбания.Постоянное электрическое лоле, образованное электродами 4 и...

Номер патента: 370572

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бадиков, Вители, Годовиков, Зубриков, Федорова, Шелопут

МПК: G03C 3/00

Метки: стекло, халькогенидное

...ограничивает частотные характеристики устройств, Эффективность таких устройств обычно оценивают по так называемому коэффициенту качества фотоупругого материала, используемого для изготовления звукопровода:л= ", рцЗгде и - показатель преломления;Р - фотоупругая постоянная;р - плотность;о - скорость ультразвука.Спектральное пропускание материала звукопровода определяет рабочий диапазон длин волн используемых лазеров. Частотные характеристики устройства определяются, с одной стороны, частотной характеристикой ультраредмет изоб ени основе мышьяка то, с целью уменьего состав введеы взяты в следу- : мышьяк - 25 - ь - 25 - 65%,явители Институт физики пол и Институт геологиизвукового преобразователя, а с другой, - акустическим...

Номер патента: 402394

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зубринов, Изобретени, Шелопут

МПК: B06B 1/00

Метки: акустооптических, звукопровод, устройств

...спектром пропуск КУСТООПТИ 11 ЕСКИХ УСТРОЙСТ 2ГеО - 0,35-, О,О ялядля РЬ.ЧОО - 0,39-;-5,6 лк 11), что исключает возможность создания устройств, работающих в инфракрасной области спектра за краем пропуска нпя.Целью изобретения является расширениеспектрального пропускания акустооптических устройств без снижения эффективности.Это достигается тем, что в качестве матеи риала для звукопровода в акустооптпческомустройстве применен теллурид цинка (2 пТе).Спектр пропускания теллурида цинка0,6 - 50 лкл, что позволяет создавать устройства управления излучением оптических кван 1 л тонах генераторов, работающих в важной для1 рактики инфракрасной области спектра, лазеров на СО 2 с длиной волны 10,6 мк 11.Коэффициент качества теллурида цинка 1540 раз...

Номер патента: 347887

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Сапожников, Шелопут

МПК: H03H 7/30

Метки: задержки, линия, ультразвуковая

...ниобата лития, и выполнив звукопровод в виде многогранника, вписываемого в эллипс, значительно расширить полосу частот (до 100 - :200 мгт 1) в ультразвуковых линиях задержки на большие времена (100 - : - : 1000 мксек), уменьшая при этом уровень вносимых потерь до 45 - :50 дб. мет изобрет Ультразвуковая из корпуса-держ ненного из монок многогранника, о 25 лью расширения п надежности, звук кристалла лейкос ка, вписываемого, что, с цеповышения н из моно- ногограннилиния з теля, зв ристалла личающ олосы ч провод апфира В эллипс. адержки укопрово и имеющ аяся тем астоты и выполнев виде м Изобретение может стемах обработки ин ной техники. Известна ультразв в которой в качестве используется плавлен Цель изобре 1 ения стот и повышение над...

Номер патента: 340061

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Богданов, Мастихин, Шелопут

МПК: H03H 7/30

Метки: библиотека, пдтентш-технйея

...активной системы ох лаждения и обеспечения параметров линии задержки в предлагаемом устройстве между пластинами из сульфида кадмия, имеющих большие, по сравнению с толщиной, линейные размеры, вставлены и присоединены к ним 2 посредством теплолроводящей, акустической связи алюминиевые радиаторы,Радиаторы предоставляют собой алюминиевые диски (алюминий обладает высокими теплоемкостью и теплопроводностью и имеет на сдвиговых волнах акустический пмпеданс, близкий к акустическому импедансу сульфпда кадмия и плавленого кварца), торцовые поверхности которых плоскопараллельны и обработаны по 14 классу чистоты. Образцы сульфида кадмия и радиаторы соединены фольгой толщиной 0,5 лкм, полученной пз тройной звтектики.Ультразвуковая сдвиговая...

Номер патента: 321296

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аложнтгк, Зандин, Изобретеви, Шелопут

МПК: B28B 1/08

Метки: 321296

...на основе обедненного слоя, При этом монокристаллы отжигают в расплаве серы при повышенном давлении и затем очищают пластины сульфида кадмия от осаждений серы.Для улучшения основных параметров моно- кристаллов и упрощения процесса их обработки предлагается способ, по которому низкоомный монокристалл сульфида кадмия отжигают в обычной атмосфере без применения специальных диффузантов. При этом ультразвуковые преобразователи, изготовленные на кристаллах сульфида кадмия, обработанных описываемым способом, обладают более стабильными во времени характеристиками,Способ осуществляется следующим образом: пластинку сульфида кадмия, предварии электроники АН СССР в Сибирского отделения АН СС тельно ориентированную и механически...

Номер патента: 211899

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зандин, Мастихин, Шелопут

МПК: B06B 1/06

Метки: кристаллов, преобразователей, ультразвуковых

...от того, для какого типа волн создается преобразователь, продольных или поперечных, в вакууме 10 -мм рт, ст. испарением наносится слой меди, После 1 .этого образец прогревается в вакууме 10-емм рт. ст. до + 400 С в течение 2 - 20 мин с целью проведения диффузии меди в низкоомный кристалл. Легированный медью слой сульфида кадмия обладает высоким сопротивлением и является активным пьезоэлеприческим слоем.Известный способ обладает рядом недостатков: низкой температурной стабильностью основных параметров полученных преобразова телей из-за возможности дальнейшей диффузии меди, что ограничивает использование подобных преобразователей в различных уст. ройствах, например ультразвуковых линиях задержки, и сложно тью технологии ввиду наличия...