321296
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 321296
Авторы: Аложнтгк, Зандин, Изобретеви, Шелопут
Текст
9 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских оциалистически Республикот авт, свидетельства1,11.1969 ( 1311512/18-10) мое 1/О влен присоединением заявкириоритет Номитет по делам зобретений и открыти при Совете Министров СССР(088 Дата опубликования описания 15.11,1972 Авторыизобретения в, В. К. Зандин, Д. В. Шелопут, В. К; Сапбжйййов А. Д. Гингис и А. И, Морозов Бо радиотехникполупроводни Инстит и Институт физикявители СПОСОБ ОБРАБОТКИ НИЗКООМНОГО МОНОКРИСТАЛЛА СУЛЬфИДА КАДМИЯ ДЛЯ УЛЬТРАЗВУКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯИзобретение может найти широкое применение в области приборостроения, средств автоматизации и систем управления и различных отраслях ультразвуковой техники,Известен способ обработки низкоомного монокристалла сульфида кадмия для ультразвукового преобразователя на основе обедненного слоя, При этом монокристаллы отжигают в расплаве серы при повышенном давлении и затем очищают пластины сульфида кадмия от осаждений серы.Для улучшения основных параметров моно- кристаллов и упрощения процесса их обработки предлагается способ, по которому низкоомный монокристалл сульфида кадмия отжигают в обычной атмосфере без применения специальных диффузантов. При этом ультразвуковые преобразователи, изготовленные на кристаллах сульфида кадмия, обработанных описываемым способом, обладают более стабильными во времени характеристиками,Способ осуществляется следующим образом: пластинку сульфида кадмия, предварии электроники АН СССР в Сибирского отделения АН СС тельно ориентированную и механически обработанную, помещают в открытую печь, где отжигают в обычной атмосфере без применения специальных диффузантов при 500 - 5 б 00 С в течение 1 - 20 яин в зависимости оттребуемой основной частоты преобразователя.Для создания ультразвукого преобразователя на обработанную таким образом поверхность сульфида кадмия наносят слой контакт ного материала, желательно серебра, Приэтом на контакте металл - полупроводник образуется обедненный посптслямп заряда запорный слой.Предмет изобретенияСпособ обработки низкоомного монокристалла сульфида кадмия для ультразвукового преобразователя на основе обедненного слоя путем его отжига, отличаюшийся тем, что, с 20 целью улучшения основных параметров монокристалла и упрощения процесса его обработки, монокрнсталл сульфида кадмия отжигают в обычной атмосфере.
СмотретьЗаявка
1311512
иИнститут радиотехники, электроники СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделени СССР
изобретеви С. В. Богданов, В. К. Зандин, Д. В. Шелопут, В. К. аложНТГК
МПК / Метки
МПК: B28B 1/08
Метки: 321296
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-321296-321296.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">321296</a>
Предыдущий патент: Устройство для распыления жидкости
Следующий патент: 321297
Случайный патент: Устройство для размола бумажной лассы