Панасюк

Номер патента: 820883

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Братухин, Кулак, Максимчук, Панасюк, Семикина, Сорочинский, Хлопкова, Чакар, Ярыгина

МПК: B02C 9/04

Метки: мукииз, производства, пшеницы, сортовой

...триерах от посторонних примесей,отбирается из него мелкая фракцияи подвергается трехкратному увлаж.нению с доведением общего увлажнениядо 16,8-17,0 при отволаживании втечение 8-10 ч (при стекловидностизерна 50-55), При этом оболочки зерна увлажняются более эндосперма.Подготовленное таким образом зерноподается на первую драную систему,на .которую устанавливается удельнаянагрузка 700-750 кг/см сут и извлечение продуктов - 32-35. Дранойпроцесс ведется на трех драных крупообразующих и двух вымольных драныхсистемах. Всего с этих систем извлекается 62-63 крупок и дунстов и15-16 муки. Затем промежуточныепродукты подвергаются тщательномуситовому рассортированию на рассевах с выделением преимущественномелких крупок и дунстов с...

Номер патента: 817179

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Кушнир, Лысенко, Панасюк, Хомайко

МПК: E04G 21/06

Метки: бетонных, желе-зобетонных, илиломаной, криволинейной, поверхностью

...г. Ужгород, ул. Проектная, 4 уплотнения вакуумируют с давлением в вакуум-полости 20 - 22 кПа до отбора 12 - 15 жидкой составляющей, после чего производят погиб вакуум. опалубки с Формуемым изделием до п лучения заданной конФигурации, продолжая вскуумирование до достижения Изделием распалубочной прочности.Для обеспечения нормального перераспределения смеси-массы беэ разрывов и трещин давление в вакуум-полости при погибе повышают до 50 55 кна.Для предотвращения сползания смеси-массы на наклонных и вертикальных участках в процессе погиба и после него, а также для повышения стабилизации атмосферного пригруза за счет разности атмосферного и давления в вакуум-полости открытую повеохность иэделия перед вакуумированием укрывают эластичной...

Номер патента: 519066

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Овчаров, Панасюк, Панкратов, Самошенков

МПК: H05H 1/00

Метки: ионов, источник

...а размеры полюсов магнита больше или равны расстояни 1 о между ка:. - дом и анодом.5На фиг. 1 дана схема конструкции ис оц.ника; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. .Источник ионов содержит катод 1, выполненный в виде плоской сетки, удерживаемой катодными держателями 2 и рас положенной между анодом 3, изоляторами 4, о 5 и извлекающим электродом 6. Системаэлектродов помещена между пол юсным; наконечниками 7 магнита.Источник работает следующим об)таз,;.По катоду 1 через катодные держатсли 2пропускается электрический ток. который разогревает катод до рабочей температуры.В зазоре между полюсными наконсцниками 7 создается магнитное поле. На анод 3 подается положительный потенциал относительно катода 1 и катодных держателей 2 Электроны,...

Номер патента: 815895

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Панасюк, Самошенков, Симановский, Спектор

МПК: H03K 7/02

Метки: высоковольтный, импульсный, модулятор

...и достигает максимума; при этом протекает процесс резонансного заряда и формирующая линия 7 заряжается до положительного наПряжения, примерно равного удвоенной величине амплитудного значения напряжения сети. После окончания заряда зарядивй тиристор 9 автоматически выключается. Длительность процесса заряда выбирае-ся много меньшей, чем период питаюшей сети (т. е. порядка 2 мсек). Процесс заряда линии формирующей 8 происходит аналогич но, с той лишь разницей, что зарядный тиристор 1 О включается в момент, когда напряжение сети отрицательно и достигает максимума (по модулю), и линия формируюгцая 8 заряжается до отрицательного напряжения, равного по величине напряжению заряда формирующей линии 7.После того, как проходит процесс заряда...

Номер патента: 811007

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Науменко, Панасюк

МПК: F16D 11/02

Метки: однооборотноймуфтой

...из параллельно соединенных замыкающих контактов пускового элемента 28 и магнитного пускателя 29.К пусковоп цепочке также подкл 1 очено промежуточное реле 27, в цепь питания которого введен размыкающий контакт датчика исходного положения 21, шупти. руемый замыкающим контактом 30 промежуточного реле 27.Устройство работает следующим образом, При нажатии на пусковой элемент 28 включается магнитный пускатсль 25, который своим замыкающим контактом 29 самоблокируется, а контактами 23 и 24 включает электромагнит 20. Элсктром агнит тянет рычаг 15 и выводит его из-подвыступа 14, освобождая тем самыч коро.мысло 13, Усилие пружины 9 через двуплечий рычаг 7 передается па стопорный ролик коромысла 10. Коромысло опускается, освобождая двуплечий...

Номер патента: 810651

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Казаков, Кислый, Криворучко, Панасюк

МПК: C04B 35/584

Метки: матери-ала, огнеупор-ного, шихта, электроизоляционного

...является шихта для изготовления огнеупорного электроизоляционного материала, содержащая нитриды кремния и алюминия и алюминия с добавкой ) 10% 25 Ч 20 з (2). Материал, изготовленный из данной шихты, обладает недостаточно высокой прочностью.Целью данного изобретения является повышение механической прочности шихты. ЗО Для достижения указанной цели шихта для изготовления огнеупорного электроизоляционного материала, содержащая нитриды кремния и алюминия и оксид иттрия, содержит указанные компоненты в следующих соотношениях, мол. %:Нитрид алюминия 3 - 22,5 Оксид иттрия 1,5 - 7,0 Нитрид кремния ОстальноеДля получения материала было подготовлено 3 смеси со следующим содержанием компонентов (в мол. %):ЗА 1 И - 95,5 Я, Х 4 - 1,5 Ч,О,; Из...

Номер патента: 805359

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Кузьменко, Панасюк

МПК: G06G 7/60

Метки: активности, моделированияритмов, ферментативной

...и характеристик блоков 5 и 6 задержек. Эти величины задаются в каждом эксперименте в зависимости от 4исходных данных, которые вводятся вустройство для аналогового моделирования изучаемого процесса. Отрицательные обратные связи с. выхода каждой модели нейрона на тормозной входпрепыдущей модели эквивалентны обратным связям в действительных ферментативных процессах. При этом каждая пара моделей нейронов(например3 и 3 ; 3 и 3) моделируют ритмколичественных изменений в соответ- . Оствующих парах субстрат (предшественник) - фермент и Фермент-субстрат(продукт),Аналогично процесс происходитдалее по цепи включенных в блок 1моделей нейронов до последней в цепимодели нейрона 3, моделирующегоконечный продукт ферментативного процесса, удаление из...

Номер патента: 804719

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Ишимов, Панасюк

МПК: C23C 13/12

Метки: длинномерные, нанесения, подложки, покрытийна

...привода. При вращении валадозатора лунки проходят под отверстиями в бункере и налолняются веществом. Дальнейшее вращение вала дозатора приводит к попаданию вещества ,б 5 в желоба, по которым Оно направляется в испарители. Период поступления вещества в каждый отдельно взятый испаритель задается периодом вращения вала дозатора и устанавливается таким образом, что к моменту поступления порции вещества предыдущая полностью испаряется. В момент поступления порции вещества в испаритель экран-заслонка находится в исходном положении и прерывает молекулярный поток на пути из испарителя к подложке. Через время , соответствующее началу испарения необходимых фракций, вал привода занимает положение, при котором край выступающего сектора...

Номер патента: 802499

Опубликовано: 07.02.1981

Авторы: Бочкарев, Мут, Панасюк

МПК: E21B 7/24

Метки: вибробур

...состоит из рабочего органа,включающего головку 1, корпус 2, коронку 3 и вибрационный механизм, который представляет собой укрепление в корпусе 2 креплением 4 подводящий 5 и отводящий 6 трубопроводы, объединенные эластичной связью 7. Эластичная связь 7, выполненная в виде патрубка, снабжена, например, пережимным приспособлением из винта 8, стопорной гайкой 9, пружиной 10 зажимом 11 и пережимной стойкой 12. Трубопроводы 5 и 6 соединены с системой питания соответственно шлангами 13 и 14, Корпус 2 в верхней части имеет перегородку 15 с трубой 16.Поверхность рабочего органа выполнена с802499 формула изобретения 12 Составитель Л. Черепенкина Техред А. Бойкас Корр Тираж 638 Под Государственного комитета Села м изобретений и открытийсква, Ж -...

Номер патента: 798922

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Панасюк, Пасечник, Пелевин, Суринов

МПК: G06K 19/02

Метки: информации, носитель

...10062 72 писнР д, 4/ Филиал ППП .Патент, г. ужгород, ул. Проектная,В качестве монокристаллического полупроводника берут пластину фото чувствительного полупроводникового материала, например арсенида галлия толщиной около 0,5 мм. На одной стороне этой пластины создают тонкий слой аморфного арсенида галлия толщиной 0,1 - 1,0 мкм одним из известных способов, например ионной имплантацией.В качестве полупроводникового слоя может быть такяе использован. любой фоточувствительный полупроводник, например кремний, германий, фосфид галлия и индия и др.Для записи оптической информации на поверхность носителя наносят рав-, 1 Ъ номерный электрический заряд пои одновременном экспонировании изобраяения, Фотопроводимость полупроводни-, кового материала...

Номер патента: 798197

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Панасюк, Трофименко

МПК: C25D 17/16

Метки: мелких, электрохимическойобработки

...26, а также выполненной с возможностью свободного перемещения ее в горизонтальной плоскости по направляющим 27, закрепленных в корпусе электрониши 28, герметически закрытой с помощью крышки 29 и резиновой прокладки 30, Для обеспечения необходимого контактного давления между токоподводящей промежуточной шиной 24 и токоприемными элементами 22 и 23 ступица барабана снабжена переходной упорной муфтой 31 .с возможностью регулирования и ограничения расстояния между токоприемными элементами 22 и 23, каждый из которых содержит пружинную шайбу 32,закрепленную, например винтами,между диском 33 и фланцем 34 с центральным реэьбовым отверстием длясоединения его со ступицей 16барабана 1. Причем в пружинных шайбах32 в верхней части выдавлены...

Номер патента: 796720

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Зазуляк, Ковчик, Панасюк, Пронив, Чапля

МПК: G01N 3/32

Метки: испы-таний, надрезом, образцов, усталостных

...кл,601 Й 3/32, 1978 (прототип). 3 7967 на фиг. 3 - узел крепления, разрез А-А на фиг. 2.Устройство содержит станину 1 и установленные на станине 1 центра 2 и 3, привод 4 вращения образцов в центрах 2 и 3, стаканы 5 и 6 с. центровочными отверстиями 7 и 8 в их днищах, взаимодействующими с центрами 2 и 3 нагружающие кольца 9 и 10, связанные с соответствующими стаканами 5 и 6, механизм 11 нагруже 16 ния, связанный с кольцами 9 и 10, и узлы 12 крепления концов образна. Каж дый узел 12 выполнен в виде цилиндра 13, на поверхности которого выполнены равноотстоящие друг от друга пазы 14 дляИ крепления в них концов образца, установленного коаксиально цилиндру 13 кольца 15, винтов 16, одни концы которых жест ко связаны . с цилиндром 13, а другие -...

Номер патента: 785151

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Матрухович, Панасюк

МПК: B65G 47/34

Метки: грузов, конвейера, сталкивания, штучных

...кнопки 18. Последовательно т ним подключен размыкающий контакт датчика 10 рабочего положенияплужка, параллельно которому подклю чен замыкающий контакт весового датчика 15, а параллельно пусковой цепочке подключен размыкающий контактдатчика 9 исходного положения. Оперативная кнопка 18 и лампа 17 запросаизделия на рабочую позицию расположены на диспетчерском пульте (иа чертеже не показан).Для транспортировки штучных иэде-,лий на приемнике площадки рабочих позицийиспользуются коробки 19Устройство работает следующимобразом.В исхоцйом положении плужок 3 накаждбй рабочей позиции расположенвдоль лентМ конвейера 13 и зафиксирован благодарятому, что впадина 12,распойоженная на торце кривошипа 5,совмещена с соответствующей бобышкой11...

Номер патента: 777550

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Зазуляк, Ковчик, Панасюк, Чапля

МПК: G01N 3/32

Метки: испытания, образцов, усталость

...колец 5 и 6, причем с наружной стороны днищ 10 стаканов 8 и 9 выполнены центровочные отверстия 11, два захвата, каждый из которых выполнен в виде установленных в соответствующем нагружающем кольце четырех цилиндрических сегментов 12, 13, 14 и 15, плоские поверхности 16 которых выполнены под угломк оси нагружающего кольца 5, четырехклиньев 17, 18, 19 и 20, одна из поверхностей 21 которых взаимодействует с плоскойповерхностью 16 сегментов 12, 13, 14 и 15, 5прокладок 22 и 23 и гайки 24, взаимодействующей со вторым торцом соответствующего кольца и с клиньями.Устройство работает следующим образом.Образец 25 помещают в нагружающие 1 окольца 5 и 6 между клиньями 17, 18, 19 и20, прокладками 22 и 23, сегментами 12, 13,14 и 15 таким образом, чтобы...

Номер патента: 777539

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Андрейков, Ковчик, Панасюк, Харин, Чапля

МПК: G01N 1/28, G01N 3/20

Метки: интенсивности, коэффициента, напряжений, образец

...на фиг. 2 - то же, вид сверху.Образец выполнен в виде пластины 1 с разрезом 2 по большей оси симметрии пластины 1 параллельных оси разреза 2, ребер 3 и 4 жесткости, выполненных в виде идентичных балок равного сопротивления изгибу. Ребра 3 и 4 жесткости могут быть закреплены на пластине 1 известным способом (пайкой, сваркой и т. д,).Для испытания образец закрепляют конльно и нагружают силой Р (изгибающим а ментом), лежащей в плоскости, проходящей через плоскость пластины 1, и приложенной к ее свободному концу. При этом разрез 2 лежит на нейтральной оси образца. При изгибе образца в вершинах разреза 1 действуют касательные напряжения, которые вызывают продвижение трещины. Ребра 3 и 4 жесткости воспринимают нормальные изгибные...

Номер патента: 773792

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Бойко, Панасюк

МПК: H01L 21/203

Метки: варизонных, гетеростуктур, полупроводниковых

...воздействием на область перекрытия молекулярных потоков и достигают изменением одного из параметров: геометрияиспарители-подложка, скорость конденсации испаряемых материалов, скоростьдвижения подложки.Предлагаемый способ полученияполупроводниковых варизонных гетероструктур иллюстрируется примерами.П р и м е р 1. Получение полупроводниковых гетероструктур, образованных материалами А 5 е 9 и Аь 5,:Исходные материалы загружают вразличные испарители, разогретыедо 390 С и 370 ОС соответственно, которые обусловливают определеннуюскорость испарения. Испаряемый материал конденсируется на движущуюсяподложку. Расстояние между испарителями устанавливают равным 5 см, аиспарителей до подложки - 2 см. Привыбранной геометрии расположения искорости...

Номер патента: 475093

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Данилюк, Лыско, Панасюк, Прилепов

МПК: H01L 7/64

Метки: вакуумного, напыления, слоев

...исходного вещества меняется теплоемкость испарителя и, следовательно, скорость испарения.Цель изобретения - получение про - . тяженных однородных слоев с постоянными электрофизическими свойствами.Это достигается тем, что подачу испаряемого вещества ведут порциями со временем загрузки в 10-15 раз меньшим, чем время испарения этой порции, при температуре, близкой к емпературе испарения, при этом максимальный период цикла загрузки определяют временем прохождения движущегося участка подложки в зоне конденсации, и количество испаряемого материала в 10-15 раз меньше массы испарителя, а напыление осу 3 47 суммарному потоку частиц из всех-испаритепей, В действительности суммарный поток испаряемых частиц будет создаваться . (у)...

Номер патента: 402324

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Панасюк, Прилепов

МПК: H01L 7/68

Метки: вакуумного, напыления

...24 фполняет ее. При дальнейшем решении вала дозетора ограничитель бункера выравнивает поверхность вещества в лунке, которое затем через подвижный желоб равномерно рассыпается по поверхности соответствующего испарителя. Скорость вращения вала дозатора и скорость испарения вещества подбираются такими, чтобы к моменту поступления новой дозы вещества в испаритель в последнем практическиФ все вещество испарилось. За счет последовательности и цикличности работы системы дозатор - испарители уменьшение испаряемой поверхности вещества в одном из испарителей компенсируется добавкой вещества в другой испаритель, так что суммарная поверхность испарения остается постоянной. Установка для вакуумного напьщечия состоит из бункера 1 с испаряемым...

Номер патента: 765565

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Панасюк, Рассказов

МПК: F16G 11/12

Метки: зажим, каната

...10 - 1. Планки 6 - 7 дополнительно соединены цилиндрическим прижимом 12. Пластина корпуса 1 соединена с пластикой 2 с воэможностью поворота иа оси 4 и фиксируется. гайками 13 на хвостовнках 4, 15 осей 335. Пластина 1 выполнена по концам с зткрытыми пазами 16 - 17, в которые прн фиксации входят осн 3 н 5. Замок снабжен проушиной 18 для подвешивания. Прн подь еме груза ветвь каната 19 перемещается по роликам 10 - 1. При прекращении подъема груза до какой-то высоты достаточно снять ф нагрузку с ветви 20 каната, прн этом ветвь 19 каната, под действием груза воздействуя на ролик 10, поворачивает планки 6 н 7 на оси 4, прижимом 12 н роликом 11 участок 21 каната прижнмается к осн 5 огибая ее, и за счет трения в этом месте происходит...

Номер патента: 751692

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Панасюк, Симутин

МПК: B61L 17/00

Метки: занятости, стрелок

...реле 7 к соедццеццым между собой рельсовым нитям стрелочно-путевого участ ка 2. Путевые участки 3 соединены через Ю. Г, Симутиц и Р, В. Панасюк Уральское отделение Всесоюзного ордена Трудового амеци научно-исследовательского института железтранспортаГ собственные путевые траисиормагорц 9 с третьим выходом с источцика 8, имеюя иапряжецие, равное иолоьшс полного пдиряжеии 5 ипдиия С//2. Пор)док :одк,п 01 спия зои может быть выбраи в люкй другой последовательности. Первый цход г источника 8 подключается через копгкт 10 Ре,с 7 зди 5 тости ст 1)с,10 спО-пУгсвго сСтКа К ВХОДУ ГОРОЧИОй ДВТОМсИсССКО Кптрдлизации 1 1.Работа устройствд происходг с, сдуошим Ооразом.При перекрытии изолируюпих стыков участков 1 и 2 (с. фиг. 2) двикпи)С 51 вдОиом 5...

Номер патента: 748926

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Акимов, Овчаров, Панасюк, Романовский, Степанов

МПК: H05G 1/10

Метки: генератор, рентгеновский

...нестойкие к ионной бомбарлировке, но позволяющие получить большую электронную эмиссию. При работе устройства в обмотках 5 и 6 резонансного трансформатора, а также на поверхности анола 8 выделяется мощность, которая отводится в окружающее фЭ пространство с помощью системы охлаждения. По замкнутому жидкостному контуру системы охлаждения циркулирует жидкий диэлектрик, который прокачивается центробежным насосом 12 через ралиатор 14, тело повышающей обмотки 5, анод 8 и диэлектрическую трубку 16. Тепло, переда нное жидким диэлектриком радиатору 14, отводится от него воздушным потоком, создаваемым вентилятором 13. Центробежный насос 12 и вентилятор 13 приводятся в лейсти вие электроприводом 5. Направления лвижения электронов, жидкого...

Номер патента: 747752

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Батырев, Богданов, Глазер, Добров, Мироненко, Негруцкий, Панасюк

МПК: B60P 3/06

Метки: груза, колесного, перевозки, средство, транспортное

...(1)5 г. Фразрез ) - э д фцг, 3.Трзцснртос срслст: ( лля ц(.ргчз эзкц кОлесеОГО гэгзс 3 1 состоит и:5 цлдтфоэы 2 На КОТОРОЙ ЗЗК(ЭСПЛСЬ Цдц);1 ЗЛ 5 Ю 3 ИЕ Г Д,1 Я КО 1 С( ПС 1 СВО.ЗИ МОГО ГРЧ:Зс 1 В 1 ЦДС УЗКОКОЭСЙИОГО пути и (1 икс)(ээл 1 с механизмы ., со. держе)Не бзЗкн 5, (1 ИОз Тецейс(. 1 зд кз)кДой ЦЗ НИХ С ВОЗМОЖ ПОСТО НОВОЭОТЗ В ВЕРТИКсЗЛЬЕЗй,7(СКОСТИ ПРОУШИНЫ ПлатфОР- мы 6, связдц 1 ыс Г,Зцкои с:1(.о(,е дезе ар 1 сос 111 х (зтЕзсСГ 3, (дц 1 цз ксзт(зрых СЛУЖДт ЛЛН фцисаЕИП ЦРОУЦПЦ 1:.Лсгт(1)(1)ХЕЬ ( Отцосцтельо ОсЗлкц 1 ц(ср(дстзом полых Встдцых ;льс 8 им(ОН 3 х рздидльцо ЗЗКРСПЛ(ГНЦЕ Ц(РИ .) ДЭ 5 )Зс 1 ИМОЛ(ЙСТВЦ 53 с 7-06 Рсдз 3 л 3 УГЗОРи 1 О, зс 33 Репле 13 ыми а р(сцц а х 3 лзт 101 " Бь 11 О ши ни 1 1, зсЗК1.с 11 ыс 13 псР(.В...

Номер патента: 745490

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Панасюк, Рыбалтовский, Солодкин

МПК: A43D 7/06

Метки: перфорации, пресс, тиснения, электрогидравлический

...регулирования температуры имеет соответствующие нагреватвльйые элементы 32-37 и датчики 38, 39 температуры, которые через Г-образные пластины 40, щеточные токо- проводы 41 и гибкие провода 42 соединены с подпружиненными и сдублированными мвднографитовыми щетками 43 - соответствующих токосъемников 44 - 53. Последние расположены на противоположных торцовых частях и взаимодействуют с токоподводящими средствами зоны 54 тиснения и Эоны 55 заправки,5 74 содержащими токоподводящие шины , 56-65.функциональная схема пресса содер. жит блок 66 управления приводом исполнительных механизмов, пусковые кнопки 67, 68, источники 69, 70 питания, блоки 71, 72 автоматического регулирования температуры, Входы блоков регулирования температуры подключены к...

Номер патента: 734146

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Абаджян, Арзамасцев, Вербицкий, Гаврилко, Караханьян, Кузнецов, Лазарев, Панасюк, Попов, Рыжков, Сафронов, Сизова, Шапошников

МПК: C03B 1/00

Метки: кварцевого, наплава, приготовления, стекла, шихты

...образованием мелких частиц кристаллического 810 . Через 0,5-1,0 ч температуру с той же скоростью повышают до первоначальной. При этом наиболее мелкие кристаллики и частицы кремнезема как имеющие наибольшую (энергетически) поверхность. растворяются быстрее, и раствор вновь становится насыщенным, При последующем снижении температуры наблюдается осаждение кремнезема на оставшиеся крупные частицы, которые не растворяются полностью и служат затравочными центрами для осаждения растворенного кремнезема, т.е. идет процесс кристаллизации на затравках и частичное образование спонтанных кристалликов, Указанный прием повторяют несколько раз в зависимости от требуемого размера частиц продукта.Интервал величин снижения и повышения температуры (20-100...

Номер патента: 726149

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Боговина, Богоявленская, Васильева, Журавель, Мажаровская, Мальцев, Новак, Панасюк, Третьякова

МПК: C09K 13/06

Метки: нержавеющей, раствор, сплавов, стали, травления

...25 ид й 50 .Для лучения окалины образцы подвергают термообработке в электропечи при 1100 Стечение 10 мин, после" чего охлаждают на воздухе.Иэ приведенныхвидно, что растворботоспособен тольрастворе 5 г/л Ре. стравливания окалчего на поверхношлам, являющийсяком понижения рара, При травлении(предлагаемые) раворов сохр аняетсяРе (1 п ) и времени20 мин. Корректкотор ая необходимболее 5 г/л Ге (1равданному расхо в таблице результатов1 (известный ) р а 4 ко до накопления в( В ), при времени ины 20-30 мин, после сти образца образуетсякачественным признаботоспособности р аствов растворах йй 2-4 ботоспособность растдо накопления 8-10 г/лстравливания окалины ировка раствора1,ри накопленииприводит к неопду плавиковой кислоты. В воде при...

Номер патента: 717202

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Вакулина, Ильина, Лисенкина, Матвеев, Панасюк, Хлестова

МПК: D21H 1/40

Метки: бумага, термоиндикаторная

...вес,% бутилацетата. Толщина термочувствительного слоя составляет 1 0 мкм.После полного высыхания термочувствительный слой покрывают прозрачной фторолоновой пленкой,П р и м е р 3, Термоиндикаторнуюобумагу на 270 С готовят следующим образом, Графитированную бумагу-основупокрывают высокодисперсной термочувствительной суспензией, состоящей из15,97 вес,% калия азотнокислого,16,25 вес,% стронция азотнокислого,4 вес,% полибутилметакрилата и73,78 вес,% бутилацетата, Толщина термочувствительного слоя составляет 15 мкм. После полного высыхания термочувствительный слой покрывают прозрачной фтораоповой пленкой,П р и м е р 4, Термоиндикаторнуюбумагу на 300 С готовят следующим образом. Графитированную бумагу-основупокрывают высокодисперсной...

Номер патента: 717201

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Вакулина, Ильина, Лисенкина, Матвеев, Панасюк, Хлестова

МПК: D21H 1/40

Метки: бумага, термоиндикаторная

...весЯ этилового спирта, После высыхания толщина покрытия составляет 11 мкмНа покрытие наносят слой фторолона,П р и м е р 3, Термоиндикаторнуюбумагу на 35 С готовят следующим обраозом; бумагу-основу покрывают термочувствительной суспензией, состоящей из8,40. весЯ метилового эфира стеариновой50кислоты, 0,1 весЯ бромэтилового синего,12,50 весЯ фенолформальдегидной смолы,совмещенной с поливинилбутиралем, и79 вес,% этилового спиртПосле высыханияф 55толщина:покрытия составляет 12 мкмНапокрытие наносят слой фгоролона,П р и м е р 4. Термоиндйкаторнуюбумагу на 40 С готовят следующим об 1 4разом: бумагу-основу покрывают термочувствительной суспензией, состоящей из7,8 весЯ бензилового эфира стеариновойкислоты, 0,15 весЯ уарамина, 14...

Номер патента: 716556

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Панасюк, Сохроков

МПК: A61L 11/00

Метки: гельминтов, инвазированных, обеззараживания, объектов, яйцами

...проведенных иссследований было установлено (см. таблицу), что предлагаемый способ позволяет за короткий промежуток времени (30 мин) добить 20 3.,230 0,540 0,0 0,0 40, 0,0 20 30, 0,0 0,07 3., 0 70,0 85,3 3 Контроль (б вок) с омаг ба иванием 300 8 0 2 40 0 83,7 80,1,4 4,0 2,3 0,0 0 3 0 2, Способ что в качестве металлические более 0,5 мм ,9 )1500. Источник ятые во вниии,экспертизе яние электро- личинки некомы паразито 1. Панасюк магнитных пол торых видов н логии. 1975, ч. тик вваннеиост ьютечени емат2 с ь В. Радьков фрич СоставнтелТехред К.Тираж 973Государственнелам изобретенсква, Ж - 35,Патент, г, У ор Г, Решетник н,ое Шу Корре Подпи ого комитета С С С ий и открытий Раушская наб., д. жгород ул. Проек4/5 на Контроль с...

Номер патента: 710017

Опубликовано: 15.01.1980

Авторы: Барба, Коржа, Панасюк, Робу, Форш

МПК: G03G 5/022

Метки: информации, носитель, термопластический

...которую можно объяснить сшиванием макромолекул за счет зеньев винилариламинов в электрическом поле в процессе записи. Указанный материал получают радикальной сополимеризацией мономеров в присутствии инициатора.Соотношения мономеров в исходной мономерной смеси выбирают таковым, чтобы получить прозрачные пленкообразующие термопластические материалы с оптимальными параметрами:Характеристическая вязкость О, 4 - 0,20 Температура стеклования 42 - 48 С Температура текучести 70 - 80 С Носители, изготовленные на основе переосажденцых сополимеров и на основе сополимеров без предварительного осаждения, показывают практически одинаковые результаты.Пример 7. Смесь 3,1 г стирола, 8,5 г бутилметакрилата, 1,2 г п-амицостирола и 0,328 г динитрила...

Номер патента: 666781

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Засорина, Кудря, Панасюк, Петренко, Черепенко, Штепанек

МПК: A61K 31/03, A61P 31/04, C07C 25/18 ...

Метки: антимикробные, бис(трихлорметил)стильбены, проявляющие, свойства

...культурах фитопатогенных грибов по методу тор . можения роста мицелия на твердой картофельно-декстрозной среде. Экспозиция 70 ч при 25 - 26 ОС, повторность 4-кратная. Полученные результаты (табл.2) показывают, что активность испытанных 3 соединений выше активности эталонов - цинеба, сернокислой меди и др. Наиболее токсичным для взятых тест-организмов является 4,4-диэтил-сФ-бис (трихлорметил)стильбены. 3Положительным свойством испытанныхс(с( -бис(трихлорметил)стильбенов является влияние на развитие плесневых грибов рр. АярегЧЩ 1 цяможение роста мицелия,% к контролю при концентрации 0,05 1 паедц 1 8 40 79 00 б 100 п 21 п-ВгС 6 Н СН - С(БО)С Н Ци 98 Споры не образуются п-С Н 93/0,07 93 п-Вг 79-82/0,07 86 и Реп 1 с 1 е, Е 1 цт - соеди неки...