Носитель информации

Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 270279 (21) 2731425/18-24с присоединением заявки Йо(51)М. Клз С Об К 19/О" Государствеииый комитет СССР ио делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения Л. М. Панасюк, ф, И. Пасечник, О. В, Пелевин и В. Г. Суринов Кишиневский ордена Трудового Красного Знаменигосударственный университет им. В.Й. Ленина(54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ Изобретение относится к техникерегистрации оптической информации и,в частности, касается регистрирующихсред, на которых Фотографическоеизображение Формируется в виде остаточной деформационной картины вИК-области электромагнитного излучения,Известны носители информации,содержащие подложку с проводящимслоем, фотопроводящий слой и изтриселенида мышьяка и термопласти-.ческий. слой на внешней поверхности1),Недостатбк устройства - записьоптической информации осуществляется в видимой области электромаг"нитного излучения,Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности являетсяноситель информации, содержащийфоточувствительный полупроводниковый слой аморфный или кристаллический и визуалиэирующий диэлектрический слой с термопластическимисвойствами. Для изготовления полу"проводникового слоя применяют сульфиды, селениды и теллуриды мышьяка,сурьмы, висмута или германия. Устройство обеспечивает регистрацию оптической информации в диапазонедлин волн 5300-7100 нм.Недостаток носителя - ограниченный класс используемых полупроводниковых материалов, область спектральной чувствительности включает тольковидимый диапазон электромагнитногоизлучения,Цель изобретения - расширение диапазона спектральной чувствительности носителя,Поставленная цель достигаетсяизготовлением носителя информации,содержащего запоминающий термопластический слой, при этом фоточувствительная пластина из монокристаллического полупроводникового материала, на поверхности которой выполненслой из аморфного полупроводникового материала, расположенный со стороны запоминающего термопластического слоя.Носитель представляет собой слоистую структуру, содержащую фоточувствительную пластину из монокристаллического полупроводникового материала 1, в котором создан слой иэаморфного полупроводникового материала 2, и налепленного на него запоминающего термопластического слоя 3,.Григору Тирая 756 По ВНИИПИ Государственного комитета СС по делам изобретений.и открытий 113035, Москва, ЖРаушская наб;Заказ 10062 72 писнР д, 4/ Филиал ППП .Патент, г. ужгород, ул. Проектная,В качестве монокристаллического полупроводника берут пластину фото чувствительного полупроводникового материала, например арсенида галлия толщиной около 0,5 мм. На одной стороне этой пластины создают тонкий слой аморфного арсенида галлия толщиной 0,1 - 1,0 мкм одним из известных способов, например ионной имплантацией.В качестве полупроводникового слоя может быть такяе использован. любой фоточувствительный полупроводник, например кремний, германий, фосфид галлия и индия и др.Для записи оптической информации на поверхность носителя наносят рав-, 1 Ъ номерный электрический заряд пои одновременном экспонировании изобраяения, Фотопроводимость полупроводни-, кового материала приводит к перераспределению электрических зарядов 20 .и к образованию скрытого электроста-. тического изобраяения.Выполнение полупроводникового слоя в виде монокристалла,в котором создан подслой вещества .н аморА ном состоянии, обеспечивает более полное поглощение света с квантовым выходом, близким к единице, что повышает ФотограФическую чувствительность носителя и обеспечивает высокое разрешение электростатического изобраяения, так как носители, генерируемые светом, свободно проходя в область аморФного состояния крис-. талла, накапливаются на границе с термопластиком, образуя электростатический рельеф. Свободное прохоядение носителей в область аморфного состояния обеспечивается отсутствием резкой границы раздела меяду аморйным и кристаллическим состоянием 40 полупроводникового материала.Малая подвияность носителей заряда в аморФном слое приводит к локализации зарядов в освещенных участках носителя. 45Для проявления изобраяения термопластический слой нагревают до температуры размягчения, при которой1 ондеромоторные силы электрическогоюля вызынают деФормацию термопластика в соответствии с экспонированием изобраяенияй. фиксированиедеформаций осущестнляется охлаядением термопластического слоя до температуры затвердевания. Так какобласть спектральной фотографическойчувствительности носителя определяется спектральным распределением Фо-.тоотнета полупроводникового материала, то выполнение его из монокристалла обеспечивает регистрацию оптической информации в ИК-областиэлектромагнитного излучения, как засчет собственной, так и за счетпримесной проводимости полупроводника. Такое выполнение носителя инАормации позволило расширить диапазоны его спектральной чувствительности в ИК-области электромагнитного излучения до 2,5 мкм при комнатной температуре. Носитель информации, содеряащий запоминающий термопластический слой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона спект;, ральной чувствительности носителя, он содержит Фоточувствительную пластину из монокристаллического полупроводникового материала, на поверхности которого выполнен слой из аморФного полупроводникового материала, располояенный со стороны запоми нающего термопластического слоя. Источники информации,принятые во внимание .при экспертизе 1, .Патент США 9 3819369,кл. 340-173, опублик. 1974. 2, Патент Великобритании Р 1387177, кл. 6 2 Н, опублик. 1975